「pattern S」を含む例文一覧(416)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 次へ＞- A conductor pattern 2 is formed so that it extends from an inner side to an external side of the mounting region S.
実装領域Ｓの内側から外側に延びるように導体パターン２が形成される。 - 特許庁 - The image forming apparatus includes an image-adjusting sheet S, to which a toner pattern image for image adjustment is transferred, and an accommodating path C in which the sheet S is accommodated.
画像調整用のトナーパターン像を転写するための画像調整シートＳと、該シートＳを格納する格納通路Ｃとを備えている。 - 特許庁 - A signal characteristic control part 336 corrects frequency characteristics of the sound source signal X(n) in accordance with the correction pattern P(S).
そして、信号特性制御部３３６は、補正パターンP(S)にしたがって、音源信号X(n)の周波数特性を補正するようにしたものである。 - 特許庁 - A correction quantity Δ(N) including the wear of the grinding wheel and the thermal deformation and elastic deformation of a machine is found from the original point value pair S(0), X(0) and the machining completion point pair S(N), X(N), and a machining pattern PP_std is shifted onto the table 11 side by the correction quantity Δ(N) portion.
原点値対S(０)、X(０)と加工完了点対S(Ｎ)、X(Ｎ)から、砥石磨耗と機械の熱変形と弾性変形を含んだ補正量Δ(Ｎ)を求め、補正量Δ(Ｎ)分だけ加工パターンPP_stdをテーブル１１側にシフトする。 - 特許庁 - When the faces and direction of the substrate S are appropriate, the drawing position of a circuit pattern with respect to the substrate S is adjusted based on the relative positions of the first to fourth reference marks P1 to P4 and the circuit pattern is drawn on the substrate S by an optical unit 18.
基板Ｓの表裏および向きが適正な場合には、第１〜第４基準マークＰ１〜Ｐ４の相対位置に基づいて基板Ｓに対する回路パターンの描画位置を調整し、光学ユニット１８によって基板Ｓに回路パターンを描画する。 - 特許庁 - A 1st position (s) on the original file margin being an image area having a luminance pattern similar in a straight line direction is obtained, a luminance pattern X at a position (x) around this position (s) is detected and a luminance pattern YT with the highest similarity to the luminance pattern X is detected within a prescribed retrieval range.
直線方向に類似した輝度パターンを持つ画像領域である原稿綴じ部上の第１の位置ｓを求め、この位置ｓ付近の位置ｘの輝度パターンＸを検出し、さらに、所定の探索範囲内において、輝度パターンＸと最も類似度の高い輝度パターンＹ_T を検出する。 - 特許庁 - In the S/N matching pattern, a pattern where it is possible to jump from an arbitrary sample point to a next SP pass processing target sample point is set, thus jumping to the next SP pass processing target sample point according to a jump address value obtained from a pattern that coincides with the current S/N matching pattern.
このＳ／Ｎマッチングパターンは、任意のサンプル点から次のＳＰパス処理対象サンプル点にジャンプ可能な場合におけるパターンが設定されたものであり、現在のＳ／Ｎマッチングパターンと一致するパターンから得られたジャンプアドレス値により、次のＳＰパス処理対象サンプル点にジャンプする。 - 特許庁 - Viewed from above the semiconductor substrate S, the dummy pattern P and the conductive pattern P each have a portion overlapping over each other and the other portion.
そして、半導体基板Ｓ上からみて、ダミーパターンＰと導電パターンＰとは、互いにオーバーラップする部分とそれ以外の部分とを有する。 - 特許庁 - Then, the conc. control part 1 set the most appropriate massaging pattern for the user S is set by pattern matching and returns it to the massaging chair.
すると、集中管理部１は、その使用者Ｓに最も適したマッサージパターンをパターンマッチングによって設定し、マッサージチェア３へ送り返す。 - 特許庁 - A light source part S for irradiating the resist pattern 12 with light Lin at an incident angle θ below 45 degrees relative to the upper surface of the resist pattern 12 is used.
レジスト・パターン１２上面に対して４５度以下の入射角θで、レジスト・パターン１２へ光Ｌinを照射する光源部Ｓを用いる。 - 特許庁 - Around the mounting region S, a cover insulating layer 4 is formed so as to cover the conductor pattern 2.
実装領域Ｓの周囲において、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層４が形成される。 - 特許庁 - To suppress reduction in S/N ratio of an optical signal transmission system by reducing noise resulting from a speckle pattern.
スペックルパターンに起因する雑音を低減させ、光信号伝送システムのＳ／Ｎ比の低下を抑える。 - 特許庁 - To provide a device for inspecting defects, which can inspect a pattern of a top layer with a high S/N ratio.
最上層のパターンの検査を、高いＳ／Ｎ比で行うことができる欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁 - A lead wire S for plating and a wiring pattern 20 are integrally formed on the base insulating layer 11.
ベース絶縁層１１上に、めっき用リード線Ｓおよび配線パターン２０が一体的に形成される。 - 特許庁 - An inspector (P) for determining the existence of the formation defect of the resist pattern 12 is positioned on the light source part S side.
レジスト・パターン１２の形成不良の有無を判定する検査者(Ｐ)は、光源部Ｓ側に位置する。 - 特許庁 - A large number of slots S are formed in staggering pattern at the part 17 of this material 15.
この押出形材15の受け板部形成部17に多数個のスロットＳを千鳥状配置に形成する。 - 特許庁 - To provide a pitch measuring device for measuring the pitch of a L/S pattern using a relatively long wavelength light.
比較的長い波長の光を用いてＬ／Ｓパターンのピッチを測定することのできるピッチ測定装置。 - 特許庁 - The secondary conductive pattern P2 comprises a plurality of conductive patterns 5's which are extended along the lengthwise direction of the insulating sheet 2.
第２導体パターンＰ２は、絶縁シート２の長さ方向に延びる複数の導体パターン５を備える。 - 特許庁 - When a scale converting magnification S is set, scale boundary lines TN are determined in these divided pattern data.
スケール変換倍率Ｓが設定されると、スケール境界線ＴＮを分割パターンデータにおいて定める。 - 特許庁 - To obtain a packaging container 1 not allowing visual confirmation of a discrimination pattern S which is attached to the container in a usual usage state, allowing visual confirmation of the discrimination pattern S by performing a simple operation as necessary, and further capable of returning the discrimination pattern S again to the invisible state by stopping the operation.
通常の使用状態では付されている識別模様Ｓを視認することができず、必要とする場合には、簡単な操作を行うことで識別模様Ｓを視認することができ、さらに、前記操作を中止することで再び識別模様Ｓを視認できない状態に戻すことのできる包装用容器１を得る。 - 特許庁 - The display pattern is formed by overlaying a transfer sheet S, cloth 3, and a rubber sheet 4 on a coated metal sheet M set on a bottom plate 2, and infiltrating a sublimation dye D of the transfer sheet S into the coating film of the coated metal sheet M with the heat from a hot plate 1.
表示模様は、底板2にセットした塗装金属板Mに転写シートS，布3，ゴムシート4を重ね合わせ、熱板1からの加熱で転写シートSの昇華性染料Dを塗装金属板Mの塗膜に浸透させることにより形成される。 - 特許庁 - The magnetic S-N servo band section and the magnetic N-S servo band section are relatively recorded on the servo track, and, based on the servo pattern of the polarity of the N magnetic pole and the servo pattern of the polarity of the S magnetic pole, servo-position information encoded by the magnetic polarity is represented.
磁気Ｓ−Ｎサーボ・バンド・セクションと磁気Ｎ−Ｓサーボ・バンド・セクションとをサーボ・トラック上に相対的に記録して、Ｎ磁極の極性のサーボ・パターンとＳ磁極の極性のサーボ・パターンとに基づいて、磁極性により符号化されたサーボ位置情報を表す。 - 特許庁 - As a result, accurate measurement of characteristic impedance of the signal wiring pattern (S) 1 of the measuring object is enabled by using the wiring pattern (T) 6 for measurement.
よって、測定用配線パターン（Ｔ）６を用いて、測定対象の信号配線パターン（Ｓ）１の正確な特性インピーダンスの測定を行うことが可能となる。 - 特許庁 - The resist pattern has a surface layer on a resist pattern with etching rate (Ånm/s) ratio (internal layer/surface layer) of 1.1 or more under the same condition.
レジストパターン上に表層を有し、同条件下での該表層と内層とのエッチング速度（Å／ｓ）比（内層／表層）が１．１以上であるレジストパターン。 - 特許庁 - Then, the difference of density line width is corrected by changing only the line width of the image of the isolated line pattern Pa, without changing the line width of the image of the L/S pattern Pb.
そして、Ｌ／ＳパターンＰｂの像の線幅を変化させることなく、孤立線パターンＰａの像の線幅のみを変化させて、疎密線幅差を補正する。 - 特許庁 - A wavelet pattern designation section 308 outputs a sequentially updated mapping pattern to the S/P conversion section 303 and an inverse wavelet conversion section 304.
ウェーブレットパターン指定部３０８は、順次更新されるマッピングパターンをＳ／Ｐ変換部３０３および逆ウェーブレット変換部３０４に出力する。 - 特許庁 - A tape-shaped article 101 is delivered by a delivering mechanism, a punching pattern S formed on the tape-shaped article 101 is picked up by an image pickup means 2 for each punching pattern S, the image is analyzed to obtain coordinate data.
繰出し機構でテープ状物１０１を繰出し、撮像手段２でそのテープ状物１０１に開孔されている穿孔パターンＳを穿孔パターンＳ毎に撮像し画像解析して座標データを得る。 - 特許庁 - On a polysilicon film 4 on a semiconductor substrate 1, a resist pattern 5a of a line shape is formed in a memory cell region S, and a dummy resist pattern 5b is formed on a region P excepting the memory cell region S.
半導体基板１上のポリシリコン膜４上において、メモリセル領域Ｓではライン状のレジストパターン５ａが形成され、メモリセル領域Ｓ以外の領域Ｐではダミーのレジストパターン５ｂが形成される。 - 特許庁 - A pattern is formed under the conditions that the resolution R [μm] of dots in the scanning direction in the pattern to be formed on a work and the scanning shift distance S [μm] during one time of pixel switching are in the relation of S>R.
ワーク上に形成されるパターンのスキャン方向のドットの分解能Ｒ［μｍ］と一回の画素スイッチングの間のスキャン移動距離をＳ［μｍ］とした時に、Ｓ＞Ｒとなる様に設定してパターンを形成する。 - 特許庁 - To provide a foreign object inspecting apparatus capable of increasing S/N ratio when the quantity of detection light from a foreign object and that from a pattern are set to be S and N, respectively, when inspecting the foreign object on a substrate having a pattern.
パターン付き基板の異物検査において、異物からの検出光の光量をＳ、パターンからの検出光の光量をＮとしたときのＳ／Ｎ比を向上させることができる異物検査装置を提供する。 - 特許庁 - The exposure equipment comprises: a pattern generation part PG which generates a pattern with a predetermined resolution; and an optical device PL which projects an image of a pattern generated at the pattern generation part onto a member to be exposed S with a predetermined resolving power and a predetermined projection magnification.
所定の解像度でパターンを生成するパターン生成部ＰＧと、パターン生成部で生成されたパターンの像を所定の分解能及び所定の投影倍率で被露光部材Ｓに投影する光学装置ＰＬとを備える。 - 特許庁 - In the pattern electrode forming process of the manufacturing method, after the pattern electrodes 2 are formed on the flat face S of the support plate 1, it is desirable to make the surfaces of the pattern electrodes 2 rough and it is also desirable to form the pattern electrodes 2 after mold release is applied to the flat face S.
前記製造方法のパターン電極形成工程において、前記支持板１の平坦面Ｓにパターン電極２を形成した後、そのパターン電極２の表面を粗面にすることが好ましく、また前記平坦面Ｓに離型剤を塗布した後、パターン電極２を形成することが好ましい。 - 特許庁 - The mending switch is operated once or two or more times to position the supply starting point of the sequin S immediately behind the sewn sequin S, and then the embroidery sewing machine 1 is restarted to sew a sequin S on the dropped part of the embroidery pattern.
補修スイッチを一回又は数回操作し、シークインＳの供給開始点を縫付済みシークインＳの直後に位置決めした後に、刺繍ミシン１を再起動し、刺繍柄の抜落部にシークインＳを縫い付ける。 - 特許庁 - That is, the address-information region 52 is a servo pattern B containing a cylinder code and is a magnetizing pattern (magnetization-direction pattern) that is composed of N-pole projecting magnetic parts 510 and S-pole projecting magnetic parts 520.
即ち、アドレス情報領域５２は、シリンダコードを含むサーボパターンＢを、Ｎ極の凸状の磁性部５１０とＳ極の凸状の磁性部５２０の磁化パターン（磁化方向パターン）から構成されている。 - 特許庁 - Pattern data of an embroidery pattern D include data of prescribed points P1-P9 which are set in a plurality of sites of the embroidery pattern D and respective distance data from each of the prescribed points P1-P9 to a start point S.
刺繍柄Ｄの柄データは、刺繍柄Ｄの複数箇所に設定された所定点Ｐ１〜Ｐ９のデータと、各所定点Ｐ１〜Ｐ９からスタート点Ｓまでのそれぞれの距離データとを含む。 - 特許庁 - To provide a mold to achieve an excellent S/N ratio in a magnetic recording medium after transfer of a pattern.
パターン転写後の磁気記録媒体において優れたＳ／Ｎ比が実現されるモールドを提供することにある。 - 特許庁 - A semiconductor substrate 1 is prepared, wherein the electrode 2a of the semiconductor device 2 and a pattern portion 7b are provided on a surface S.
表面Ｓに半導体素子２の電極２ａとパターン部７ｂとを設けた半導体基板１を用意する。 - 特許庁 - A cover insulating layer 4 is formed at a periphery of the mounting region S so that the layer covers the conductor pattern 2.
実装領域Ｓの周囲において、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層４が形成される。 - 特許庁 - On the basis of the accumulation of the computed result of the checksum, a sum counter S is computed and the computed result of the sum counter S is displayed at a decorative pattern display device.
このチェックサムの演算結果が累積されることに基づいてサムカウンタＳが演算され、装飾図柄表示器にサムカウンタＳの演算結果が表示される。 - 特許庁 - A thermal head 3 thermally perforated/forms a detection pattern K every specified time in the conveying direction of the stencil S during the making of the stencil S.
サーマルヘッド３は、孔版原紙Ｓの製版時にこの孔版原紙Ｓの搬送方向に沿って一定時間毎に検出用パターンＫを感熱で穿孔形成する。 - 特許庁 - Based on pattern position information and a focusing measure at each focal plane S of each pattern, a pattern movement angle calculation section 24 calculates an incident angle of the main beam of pattern light into a CCD 41 concerning each pattern, as a parameter representing reliability of a measurement result of the shape of the object 12.
パタン移動角度算出部２４は、各パタンの焦点面Ｓごとの合焦測度およびパタン位置情報に基づいて、各パタンについて、パタン光の主光線のＣＣＤ４１への入射角度を、被検物１２の形状の測定結果の信頼度を示すパラメータとして算出する。 - 特許庁 - In the exposure mask M to be used for an exposure apparatus S, a plurality of pattern blocks comprising a pair of a light blocking pattern to block light emitting from the exposure apparatus S and a transmissive pattern to transmit the light are continuously arranged in such a manner that the pitch of the continuous pattern blocks is constant while a ratio of the light blocking pattern to the transmissive pattern is gradually varied.
本発明は、露光装置Ｓで用いられ露光用のマスクＭにおいて、露光装置Ｓから出射される光を遮断する遮光パターンと、この光を透過する透過パターンとの対から構成されるパターンブロックが複数連続して配置されているとともに、その連続するパターンブロックのピッチが一定で、しかも遮光パターンと透過パターンとの比率が徐々に変化するよう設けられている。 - 特許庁 - The etching shifting amount E in an L&S pattern and the density difference Δ between etching shifts ((the etching shift in an isolated pattern)-(the etching shift in the L&S pattern)) can be expressed by the function of OE and SO_2 (wherein, OE and SO_2 respectively denote an over etching amount and an SO_2/O_2 flow ratio).
評価値として、Ｌ＆Ｓパターンにおけるエッチングシフト量をＥ、エッチシフトの疎密差（（孤立パターンにおけるエッチングシフト）−（Ｌ＆Ｓパターンにおけるエッチングシフト））をΔ、オーバーエッチング量をＯＥ、ＳＯ_２／Ｏ_２流量比をＳＯ_２とすると、Ｅ及びΔはＯＥ及びＳＯ_２の関数で表すことができる。 - 特許庁 - The mask M is used to form a thin film having a first pattern on a substrate and comprises: a substrate S made from a nonmagnetic material having an opening 22 corresponding to the first pattern; and a film 28 made from a magnetic material, which has a second pattern and is arranged on the substrate S.
被成膜基板に対して第一パターンを有する薄膜を形成するためのマスクＭであって、第一パターンに対応する開口部２２を有する非磁性体基板Ｓと、非磁性体基板Ｓ上に第二パターンを有して配置された磁性体膜２８と、を備える。 - 特許庁 - The device for recording a hologram includes a spatial light modulator 18 which displays, through the function of a pattern generator 16, a partial reversal pattern (bright and dark image) obtained by partially reversing a data pattern, and generates a signal light S based on the partial reversal pattern.
ホログラム記録装置において、空間光変調器１８は、パターン生成器１６の機能により、データパターンを部分的に反転させた部分反転パターン（明暗画像）を表示し、この部分反転パターンにより信号光Ｓを生成する。 - 特許庁 - The image forming apparatus is provided with the decolorizing function prints a negative image pattern 74, which takes printed information 72 by the decolorizable toner (S) as a positive image pattern on a printed face 71 of a paper sheet 66 using a transparent toner (T).
用紙６６の印刷面７１に消色性トナー（Ｓ）による印字情報７２を陽画パターンとする陰画パターン７４を透明トナー（Ｔ）によって印字する。 - 特許庁 - The plurality of stripes which are set are scanned S with the beam one after another to draw the mask pattern in the pattern drawing area.
そして、その設定した複数のストライプのそれぞれへ、順次、ビームを走査するスキャンＳを複数実施することによって、パターン描画領域にマスクパターンを描画する。 - 特許庁 - The third pattern ITO is aligned to the first pattern G in terms of a first direction Y, and is aligned to the second patterns S and D in terms of a second direction X.
第三パターンＩＴＯを第一方向Ｙについて第一パターンＧと位置合わせするとともに、第二方向Ｘについて第二パターンＳ、Ｄと位置合わせする。 - 特許庁 - The magnetic S-N servo band section includes a servo track segment, which is initialized by the polarity of the S magnetic pole, and a servo pattern of polarity of the N magnetic pole recorded on the servo track segment which is initialized by the polarity of the S magnetic pole.
磁気Ｓ−Ｎサーボ・バンド・セクションは、Ｓ磁極の極性により初期化されたサーボ・トラック・セグメントと、このＳ磁極の極性により初期化されたサーボ・トラック・セグメント上に記録されたＮ磁極の極性のサーボ・パターンとを含む。 - 特許庁 - The film thickness inspection device performs spectral measurement of reflection light from the minute spot S imaged on the color pattern P with a spectral means 5.
カラーパターンＰ上に結像した微小スポットＳからの反射光の分光測定を分光手段５にて行う。 - 特許庁
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