「pattern after」を含む例文一覧(3630)

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  • The pattern sewing start position after the shifting should be the needle position close to the final needle position (C).
    また、移行後のパターンの縫い始め位置を最終針位置に近い方の針位置とする（Ｃ）。 - 特許庁
  • After the elapse of a prescribed time interval, the lowering of the updated speed of the left pattern in the capsule 51a is started.
    一定時間経過後に、カプセル５１ａ内の左図柄の更新速度を低下を開始する。 - 特許庁
  • To provide a photoresist composition excellent in pattern uniformity and heat resistance after a hard baking step.
    ハードベーク工程後のパターン均一性及び耐熱性に優れたフォトレジスト組成物を提供。 - 特許庁
  • Afterwards, the contiguous pattern group B is pressed by a pressurizing means Pb after proper drying treatment.
    その後、適切な乾燥処理を経た後、加圧手段Ｐｂにより、隣接パターン群Ｂをプレスする。 - 特許庁
  • Subsequently, after depositing a metallic film 7, the surface thereof is polished to cause the channel protecting pattern expose to the external.
    次に、金属膜７を堆積しその表面を研磨してチャンネル保護パターンを露出させる。 - 特許庁
  • The pits are arranged in an information supply pattern, and can be read even after treatment on the wafer is completed.
    ピットは情報提供パターンに配置され、ウェハ上の処理が完了した後も可読できる。 - 特許庁
  • After that, the game machine executes a ready-to-win performance display, or a development destination, according to each variable display pattern.
    その後、各可変表示パターンに対応して発展先となるリーチ演出表示を実行する。 - 特許庁
  • A clear coating 4 may be layered on the hot-dipped layer 2 after the abrasive mesh pattern has been formed.
    研磨目模様を付けた後、溶融めっき層２の上にクリア塗膜４を積層しても良い。 - 特許庁
  • A transparent resin layer 5 is formed, in a way contrary to the conventional one, after the dark color convex pattern layer is printed.
    透明樹脂層５は従来とは逆に暗色凸状パターン層印刷後に形成する。 - 特許庁
  • After finishing of the etching, the resist pattern on the silicon substrate is removed by the ashing (S105).
    エッチング処理の終了後に、シリコン基板上のレジストパターンをアッシングによって除去する（Ｓ１０５）。 - 特許庁
  • After that, dry etching treatment is applied to the low-permittivity film 103 from the upper portion of the mask pattern layer successively.
    その後、連続してマスクパターン層上から低誘電率膜１０３をドライエッチング処理する。 - 特許庁
  • These types of patterns in which the crisis is spread also have a large impact on the recovery pattern after the crisis.
    こうした危機の波及類型は、危機からの回復パターンにも大きな影響を与えている。 - 経済産業省
  • Many "Tanabata Matsuri" that started after the Second World War at many places were organized following the pattern of Sendai Tanabata.
    各地の「七夕祭り」のうち、戦後に始まったものの多くは仙台七夕をモデルとしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • For forming the above structure, the production method is prescribed primarily with a heat pattern after cold rolling.
    上記組織とするために、冷間圧延後のヒートパターンを中心に製造方法を規定する。 - 特許庁
  • After the passage of a preset time the final variation pattern is stopped and displayed (S2847: YES).
    所定の時間が経過したら最終変動図柄が停止表示される（Ｓ２８４７：ＹＥＳ）。 - 特許庁
  • After then, a character pattern 352 is segmented from the area 351 of the image 340 to execute character recognition.
    その後、イメージ３４０の領域３５１から文字パターン３５２を切り出して文字認識を行う。 - 特許庁
  • A performance using a cherry blossom pattern different from a pattern in an ordinary performance mode can be executed before and/or after a ready-to-win state.
    リーチとなる前、または／及び、リーチとなった以後に通常の演出態様とは異なる桜柄を使用する演出を実行可能である。 - 特許庁
  • Thus, the occurrence of the draggle-tailed projected part 7 occurring on the bottom of the resist pattern after forming the pattern of the chemically amplified resist 4 is suppressed.
    これにより、化学増幅型レジスト４のレジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部７の発生が抑えられる。 - 特許庁
  • At least a part of the second pattern 7a is removed after preparing sidewall patterns 8a, 8b surrounding the sidewall portion of the second pattern 7a.
    第２のパターン７ａの側壁部を囲んで側壁パターン８ａ，８ｂを設けた後に第２のパターン７ａの少なくとも一部を除去する。 - 特許庁
  • To provide a protruded pattern forming method which easily presses a stamper against a resin layer, and sufficiently maintains the shape of the protruded pattern after removing the stamper.
    樹脂層に対してスタンパーを容易に押し付け可能としつつ、スタンパーの剥離後において凹凸パターンの凹凸形状を十分に維持する。 - 特許庁
  • To make maintainable the feeling of expectation of a player expecting a second benefit, even after a fluctuating pattern is stopped and the pattern is established.
    変動している図柄が停止して図柄が確定した後であっても、第２特典を期待する遊技者の期待感を維持できるようにする。 - 特許庁
  • To reduce displacement between a resist pattern formed on a resist after development and a resist pattern in designing, the displacement being caused due to front scattering and back scattering.
    前方散乱・後方散乱に起因する、現像後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のレジストパターンとのズレを軽減すること。 - 特許庁
  • A performance using a cherry blossom pattern different from a pattern for a normal performance mode can be executed before and/or after a shift to a ready-to-win state.
    リーチとなる前、または／及び、リーチとなった以後に通常の演出態様とは異なる桜柄を使用する演出を実行可能である。 - 特許庁
  • After 1 ms passes from this decision, signals 51 and 54 are turned off in a pattern variation, and a pattern deciding signal 52 is turned on for 100 ms.
    この確定から１ｍｓ経過後に、図柄変動中信号５１，５４をオフすると共に、図柄確定信号５２を１００ｍｓオンする。 - 特許庁
  • Thus, a highly-accurate pattern can be provided on a large substrate, and the masking powder is easily removed after forming the pattern so as to prevent contamination of the substrate.
    これにより、大型基板に高精度のパターンを具現でき、パターンの形成後にマスキング粉末の除去が容易で基板の汚染を防止できる。 - 特許庁
  • The back drum 1 for the rubber pattern buttresses the rubber part 3 by sealing the former to the latter with a patterning surface X fashioned after the tread pattern of the tire.
    タイヤのトレッドパターンを型取りした型取り面Ｘを有するゴム部３に固着されて、ゴム部３を補強するゴム型用裏胴１である。 - 特許庁
  • After forming an electrode pattern on the top face of the green sheet 39, a plurality of green sheets 39 printed with the electrode pattern are stacked.
    そして、グリーンシート３９の上面に電極パターンを形成した後、電極パターンが印刷された複数のグリーンシート３９を積層する。 - 特許庁
  • The resist film after pattern exposure is successively developed to remove the barrier film as well as to form a resist pattern out of the resist film.
    続いて、パターン露光が行なわれたレジスト膜に対して現像を行なって、バリア膜を除去すると共にレジスト膜からレジストパターンを形成する。 - 特許庁
  • Consequently, musical sound pattern data after the remixing process are reproduced successively to normal sound recording monitoring of the musical sound pattern data as shown in (a).
    これにより、（ａ）に示すように、楽音パターンデータの通常の録音モニタに続いて、リミックス処理の施された楽音パターンデータが再生される。 - 特許庁
  • Thinning of the dot pattern after shading correction responding to the DFR is carried out on the basis of a preliminarily determined thinning pattern.
    シェーディング補正後のドットパターンに対して行うＤＦＲ対応の間引きを、予め設定した間引きパターンに基づいて実行するようにしたた。 - 特許庁
  • After the ion implantation, a thickness of the resist film is measured using an ellipsometer by selecting a part on a scribe line, a large-pattern portion, etc., of the resist pattern.
    イオン注入後、レジストパターンのうちスクライブ線上やパターンの大きなところなどを選択してエリプソメーターでレジスト膜厚を測定する。 - 特許庁
  • In the game machine, before and/or after a ready-to-win state, performance using a cherry blossom pattern different from a normal performance pattern, is executed.
    リーチとなる前、または／及び、リーチとなった以後に通常の演出態様とは異なる桜柄を使用する演出を実行可能である。 - 特許庁
  • To provide a pseudo-random pattern generator for decreasing a time until a trigger signal is outputted after a trigger pattern is set.
    トリガパターンを設定してからトリガ信号が出力されるまでの時間の短縮を図る擬似ランダムパターン発生装置を実現することにある。 - 特許庁
  • To realize a pattern repairing method of a stencil type reticle, in which redeposition is restrained and a pattern side surface after correction can be worked into a proper shape.
    再付着物を抑制し且つ修正後のパターン側面を適切な形状に加工できるステンシル型レチクルのパターンリペア方法を提供する。 - 特許庁
  • After the reactance pattern 42 seals one side face 34 of the printed circuit board 32 by a package cover 38, a laser 50 applies trimming processing to the reactance pattern 42.
    リアクタンスパターン４２は、回路基板３２の一側面３４をパッケージ蓋３８によって封止したのち、レーザ５０によってトリミング加工される。 - 特許庁
  • Then a resist pattern 102a is formed from the resist film 102, by developing the resist film 102, after the pattern exposure.
    続いて、パターン露光が行なわれたレジスト膜１０２に対して現像を行なうことにより、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁
  • After a pattern layout is made as well as the transmittance T of a phase shifter is determined, the pattern layout is divided to generate a plurality of split patterns.
    パターンレイアウトを作成すると共に位相シフターの透過率Ｔを決定した後、パターンレイアウトを分割して複数の分割パターンを生成する。 - 特許庁
  • After forming a pattern of photoresist, a color filter pattern is formed by removing by sandblast the inorganic paint layer that is not covered by the photoresist.
    フォトレジストのパターンを形成し、レジストで覆われていない無機顔料層をサンドブラスト法によって除去して、カラーフィルタのパターン形成を行う。 - 特許庁
  • After completion of printing, the relief pattern is removed from the master printing plate, and the printing plate can be reused by applying a new pattern.
    印刷の完了後、浮彫りパターンはマスタ印刷プレートから取り除かれ、印刷プレートは、新しいパターンを適用することにより再使用できる。 - 特許庁
  • After that, capsules 02a and 02c are pressed designated number of times, thereby again varying the left pattern and the right pattern in the capsules (f).
    この後、カプセル０２ａ、０２ｃを所定回数だけプレス動作させることにより、その中にある左図柄と右図柄とを再変動させる（ｆ）。 - 特許庁
  • It does not matter if the light shielding pattern is removed after the water repellent thin film layer in a part where the light shielding pattern is not formed is decomposed and removed.
    遮光パターンが形成されていない部分の撥水性薄膜層を分解除去した後で、遮光パターンを除去しても構わない。 - 特許庁
  • In the step S5203, black is applied as an alternative pattern color in place of a ground tint pattern color 2005 and after that, the processing proceeds to the step S708.
    ステップＳ５２０３において、地紋パターン色２００５の代わりに、代替パターン色として黒が適用され、この後ステップＳ７０８へ進む。 - 特許庁
  • When the pattern displayed in the stopped state is only partially differed from the hit pattern, and has a display order falling in a prescribed range around the hit pattern, a change position limiting means 42 limits the scrolling position of pattern in pattern fitting games on and after this only to the position where the pattern different from the hit pattern is displayed.
    停止状態で表示された図柄が当たりの図柄と一部のみ異なり、かつそれが当たりの図柄に対してその表示順序が前後所定範囲内の図柄であるとき、変更箇所制限手段４２は、次回以降行われる図柄合わせゲームで図柄のスクロールされる箇所を当たりの図柄と異なる図柄の表示された箇所だけに限定する。 - 特許庁
  • The pattern forming method is carried out by applying a pattern forming material containing fullerenes having a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group on a photoresist pattern after development so as to deposit a fullerene-containing film on the resist pattern surface, and removing the pattern forming material on a part except the photoresist pattern so as to protect only the photoresist pattern surface with the fullerenes.
    現像後のフォトレジストパターン上にフェノール性水酸基又はカルボキシル基を有するフラーレン類を含有するパターン形成材料を塗布して、上記フラーレン類含有膜をフォトレジストパターン表面に付着させ、フォトレジストパターン以外の部分の上記パターン形成材料を除いてフォトレジストパターン表面だけを上記フラーレン類で保護するパターン形成方法。 - 特許庁
  • After that, the left pattern and the right pattern are temporarily stopped (d), 'press' 03a is displayed on the side of the UFO character 03, and this is output by voice, thereby informing that the left pattern and the right pattern again vary to develop (e).
    その後、左図柄及び右図柄を仮停止させた後（ｄ）、ＵＦＯのキャラクタ０３の横に「プレス」０３ａと表示させると共に、これを音声出力して、左図柄及び右図柄が発展的に再変動することを報知する（ｅ）。 - 特許庁
  • When performing signal processing for the image signals obtained from the pixels arranged in the check pattern, the image signals in the check pattern are converted into a square pattern after the signal processing of a filter coefficient is carried out by using a filter arranged in the check pattern.
    市松配列された画素から得られる画像信号を信号処理する場合、フィルタ係数が市松配列されたフィルタを用いて信号処理した後に、市松配列の画像信号を正方配列に変換する。 - 特許庁
  • A processed layer pattern 4 is formed using an alternating phase shift mask, then ion implantation of an impurity is selectively carried out in the unnecessary pattern 4b to increase an etching rate of the unnecessary pattern 4b, after which the unnecessary pattern 4b is etched away.
    レベンソン型位相シフトマスクを用いて被加工層パターン４を形成した後、不要パターン４ｂに選択的に不純物をイオン注入して不要パターン４ｂのエッチングレートを上げた後に、不要パターン４ｂをエッチングにより除去する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing a semiconductor device includes a step for thickening a resist pattern by coating the surface of the pattern with the thickening material after forming the pattern on an underlayer and a step for patterning the underlayer by etching through the pattern.
    下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁
  • After an ArF resist pattern is formed, the space and opening size of the pattern are reduced by temporarily reducing T_g of the resist pattern by the irradiation of a VUV excimer laser or of the E beam irradiation during the thermal treatment of the resist pattern.
    ＡｒＦレジストパターンを形成した後、レジストパターンを熱処理する間にＶＵＶエキシマレーザーからの照射またはＥビーム照射により露光してレジストパターンのＴ_ｇを一時的に低めてパターンのスペース及び開口サイズを縮める。 - 特許庁
  • To provide a pattern verifying method, used in a double patterning method in which after a first pattern is formed in a film to be processed, a second pattern is formed in the film to be process, verifying a pattern in consideration of a superposition error.
    被加工膜に第１のパターンを形成してから被加工膜に第２のパターンを形成するダブルパターニング法に用いられ、重ね合わせ誤差を考慮してパターンを検証することができるパターン検証方法を提供する。 - 特許庁
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