「pattern method」を含む例文一覧(23002)
＜前へ 1 2 .... 450 451 452 453 454 455 456 457 458 .... 460 461 次へ＞- This method includes a first process in which Al or a material layer primarily composed of Al is patterned and a prescribed pattern wiring is formed, and a second process in which a photoresist 100, having a prescribed size of aperture on the wiring is formed and a prescribed area of the wiring is etched with an etching solution including at least nitric acid.
ＡｌまたはＡｌを主成分とする材料層をパターニングして所定のパターンの配線を形成する第１の工程と、上記配線上に所定の大きさの開口を有するマスク用フォトレジスト１００を形成して、上記配線の所定の領域を少なくとも硝酸を含むエッチング液でエッチングする第２の工程とを含む。 - 特許庁 - In a manufacturing method for an electronic device, an electronic component 13 and a mounting board 11 are arranged so that the one side 13a of the electronic component 13 may face the one side 11a of the mounting board 11, and the connecting electrode 14 of the electronic component 13 is connected electrically and also mechanically coupled with the conductor pattern 12 of the mounting board 11.
電子装置の製造方法では、電子部品１３の一方の面１３ａが実装基板１１の一方の面１１ａに対向するように、電子部品１３と実装基板１１とを配置し、電子部品１３の接続電極１４を実装基板１１の導体パターン１２に電気的に接続し且つ機械的に接合する。 - 特許庁 - The irregular pattern forming method comprises a step (1) of pressing a mold having the fine irregular patterns in room temperature against the surface of a film formed of a fluorine-containing polymer which is derived from fluoroethylene, whose monomeric unit is 50 mass% or more, and which is in a solid condition in room temperature, and a step (2) for separating the mold from the film in room temperature.
フルオロエチレンに由来する単量体単位が５０質量％以上であり室温で固体状態である含フッ素重合体からなる膜の表面に、微細な凹凸パターンを有するモールドを室温で圧着させる工程（１）と、上記モールドを室温で上記膜から脱離する工程（２）とを含むことを特徴とする凹凸パターンの形成方法。 - 特許庁 - A method of modifying the surface of a semiconductor wafer 34 comprises the steps of (a) bringing a plurality of abrasive particles and a binder into contact with a fixed article 39 to be polished having a three-dimensionally processed polished surface including a predetermined pattern shape; and of (b) modifying the surface of the wafer by relatively moving the wafer and the fixed article to be polished.
（ａ）半導体ウェーハ３４の表面を、多数の研磨剤粒子と結合剤とを所定のパターン形状で含む３次元的に加工された研磨表面を有する固定された研磨物品３９と接触させるステップと、（ｂ）該ウェーハと該固定された研磨物品とを相対的に移動させて、該ウェーハの前記表面を改質するステップとを含む方法。 - 特許庁 - The nanoimprint method for forming a pattern on a substrate or a film provided on the substrate by using a mold includes steps of disposing a mold opposing to the substrate or the film provided on the substrate to leave a gap between the substrate or the film provided on the substrate and the mold, and applying a voltage between the mold and the substrate or the film provided on the substrate.
基体又は基体に設けられた膜に、型を用いてパターンを形成するナノインプリント方法は、基体又は基体に設けられた膜と型との間に間隙を設けるように基体又は基体に設けられた膜に型を対向させ、且つ、基体又は基体に設けられた膜と型との間に電圧を印加することを含む。 - 特許庁 - The objective magnetic recording medium has a magnetized pattern formed by the method and the objective magnetic recorder uses the magnetic recording medium.
基板上に少なくとも１層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体の磁化パターン形成方法であって、該磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、該磁性薄膜に外部磁界を印可する工程とを含む磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、及びそれにより磁化パターンを形成した磁気記録媒体並びにそれを用いた磁気記録装置。 - 特許庁 - In a transistor comprising a gate electrode 11, a gate insulating film 2, a source electrode 17, a drain electrode 16 and the organic semiconductor layer 3 formed on a substrate, the sealing layer 4 is included on the semiconductor layer, and a printing method is used for its formation to form a stripe shape, by which a pattern is simply formed, and high alignment accuracy is obtained together with the high yield.
基板上に形成されたゲート電極１１、ゲート絶縁膜２、ソース電極１７、ドレイン電極１６および有機半導体層３を含んでなるトランジスタにおいて、半導体層上に封止層４を有し、その形成に印刷法を用い、ストライプ状にすることで、簡易にパターンを形成でき、歩留まりよく、高いアライメント精度が得られる。 - 特許庁 - The film pattern forming method comprises a FAS treating process S8 of forming a self-organizing film of fluoroalkylsilane on the board, a liquid-repellency reducing process S10 of reducing the liquid repellency of the board that has been subjected to the FAS treating process, and a droplet discharge process S11 of discharging droplets on the board subjected to the liquid-repellency reducing process.
本発明の膜パターンの形成方法は、基板上にフルオロアルキルシランからなる自己組織化膜を形成するＦＡＳ処理工程Ｓ８と、ＦＡＳ処理が施された基板の撥液性を低下する撥液性低下処理工程Ｓ１０と、撥液性低下処理が施された基板上に液滴を吐出する液滴吐出工程Ｓ１１とを有する。 - 特許庁 - To provide a container for transferring a substrate and a method for controlling a driving which are characterized by that a driving pattern is changed so that an environment formed in a container for transferring the substrate having a particle removing means, a gaseous-impurity removing means, and a dehumidifying means are made in the optimum conditions to the substrate in each process in order to automate a transfer and a control.
搬送と管理の自動化を前提として、粒子除去手段とガス状不純物除去手段と除湿手段を備えた基板搬送容器内で構築される環境を、各プロセスにおける基板に最適な条件になるように運転パターンを変化させることを特徴とした基板搬送容器、およびその運転制御方法を提供する。 - 特許庁 - This manufacturing method for the member pattern plurality having a first strip member 26 patterned on a substrate 21 and a second strip member 24 patterned so as to spread from the first strip member 26 to the substrate 21 comprises a process forming the first strip member 26 by a printing method; and a process forming the second strip member 24 by exposure and developing using a photosensitive material.
基板２１上に、パターニングされた第一の帯状部材２６と、当該第一の帯状部材２６上から当該基板２１上に跨ってパターニングされた第二の帯状部材２４の複数とを備える部材パターンの製造方法であって、前記第一の帯状部材２６を、印刷法にて形成する工程と、前記第二の帯状部材２４を、感光性材料を用いた、露光と現像とを伴うプロセスにて形成する工程と、を有することを特徴とする部材パターンの製造方法。 - 特許庁 - The method for forming the resist pattern further has a process for bridging sections brought into contact with the resist layers in the resin composition by supplying the acid from the resist layers and forming bridging layers coating the resist layers and a process for removing sections excepting the bridging layers in the resin composition and obtaining the resist pattern with the resist layers and the bridging layers coating the resist layers.
基板１の一面上に形成され、かつパターン化され、かつ酸を供給可能なレジスト層４においてその表面４ａを、フルオロカーボン１６を含むガス雰囲気下でプラズマ処理する工程と、プラズマ処理されたレジスト層の表面に酸の存在下で架橋する樹脂組成物を付着させる工程と、レジスト層からの酸の供給により、樹脂組成物のうちレジスト層に接する部分を架橋させ、レジスト層を被覆する架橋層を形成する工程と、樹脂組成物のうち架橋層以外の部分を除去し、レジスト層とこれを被覆する架橋層とを有するレジストパターンを得る工程とを備えるレジストパターンの形成方法。 - 特許庁 - In a semiconductor growing method, where a nitride III-V compound semiconductor such as a GaN semiconductor is formed on a substrate, such as a sapphire substrate formed of a material different from that of the compound semiconductor using a growing mask, a growing mask 4 which contains at least a pattern that is threefold or sixfold symmetrical is used as the growing mask.
成長マスクを用いてＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をこの半導体と異なる材料からなる基板、例えばサファイア基板上に選択成長させるようにした半導体の成長方法において、成長マスクとして、３回対称または６回対称の対称性を有するパターンを少なくとも一部に含む成長マスク４を用いる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device has a protective film forming step of forming the protective film on a plurality of first resist patterns formed on a substrate, forming a second resist pattern on this protective film between the plurality of first resist patterns, and forming the protective film by dividing into at least two layers by using the different methods, respectively.
半導体デバイスの製造方法は、基板上に形成された複数の第１のレジストパターンの上に保護膜を形成し、この保護膜の上であって複数の第１のレジストパターンの間に第２のレジストパターンが形成され、夫々異なる方法を用いて少なくとも２層に分けて保護膜を形成する保護膜形成工程を有する半導体デバイスの製造方法を有する。 - 特許庁 - To provide a game machine, a screen image display method for the game machine, a memory medium, and a server capable of clearly displaying a pattern or information, even in displaying general information sufficiently utilizing an enlarged liquid display panel, and making a player enjoy the game without feelings of monotony or tiresomeness.
通常画面が表示されている際においても、識別情報である図柄と演出画面とを明確に表示することができるとともに、大型化した液晶ディスプレイパネルを十分に活用することができ、遊技者が単調感や飽きを感ずることなく遊技を楽しむことができる遊技機、遊技機の画像画面表示方法、記憶媒体及びサーバを提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the organic electroluminescence element includes a stage for providing a substrate on which pixel electrodes are formed, a stage for laminating a donor substrate on the whole surface of the substrate, and a stage for scanning a laser beam on a predetermined area of the donor substrate by using the laser irradiation apparatus to form the organic film layer pattern.
本発明に係る有機電界発光素子の製造方法は、画素電極が形成された基板を提供する段階と、前記基板全面にドナー基板をラミネーションする段階と、前記レーザー照射装置を用いて前記ドナー基板の所定領域にレーザービームをスキャンして前記基板上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an image reading apparatus which can start (activate) the reading performance of a picture pattern appropriately according to the contact condition of a detected substance, by applying a contact detecting device and offering the contact detecting device which can detect the contact condition, and to provide its detection method when the detected substance laid and contacted on a detected surface on a photo sensor array.
フォトセンサアレイ上の検知面に被検出体が載置、接触された場合に、その接触状態を良好に検出することができる接触検知装置及びその検知方法を提供するとともに、該接触検知装置を適用して、被検出体の接触状態に応じて適切に画像パターンの読取動作を開始（起動）することができる画像読取装置を提供する。 - 特許庁 - The resist pattern forming method includes: at least a resist film forming step of forming a resist film by applying and heating the resist composition on a surface to be processed; an irradiation step of selectively irradiating the resist film with ionizing radiation; a heating step of hating the resist film irradiated with the ionizing radiation; and a development step of developing the resist film.
本発明のレジストパターンの形成方法は、被加工面上に、本発明の前記レジスト組成物を塗布し加熱してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に対して、電離放射線を選択的に照射する電離放射線照射工程と、電離放射線が照射された該レジスト膜を加熱する加熱工程と、現像する現像工程とを少なくとも含む。 - 特許庁 - An adhesive cell 13 selectively adhesively cultivated on the surface of a cell adhesive film pattern 12 on a substrate 11 is exposed to a cultivation solution dissolving a chemical substance to be tested for cytotoxicity, the camp concentration change within the adhesive cell is then measured for every cell by use of nondestructive method, and the toxicity of the chemical substance to be tested for cytotoxicity is quantitatively determined on the basis of the result.
基板１１上の細胞接着性膜パターン１２表面上に選択的に接着培養し接着性細胞１３を、被毒性試験化学物質を溶解した培養液中に一定時間暴露した後、その接着性細胞内のcAMP濃度変化を細胞毎に非破壊的手法を用いて計測し、その結果に基づき、被毒性試験化学物質の毒性を定量する。 - 特許庁 - This alkali-soluble conductive paste composition contains (A) an alkaline-soluble polymer binder, (B) a conductive metal powder, and (C) an organic acid, and this is suitably used for the method of construction in which a layer of the alkali-soluble conductive paste composition formed on the substrate is patternized via the pattern of the conductive paste which is insoluble in an alkaline aqueous solution provided on the upper layer.
本発明のアルカリ可溶性導電性ペースト組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性高分子バインダー、（Ｂ）導電性金属粉、および（Ｃ）有機酸を含むことを特徴とし、基材上に形成したアルカリ可溶性導電性ペースト組成物の層が、その上層に設けたアルカリ水溶液に不溶な導電性ペーストのパターンを介してパターン化される工法に好適に用いられる。 - 特許庁 - The method for manufacturing the flat panel display device includes an interlayer insulating film forming step of subjecting the regions formed with conductor layers to the pattern exposure with the exposure energy by which only the surface layer portions are cured in part of these regions and the whole in the thickness direction is cured in another part and a conductor layer forming step of forming the conductor layers by liquid material on the surfaces of the interlayer insulating films.
平面表示装置の製造方法は、導電体層形成領域を、その一部では表層部分のみが硬化され、他の一部では厚み方向の全部が硬化される露光量でパターン露光する処理を含む層間絶縁膜形成工程と、層間絶縁膜の表面に液体材料により導電体層を形成する導電体層形成工程を含む。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of dispersion between developing pattern size near one end of a substrate and that near the other end due to a time difference in the feed of a developer in a developing method using a developing device for scanning a semiconductor substrate having an exposed photosensitive resin film with a rod-like developer discharge nozzle having a size corresponding to the diameter of the semiconductor substrate, in the still state of the substrate.
露光された感光性樹脂膜を有する半導体基板を静止した状態で、この基板の直径に対応した大きさを有する棒状現像液吐出ノズルを走査させるようにした現像装置を用いる現像方法において、基板の一端付近と他端付近の現像パターン寸法が現像液供給の時間差でばらつくのを防止する。 - 特許庁 - To provide an underlayer film forming material, the film functions as an underlayer film for a silicon-containing two-layer resist process or as a superior antireflection film, is adaptable to all wavelengths of 248 nm, 193 nm and 157 nm, has optimum n value and k value as compared with polyhydroxystyrene, cresol novolac, naphthol novolac, etc., and is excellent in etching resistance during substrate working, and to provide a pattern forming method.
珪素含有２層レジストプロセス用下層膜として、優れた反射防止膜として機能し、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍの全ての波長に対応し、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどよりも最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性が優れた下層膜形成材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the layered capacitor, recessed sections produced by an electrical insulating section are flattened by etching a dielectric layer by performing a step of forming a dielectric, a step of treating the surface of the dielectric, a step of forming a pattern on a metallic electrode, a step of forming the metallic electrode, and a step of treating the surface of the metallic electrode in the same vacuum tank.
同一真空槽内で、誘電体を形成する工程と、誘電体の表面を処理する工程と、金属電極にパターンを形成する工程と、金属電極を形成する工程と、金属電極表面を処理する工程を有し、誘電体層を蝕刻して電気絶縁部により生ずる凹部を平坦化することを特徴とする積層コンデンサの製造方法。 - 特許庁 - The method of manufacturing the mask blank comprises the steps of causing a resist agent coming from a liquid tank 20 storing a liquid resist agent 21 to the opening at the end of a nozzle 22 through the nozzle 22 to touch the coated surface of a substrate having a thin film on which a transfer pattern is formed, moving the substrate and the nozzle relatively, and thus forming a resist film on the coated surface.
転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤２１を収容した液槽２０からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁 - The invention relates to: a photosensitive composition containing a compound capable of generating a specific sulfonic acid upon irradiation with an actinic ray or a radiation; a compound capable of generating a specific sulfonic acid upon irradiation with an actinic ray or a radiation; and a pattern forming method using a photosensitive composition containing a compound capable of generating a specific sulfonic acid upon irradiation with an actinic ray or a radiation.
活性光線又は放射線の照射により特定のスルホン酸を発生する化合物を含有する感光性組成物、活性光線又は放射線の照射により特定のスルホン酸を発生する化合物及び活性光線又は放射線の照射により特定のスルホン酸を発生する化合物を含有する感光性組成物を用いたパターン形成方法。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid crystal component that can considerably shorten a cycle time of the whole laminating process while surely forming a resin layer in a desired form through resin application by applying optical resin in an optimal pattern for target resin layer formation in an extremely short time in forming a layer of the optical resin recently developed and announced.
最近開発され発表された光学樹脂の層を形成するに際し、この光学樹脂を極めて短時間で目標とする樹脂層形成のための最適なパターンにて塗布できるようにし、その樹脂塗布を介して確実に望ましい形態の樹脂層を形成するとともに貼り合わせ工程全体のタクトタイムを大幅に短縮できる液晶部品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To suppress a formation of void inside a semiconductor device to be obtained and enhance its reliability even in the case where a misregistration occurs between a resist pattern for forming a damascene wiring layer and a wiring layer when, especially, the damascene wiring layer formed by using a damascene method is electrically connected to other wiring layers to form the semiconductor device having the wiring layer of a multilayer structure.
特にダマシン法を用いて形成するダマシン配線層を他の配線層と電気的に接続して多層構造の配線層を有する半導体装置を形成するに際し、ダマシン配線層を形成するためのレジストパターンと前記配線層との位置ずれが生じた場合においても、得られる半導体装置内でのボイドの形成を抑制し、その信頼性を向上させる。 - 特許庁 - In the post processing method of the resist pattern, a coating film is formed on a substrate having a patterned resist film by using a coating forming agent containing a water-soluble resin, the coating film and the patterned resist film are heated, the coating film is brought into contact with water vapor to expand the coating film, and the coating film is removed.
本発明に係るレジストパターンの後処理方法では、パターン形成されたレジスト膜を有する基板上に、水溶性樹脂を含有する被覆形成剤を用いて被膜を形成した後、上記被膜及びパターン形成された上記レジスト膜を加熱すると共に、上記被膜に水蒸気を接触させることにより被膜を膨張させ、次いで上記被膜を除去する。 - 特許庁 - The method of manufacturing image sensor includes a step of forming a photo sensitive film for forming a microlens on a color filter, a step of forming a pattern having a predetermined depth from upper plane by exposing the photosensitive film, a step of forming a backup microlens by heat treating the photosensitive film, and a step of forming a microlens by etching the backup microlens.
実施例に係るイメージセンサの製造方法は、カラーフィルタ層の上にマイクロレンズ形成のための感光膜を形成するステップと、前記感光膜に露光を行って、上部面から所定深さを有するパターンを形成するステップと、前記感光膜に熱処理を行って、予備マイクロレンズを形成するステップと、前記予備マイクロレンズにエッチングを行って、マイクロレンズを形成するステップとを備える。 - 特許庁 - The pattern forming method comprises a step of bonding a compound, to a substrate, having both a polymerization initiating moiety capable of undergoing photocleavage to initiate radical polymerization and a substrate bonding moiety, and a step of contacting a radical-polymerizable unsaturated compound with the substrate and exposing light thereto patternwise, so as to form a region where a graft polymer is generated and a region where a graft polymer is not generated.
光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を基材に結合させる工程と、該基材上にラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させて、パターン状に露光して、グラフトポリマー生成領域と非生成領域とを形成する工程と、をこの順に行うことを特徴とするパターン形成方法である。 - 特許庁 - A method for manufacturing the reflection type LCD is characterized in that a stage for forming one color layer 11 over nearly entire surface of a display region on a substrate 6, a stage for forming a reflection layer 12 over nearly entire surface of the one color layer 11 and a stage for exposing a pattern of the one color layer 11 through the reflection layer 12 left by partially removing the reflection layer 12.
基体６上の表示領域のほぼ全面に一つの色層１１を形成する工程と、その一つの色層１１上のほぼ全面に反射層１２を形成する工程と、その反射層１２を部分的に除去することにより残った反射層１２を通して前記一つの色層１１のパターンを露呈する工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - This pattern defect correcting method includes an application step to apply a base part 31 to the defective part 32 of a rib 83 formed on a substrate, a step to reshape the applied base part 31, a step to bake the shaped base part 31, a step to further apply correcting paste on the baked base part 31, and a step to bake the applied correcting paste.
パターン欠陥修正方法は、基板上に形成されたリブ８３の欠損部３２にベース部３１を塗布する塗布ステップと、塗布されたベース部３１を整形するステップと、整形されたベース部３１を焼成するステップと、焼成されたベース部３１の上に、さらに修正ペーストを塗布するステップと、さらに塗布された修正ペーストを焼成するステップとを含む。 - 特許庁 - The manufacturing method of a plasma display panel and the green sheet include a step exposing a first green sheet containing a cover film using a first mask on which a black matrix pattern is formed, a black matrix dry film and a base film, a step removing the cover film and laminating the first green sheet on a substrate, and a step removing the base film and forming a black matrix on the substrate.
本発明は、ブラックマトリックスパターンが形成された第１マスクを利用してカバーフィルム、ブラックマトリックスドライフィルム及びベースフィルムを含む第１グリーンシートを露光するステップと、前記カバーフィルムを除去して基板上に前記第１グリーンシートをラミネーティングするステップと、前記ベースフィルムを除去して前記基板上にブラックマトリックスを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.
基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive composition excellent in electrical properties and transparency, capable of efficiently forming a pattern of smooth shape, and excellent in heat-resistant shape retentivity, heat-resistant transparency and solvent resistance of a formed resin film, and to provide a laminate obtained by forming a resin film using the radiation sensitive composition on a substrate and a method for manufacturing the laminate.
電気特性や透明性に優れ、且つ効率よくなだらかな形状のパターン形成が可能で、しかも形成される樹脂膜の耐熱形状保持性、耐熱透明性及び耐溶剤性に優れた感放射線組成物、この感放射線組成物を用いてなる樹脂膜を基板上に形成した積層体、及びこの積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This method for forming the texture pattern in the woven fabric uses adhesive fibers exhibiting an adhesive function by the application of heat as warps or wefts, manually or mechanically destroying the texture comprising warps and wefts and then thermally adhering and fixing the destroyed texture state by the adhesive function of the adhesive fibers.
熱を加えることによって接着機能を発揮する接着糸を経糸若しくは緯糸に用いた構成とし、手動若しくは機械によって力を加えて経糸と緯糸との織目を崩し、熱を加えることで前記接着糸による接着機能によってこの崩した織目状態を接着固定することを特徴とする織物における織目柄形成方法。 - 特許庁 - In the drawing method of a wiring pattern on the substrate by dropping a solution including an electric conductive component; an oxygen element is included in the substrate on the front surface, the substrate with a critical surface tension smaller than 25 dyn/cm in 25°C of the front surface is used, and the solution with the larger surface tension force than the above critical surface tension is used for the solution.
導電成分を含む溶液を滴下することによって基板上に配線パターンを描画形成する方法において、基板に酸素元素を表面に含み、その表面の２５℃における臨界表面張力が２５ｄｙｎ／ｃｍより小さい基板を用い、溶液にその表面張力が上記臨界表面張力より大きい溶液を用いる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the mask blank comprises the steps of causing a resist agent coming from a liquid tank storing a liquid resist agent to the opening at the end of a nozzle 22 through the nozzle 22 to touch the coated surface of a substrate having a thin film on which a transfer pattern is formed, moving the substrate and the nozzle relatively, and thus forming a resist film on the coated surface.
転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁 - In the method for dry etching which by using the metallic film of a high melting point formed through an oxide film on the surface of a substrate 14 arranged in a chamber by introducing reactant gas in the chamber 15 and energizing the reactant gas to generate plasma to generate active species and ions with a regist pattern as a mask, an induction coupled plasma(ICP) is used as a plasma source.
チャンバー１５内に反応性ガスを導入し、その反応性ガスを励起してプラズマを発生させることにより活性種およびイオンを生成し、チャンバー内に配置した基板１４の表面に酸化膜を介して形成された高融点金属薄膜を、レジストパターンをマスクとして用いてドライエッチングする方法において、プラズマ源として、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を用いる。 - 特許庁 - To provide a film forming method and a film forming device which form a uniform film in a region to which photo lithography process is applied for the purpose of forming a propagation path or an electrode pattern, etc. of resist films, a sensitive film, etc. on a surface of spherical material to be coated in manufacturing process of a spherical surface acoustic wave element.
球状弾性表面波素子の製造過程において、被塗布物である球状基材の表面にレジスト、感応膜等の被膜を伝搬路又は電極パターンを形成すること等を目的としたフォトリソグラフィープロセスの適用される領域に均一な被膜を形成するための被膜形成方法及び被膜形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide the composition of an antireflection film material for a photoresist which enables the formation of an antireflection film having high absorbance with respect to light of wavelengths used for exposure and the reduction in the adverse effect of standing waves caused by the reflection from a substrate, to improve the limit resolving power of the photo resist and to obtain a good resist profile and also to provide a resist pattern forming method using the composition.
露光に用いられる波長の光に対して吸光度が高い反射防止膜が形成され、基板からの反射により発生する定在波の悪影響を低減することができ、その結果、フォトレジストの限界解像力が向上し、良好なレジストプロファイルが得られるフォトレジスト用反射防止膜材料組成物及びそれを用いたレジストパターン形成法を提供すること。 - 特許庁 - The method includes: a step where an anodically oxidized coating is formed to light metal or an alloy thereof; a step where it is dipped into an aqueous solution containing at least one or more water soluble compounds selected from the group consisting of a water soluble zirconium compound, a water soluble vanadium compound and a water soluble titanium compound; and further; a step where a design pattern is printed or transferred thereto.
軽金属又はそれらの合金に対して陽極酸化皮膜を形成する工程と、その後に、それぞれ水溶性のジルコニウム化合物、バナジウム化合物、チタン化合物の郡から選ばれた少なくとも１つ以上の水溶性化合物を含有する水溶液に浸漬する工程の後に、さらに、意匠模様を印刷又は転写する工程を含むことを特徴とする - 特許庁 - To provide a method for producing a rolled food having a spiral pattern such as a cinnamon roll while preventing the escape of a filling material such as cinnamon sugar from the rolled food and suppressing the unrolling of the rolled food caused by the peel of the spiral joint part in the case of eating the rolled food subjected to heat-treatment such as baking.
シナモンロールのような渦巻き模様を呈する巻き上げ食品を製造する際に、シナモンシュガーのようなフィリング材が巻き上げ食品から漏出することを防止可能とし、さらに、焼成等熱処理された巻き上げ食品を食する際に、渦状の合わせ部分からの剥がれによる巻き解けを抑制可能な巻き上げ食品の製造方法を提供するものである。 - 特許庁 - The method for forming the pattern on a dyed fabric is characterized by including water in the dyed fabric, then bringing the dyed fabric into contact with the ozone gas in a contact bath in the absence of fluid water, then decoloring only the surface layer of the dyed fabric, subsequently shaving off the surface layer of the decolored fabric and thereby exposing deep-color parts in the interior of the fabric.
染色布帛への模様柄形成方法であって、染色布帛に水分を含有させた後、流動水が存在しない接触槽内でオゾンガスと接触させて、前記染色布帛の表面層のみを脱色した後に、脱色された布帛の表面層を削り取ることによって布帛内部の濃色部分を露出させることを特徴とする模様柄形成方法である。 - 特許庁 - In a second method characterized by a second injection molding pattern, the first filling process to a first cavity group and the second filling process to a second cavity group are performed and all of the gates are closed after the completion of the first filling process while all of the gates are opened before the completion of the second filling process to perform the dwelling process of all of the cavities.
第２の射出成形パターンで特徴付けられる第２の方法は、第一のキャビティ群に対する第一回目の充填工程と第二のキャビティ群に対する第二回目の充填工程とを行うとともに、第一回目の充填工程の終了後に全ゲートを閉鎖し、第二回目の充填工程の終了前に全ゲートを開口させて全キャビティに対する保圧工程を行う。 - 特許庁 - The system and method includes a step 205 for counting function defective elements in at least one instance of a geometric pattern defined by the memory segment, a step 209 for declaring a fault state within the memory segment when the number of the counted function defective elements is equal at least to a fault threshold, and a step 214 for re-mapping the memory segment in response to the declared fault state.
メモリセグメントの定義された幾何学的パターンの少なくとも１つのインスタンスにおける機能不良素子をカウントするステップ２０５と、カウントされた機能不良素子の数が、故障閾値と少なくとも等しい場合、メモリセグメント内の故障状態を宣言するステップ２０９と、宣言された故障状態に応答して、メモリセグメントを再マッピングするステップ２１４と、を含む。 - 特許庁 - The method comprises the steps of (1) sticking the sheet-like thermosetting resin composition on the pattern surface of a wafer having bumps, (2) pressurizing the wafer by compressing a gas in a pressure-proof vessel at a temperature not lower than the softening point of the thermosetting resin composition, (3) cutting the wafer into chips, and (4) mounting the chip on a wiring circuit board.
（１）バンプを有するウエハのパターン面にシート状熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる工程、（２）耐圧容器内で、該熱硬化性樹脂組成物の軟化点以上の温度で、気体圧縮による加圧を該ウエハに行う工程、（３）該ウエハをチップに切断する工程、および（４）該チップを配線回路基板に搭載する工程を含む、半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - A manufacturing method for the circuit board is characterized in that a reinforcing plate is stuck on one metal layer formation surface through a peelable organic body layer after the metal layer of ≥5 μm in thickness is formed on at least one surface of the flexible film, and the flexible film is peeled off the reinforcing plate after a circuit pattern is formed on the surface where the reinforcing plate is not stuck.
可撓性フィルムの少なくとも一方の面に厚さ５μｍ以上の金属層を形成した後、該金属層形成面側の一表面に補強板を剥離可能な有機物層を介して貼り合わせ、次いで補強板が貼り合わされていない面に回路パターンを形成してから、該可撓性フィルムを該補強板から剥離することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 特許庁 - The surface unevenness formation method comprises: the step of forming an energy-sensitive negative type resin composition containing at lest one or more kinds of polymerizable monomer or oligomer; the step of emitting 0.005 to 1.0J/cm^2 of active energy rays at least one or more times via a mask formed in a pattern; and the step of subjecting to post-heating without an etching operation.
少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上０．００５〜１．０Ｊ／ｃｍ^２照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁 - A pattern forming method comprises the steps of: (a) forming a film from an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition containing a compound(A) that generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation and is decomposed by an action of an acid to reduce solubility in an organic solvent; (b) exposing the film; and (c) developing using a developer containing an organic solvent.
（ア）活性光線又は放射線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する化合物（Ａ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程 を含む、パターン形成方法。 - 特許庁
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