「pattern width」を含む例文一覧(1835)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 次へ＞- To provide an external wall plate fixture which can match a pattern appearing on a front surface of a joint or the like of an external wall plate with a column core to enhance the design value, is positively and easily mounted on a column having a different width, and contributes to uniform arrangement of an external wall finished surface.
外壁板の目地等の表面に現れる模様を柱芯に合わせて意匠性を高め、どのような幅の柱にも確実かつ容易に取り付けることを可能とし、外壁の仕上がり面を均一に揃えることを可能とする。 - 特許庁 - A delay time calculation error between the timing design process 103 and the timing validation process 104 is calculated, and a minimum wiring width specified in a design rule is added, with a wide part containing the delay time calculation error, to generate a wiring pattern.
タイミング設計工程１０３およびタイミング検証工程１０４間の遅延時間計算誤差を算出し、設計ルールで規定された最小配線幅に、前記遅延時間計算誤差を包含する幅広部分を加えた配線パターンを作成する。 - 特許庁 - For this apparatus, the surface of the substrate can be tested by comparing an image image formed by the secondary electron beam with the picture image stored beforehand, or by testing the pattern line width of the patterns on the surface of the substrate, based on the secondary electron beam.
この装置では、２次電子線に基づき形成される画像を予め記憶した画像と比較したり、基板表面のパターンのパターン線幅を２次電子線に基づき検査することにより、基板表面の検査をすることができる。 - 特許庁 - To provide a colored curable composition for a color filter capable of maintaining line width sensitivity and discrimination (alkali dissolution rate difference) between an exposure part and an un-exposure part and forming a fine pattern having high rectangularity in a pigment concentration heightened composition.
顔料濃度を高めた組成において、線幅感度と露光部及び未露光部間のディスクリミネーション（アルカリ溶解速度差）を保ち、微細で矩形性の高いパターンを形成することができるカラーフィルタ用着色硬化性組成物を提供する。 - 特許庁 - The packing configuration selection unit 5 refers to the packing configuration pattern of the packing configuration database 6 according to the maximum depth and width and the stacking height of the articles to be packed, and selects the optimum packing box which is not too large or not too small.
また、梱包形態選定部５は、上記梱包すべき物品の最大縦横寸法および高さ重ね高さに従って、梱包形態データベース６の梱包形態パターンを参照し、大きすぎず、かつ小さすぎない最適な梱包箱を選定する。 - 特許庁 - The sector mold is split into a plurality of the sectional parts along a dividing line extending in a tire width direction, traversing a plurality of recessed parts surrounded by projecting strips formed in a mold face in order to form the tread pattern of an outer peripheral face of a tire.
タイヤ外周面のトレッドパターンを形成するために金型面に形成された凸条によって囲まれた複数の凹部を横切るようにタイヤ幅方向に延在する分割線に沿ってセクター金型を複数の分割金型に分割する。 - 特許庁 - The width of the particular part (A) of a strip conductor of the wiring circuit board for mounting is reduced, wherein the strip conductor 2 is exposed to form a stripe pattern in such a way that the conductor is individually connected to the electrode E of the electronic component.
電子部品の電極Ｅに対し個別に導体を接続し得るように、帯状導体２がストライプパターンをなすよう露出して形成された実装用の配線回路基板の該帯状導体に対して、特定部分（Ａ）の幅を狭くする。 - 特許庁 - At etching with the spiral coil 14, a dummy wiring pattern 16 having the same pitch width as an inner circumference is provided outside an outermost circumference 14a of the spiral coil 14, so that the thickness of a coil line at the outer circumference of the spiral coil 14 is prevented from decreasing.
渦巻きコイル１４のエッチングに際して、渦巻きコイル１４の最外周部１４ａの更に外側に、内周と同じピッチ幅のダミーの配線パターン１６を設け、渦巻きコイル１４の外周のコイル線幅の減小を防止する。 - 特許庁 - Because of this, the amount of protrusion backward from the pattern display device 32 is suppressed since the width in the front and rear direction of a display stand frame 30 is small compared with the case where the upper stage 48 and the lower stage 63 are arranged shifting to the front and rear direction.
このため、表示台枠３０の前後方向の幅寸法が上ステージ４８および下ステージ６３を前後方向にずらして配置する場合に比べて小さくなるので、図柄表示器３２の後方への突出量が抑えられる。 - 特許庁 - Therefore, when a length (d) of the valid region 24 held between both the terminal parts is 0.4 μm, width(w) is 0.6 μm, the fuse element can be made smaller than L/S=1.2 μm/0.8 μm of a minimum pattern rule specified in patterning ability.
このため、両端部に挟まれた実効領域２４の長さｄを０．４μｍとし、その幅ｗを０．６μｍとして、パターニング実力に規定された最小パターンルールのＬ／Ｓ＝１．２μｍ／０．８μｍより小さくすることが可能になる。 - 特許庁 - A magnetic layer 32 is formed with a thickness Mt satisfying Mt/L<1.8 on the surface of the top surface 37a of the projecting part 37 on the surface of the substrate 31 having the rugged pattern 36 of a width L in the track direction of the top surface 37a of the projecting part 37.
凸部３７上面３７ａのトラック方向幅がＬである凹凸パターン３６を表面に有する基板３１の表面に、凸部３７の上面３７ａにおいて、Ｍｔ／Ｌ＜１．８を満たす厚みＭｔで磁性層３２を形成する。 - 特許庁 - To provide a multi-scanning type exposure device capable of carrying out satisfactory projection exposure using a plurality of projection optical units while suppressing difference in the line width of a pattern image formed in a superposed exposure region via two projection optical units adjacent to each other.
互いに隣接する２つの投影光学ユニットを介して重複露光領域に形成されるパターン像の線幅差を小さく抑え、複数の投影光学ユニットを用いて良好な投影露光を行うことのできるマルチ走査型の露光装置。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified positive resist applicable to both a process using an antireflection film and a process not using the film, excellent in resist pattern shape, sensitivity, focal depth-width quality and post-exposure temporal stability and having no substrate dependence.
反射防止膜を用いたプロセス及び用いないプロセスのいずれにも適用することができ、レジストパターン形状、感度、焦点深度幅特性及び引き置き経時安定性に優れ、かつ基板依存性のない化学増幅型ポジ型レジストを提供する。 - 特許庁 - Specific length and width are given to the hairline arrangement position where it is decided that the hairline is arranged and within the range of the given length, a specific number of control points are set to generate a coordinate array of the control points, thereby generating data on the hairline pattern.
そして、ヘアラインを配置すると判定したヘアライン配置位置に所定の長さ、幅を与え、その与えられた長さの範囲内に所定の個数の制御点をとって制御点の座標列を作成することによってヘアラインパターンのデータを作成する。 - 特許庁 - The ratio of the isolated hole shape width to the thickness of the photoresist layer is set so that the resist does not remain at the bottom of the main trench after development, but will remain at the bottom of the additional hole pattern (additional trench) made by the additional hole shapes 21.
フォトレジスト層の厚さに対する孤立穴形状幅の比は、現像後において、主トレンチの底部にレジストが残らず、かつ、付加穴形状２１によって出来る付加穴パターン（付加トレンチ）の底部にレジストが残ることとなるようにする。 - 特許庁 - To provide a continuous annealing facility with which the development of stretcher strain and wrinkle pattern in a baking-hardened steel sheet can be prevented by eliminating uneven temperature in the width direction of a steel strip in a rapid cooling zone outlet side having a gas-jet cooling facility.
ガスジェット冷却設備を有する急冷帯出側における鋼帯幅方向の温度むらを解消し、焼付け硬化性鋼板のストレッチャーストレインやしわ模様の発生を防止することができる連続焼鈍設備を提供する。 - 特許庁 - Thus, stress from squeeze of a seal plate is mitigated, the physical torsion of a mesh constituting the seal plate is reduced as much as possible and the dispersion of the printing accuracy, especially the line width, of the main seal pattern 2 inside the liquid crystal panel is suppressed to be extremely small.
これにより、シール版のスキージからの応力を緩和でき、シール版を構成するメッシュの物理的なねじれが極力少なくなり、液晶パネル内の本シールパターン２の印刷精度、特に線幅のばらつきが非常に小さく抑えられる。 - 特許庁 - The set temperature of a heater 62 being built in a heating plate 61 is adjusted from the correlation between the previously found step and the final line width of a pattern consisting of a coating film on the substrate in after continuous treatments on the substrate so that the step is confined within the prescribed extent.
予め求められている前記段差と一連の基板処理後の最終線幅との相関関係から，前記段差が所定の範囲内に納まるように，熱板６１に内蔵されているヒータ６２の設定温度を調節する。 - 特許庁 - The non-conductive pattern part 15 is linked to the non-conductive area on the upper edge face with a central WC of the dielectric block 2 as a center with respect to the resonator arraying direction with width which is at most 1/2 times as long as a dielectric block dimension W.
非導電パターン部１５は共振器配列方向に関して誘電体ブロック２の中央ＷＣを中心とし幅が誘電体ブロック寸法Ｗの１／２倍の範囲内で上端面非導電領域に連なっている。 - 特許庁 - Consequently, the resist pattern width for upper magnetic core plating can be made narrow irrelevantly to the waving of an insulating resin layer due to the thin-film coil and the composition at the time of the plating can be made uniform, so that the thin-film magnetic head having stable magnetic characteristics can be obtained.
このことによって、薄膜コイルによる絶縁樹脂層のうねりにもかかわらず、上部磁気コアメッキ用レジストパターン幅を狭く作ることができて、メッキ時の組成の均一化が図られ、磁気特性の安定した薄膜磁気ヘッドが得られた。 - 特許庁 - Since the surface energy of the base film is smaller than that of the object to be printed with a printed matter, the printed matter is less pulled outwards and the width of a line part of even a fine pattern can be maintained, preventing the generation of bleeding.
このため、印刷用下地膜の表面エネルギが被印刷物の表面エネルギに比べて小さいため、印刷物が外側に引っ張られる量も小さくなり、ファインパターンであってもライン部分の幅を保持して滲みの発生を抑制することができる。 - 特許庁 - A space part 29 which is a space having an area of the square of the width of the inspection part 27 is provided as a reverse flow prevention structure from the waste liquid storage part 31 to the inspection part 27, downstream of the inspection part 27 of an inspection pattern constitution part 20 of the inspection object acceptor.
検査対象受体の検査パターン構成部２０の検査部２７の下流側に廃液溜部３１から検査部２７への逆流防止構造として、検査部２７の幅の２乗の面積以上の空間である空間部２９を設ける。 - 特許庁 - A manufacturing method of semiconductor device comprises a process of forming the transfer pattern including a line in which width or angle varies by performing multiplex exposure using a plurality of masks including patterns 1A, 1B on a different mask substrate.
半導体装置の製造方法を、異なるマスク基板上に異なるパターン１Ａ，１Ｂを有する複数のマスクを用いて多重露光を行なって、幅又は角度が変化するラインを含む転写パターンを形成する工程を含むものとする。 - 特許庁 - A random code generated by a code data transmission part 11, a clock frequency of a fixed pattern signal, a sweep time, and a sweep width are variably controlled to optional values set by a setting processing part 17 through a synthesizer 12 and a frequency sweep part 16.
符号データ送信部１１で生成されるランダム符号、固定パターン信号のクロック周波数、掃引時間及び掃引幅をシンセサイザ１２及び周波数掃引部１６を通じて設定処理部１７で設定された任意の値に可変制御する。 - 特許庁 - When a large area pattern is disposed around the subfield SF, the magnification of the lens of an optical system is changed, the width of the illumination beam is narrowed to reduce the dose level of the outer periphery SF2 of the subfield SF lowered than the central part SF1 (Fig. (C)).
サブフィールドＳＦの周囲に大面積パターンが配置されている場合には、光学系のレンズの倍率を変えて、照明ビームの幅を狭くすることにより、サブフィールドＳＦの外周部ＳＦ２のドーズレベルを中央部ＳＦ１より低くする（図１（Ｃ））。 - 特許庁 - Wiring 105 to be measured is placed at the center, and wiring width W, wiring interval S, wiring formation region X/Y, and data ratio D of wiring to be actually wired in the wiring formation region X×Y are variably changed so that the test pattern of wiring can be prepared.
被測定配線１０５を中心に置き、配線幅Ｗ、配線間隔Ｓ、配線の形成領域Ｘ、Ｙ、配線形成領域Ｘ×Ｙに実際に配線される配線のデータ率Ｄを種々変えた配線のテストパターンを作成する。 - 特許庁 - To provide a scanning exposure device and a scanning exposure method capable of blocking light for exposure by selectively using a light shield member to shield a region of minimum non-exposure width and efficiently shielding the entire pattern region of a mask.
遮光部材を選択的に用いて露光用光を遮光して、最小非露光幅の領域を遮光できるとともに、マスクのパターン領域全域を効率的に遮光することができるスキャン露光装置及びスキャン露光方法を提供する。 - 特許庁 - By regions 40, 50 where conductor pattern width is narrowed and an opening 60 formed in the conductor layer 603, lowering of the characteristic impedance of the output-side signal lines 403, 503 occurring when the semiconductor relay 1 is turned on is canceled, and the characteristic impedance is rationalized.
導体パターン幅を狭くした領域４０，５０と接地導体層６０３に設けた開口部６０により、半導体リレー１の導通時の出力側信号ライン４０３，５０３の特性インピーダンス低下を相殺して特性インピーダンスを適正化する。 - 特許庁 - In the photomask for near field exposure having a transparent base material and a light shielding body having an aperture constituting the mask pattern on the base material with the aperture width made equal to or smaller than the wavelength of the light source, the light shielding body is constituted to have a thickness to give a desired intensity of light directly under the aperture in consideration of the relationship with the width of the aperture in the light shielding body.
透明な母材と、該母材上にマスクパターンを構成する開口部の開口幅が光源波長以下に形成された遮光体を有する近接場光露光用のフォトマスクにおいて、前記遮光体は、その厚さが前記遮光体の開口部の開口幅との関係において該開口部直下で所望の光強度を与える厚さに構成する。 - 特許庁 - It becomes possible to form equal dimension of photoresist pattern by exposure and development after applying and forming the photoresist in forming a vial hole 110 in roughly equal condition in each of the wirings different in width dimension, and it becomes possible to form dual damascene wirings equal in contact resistance, by equalizing the dimensions of each via hole of each wiring difference in width dimension.
ヴィアホール１１０を形成する際のフォトレジストを、幅寸法の異なる配線のそれぞれにおいてほぼ均一な状態で塗布形成し、露光、現像により均一な寸法のフォトレジストパターンを形成することが可能になり、幅寸法の異なるそれぞれの配線の各ヴィアホールの寸法を均一化し、コンタクト抵抗が等しいデュアルダマシン配線を形成することが可能になる。 - 特許庁 - A conductor foil stuck on one surface of an insulating substrate having the device hole is pattern-processed by wet etching using an etchant to which an inhibitor is added to make the top width wider than the bottom width, and a bottom side is caused to stick into an electrode pad of the semiconductor chip, thereby achieving secure bonding to the electrode pad on an insulating substrate side in the device hole.
デバイスホールを有する絶縁性基板の片面に張り合わされた導体箔を、インヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングによってパターン加工することで、ボトム幅よりもトップ幅の方が広くなり、電極パッドに突き刺さるよう作用させ、デバイスホール内の絶縁性基板側で半導体チップの電極パッドに対して確実な接合を得ることができる。 - 特許庁 - An empty cell group 5 is composed of a plurality of empty cells 5a on a 1st insulating substrate 1 is provided peripherally with a plurality of electrostatic protection patterns 7, wherein each of the patterns 7 comprises an electrostatic conduction portion 8 of constant width (w) and an electrostatic discharge portion 9 where the electrostatic conduction portion 8 is decreased in width at an angle toward an adjacent electrostatic protection pattern.
第１の絶縁性基板１上における、複数の空セル５ａからなる空セル群５の周囲に複数の静電気保護パターン７を周設し、静電気保護パターン７は、一定の幅ｗをもった静電気導通部分８と、静電気導通部分８の幅を隣り合う静電気保護パターンに近づくにつれて角度をもたせて減少させた静電気放電部分９とからなる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing copper conductive films used for wiring of an image display device, for plating with a uniform plating height in a case where the maximum line width of a level difference structure is four times or more of the minimum line width thereof, and for easily forming a copper wiring pattern having less resistance variation between the level difference structures, without significantly deteriorating the productivity.
画像表示装置の配線等として用いられる銅導電膜を形成する際に、生産性を大きく低下させることなく、段差構造体の最大線幅が最小線幅に対して４倍以上である場合においても均一なめっき高さでめっきを行ない、段差構造体間での抵抗ばらつきの小さい銅配線パターンを容易に形成できるようにする。 - 特許庁 - A modulator complying with prescribed specifications comprises a plurality of pattern memory means for dividing pulse width into a plurality of patterns to store them, a multiplexer means which is controlled by a start- stop synchronization pattern generated logically and selectively synthesizes the output from the pattern memory means, and a counter means for counting a clock signal based on the synthesized output from the multiplexer means to output the modulated signal complying with the prescribed specifications.
所定の規格に準拠した変調器において、パルス幅のパターンを複数個に分けて記憶する複数個のパターンメモリ手段と、マイクロコンピュータ手段内で論理的に作成した調歩同期パターンにより制御され、前記パターンメモリ手段の出力を選択的に合成するマルチプレクサ手段と、このマルチプレクサ手段の合成出力に基づいてクロック信号をカウントして所定の規格に準拠した変調信号を出力するカウンタ手段とを具備する。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive composition for colored layer formation, which avoids the occurrence of residues and scumming in development even in a high colorant concentration, excels in adhesion to a substrate even under low exposure energy, can form pixels and a black matrix having a high-definition excellent pattern profile, and so excels in latitude in developing time, etc., as to obtain a desirable pattern line width.
高着色剤濃度であっても現像時に残渣や地汚れを生じることなく、かつ低露光量でも基板との密着性に優れ、高精細で優れたパターン形状を有する画素およびブラックマトリックスを形成でき、さらに所望のパターン線幅を得ることができる現像時間等の余裕度に優れた着色層形成用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive resin composition useful as an excellent chemical amplification type resist which prevents a change of the line width of a resist pattern and the formation of T shape due to the time elapsed from exposure until heating after exposure [post-exposure delay(PED)], is not affected by a stationary wave due to reflection from a substrate and can be applied even in a very small pattern size.
露光後の加熱処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）により、レジストパターンが線幅の変化を生じたりＴ型形状になったりすることがなく、且つ基板からの反射による定在波の影響も無く、超微細なパターンサイズにおいても適用可能となる優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the change in a width of a line of a connecting part of a transferred pattern and effectively connecting a plurality of divided patterns in the case of forming the pattern of the semiconductor device, by transferring to a resist coating the wafer by using an electron beam exposure device by forming a plurality of the divided patterns on the mask.
分割された複数のパターンをそれぞれのマスク上に形成し、ウエハ上に塗布したレジストに電子線露光装置を用いて転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、かつ、分割された複数のパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Productivity is thereby enhanced while saving the cost by skipping the photographic step in a process for producing a semiconductor package being used for driving an LCD, reliability of a product is improved by preventing occurrence of a defect in the process for forming the circuit pattern 110 of metallic material and a circuit pattern having a fine line width is produced more efficiently.
したがって、ＬＣＤ駆動用として使われる半導体パッケージの配線基板を製造する過程で写真工程を省略してコスト節減及び生産性の向上効果が得られ、金属材質の回路パターン１１０を作る過程で発生する欠陥を防止して製品の信頼性を改善し、微細線幅を有する回路パターンをさらに効率的に作られる。 - 特許庁 - By using a photomask or a reticle formed with an auxiliary pattern having a light intensity reduction function formed of a diffraction grating pattern or a translucent film, the width of a region with a small thickness of a gate electrode can be freely set, and the widths of two LDD regions capable of being formed in a self-aligned manner with the gate electrode as a mask can be different in accordance with the each circuit.
回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることによって、ゲート電極の膜厚の薄い領域の幅を自由に設定でき、そのゲート電極をマスクとして自己整合的に形成できる２つのＬＤＤ領域の幅を個々の回路に応じて異ならせることができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a color filter by which a pattern can be formed with high definition, particularly, a black image with extremely little variance in line width can be efficiently formed by forming a desired imaging pattern on an exposure face of a photosensitive layer while suppressing production of jaggy without decreasing an exposure speed.
光変調手段を傾斜させて描画を行う露光を行うカラーフィルタの製造方法において、露光速度を低下させることなく、感光層の被露光面上にジャギーの発生が抑制された所望の描画パターンを形成することにより、パターンを高精細に、特にブラック画像の線幅ばらつきを極めて少なく、かつ効率よく形成可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the imaging recipe generating apparatus for SEM observation of a semiconductor pattern using a scanning type electronic microscope, a CPU (CAD image generating unit) 1251 for generating a CAD image by conversion into the image on the basis of the CAD data is constituted with an image quantizing width determining processing unit 12511, a luminosity information assignment processing unit 12512, and a pattern shape conversion processing unit 12513.
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピ作成装置において、ＣＡＤデータを基に画像に変換してＣＡＤ画像を作成するＣＰＵ（ＣＡＤ画像作成部）１２５１を、画像量子化幅決定処理部１２５１１と明度情報付与処理部１２５１２とパターン形状変形処理部１２５１３とで構成する。 - 特許庁 - The target for ion plating used for forming the zinc oxide-based electroconductive film comprises a sintered compact mainly containing zinc oxide and has diffraction peaks by (100), (002) and (101) planes in X-ray diffraction pattern, wherein any of the diffraction peaks has a half-value width of ≤0.110°.
酸化亜鉛主体の焼結体からなり、Ｘ線回折パターンにおいて（１００）、（００２）、（１０１）面による回折ピークを有し、該回折ピークの何れかの半値幅が０．１１０度以下である酸化亜鉛系導電膜形成用のイオンプレーティング用ターゲットを開示する。 - 特許庁 - After the electrode 103 and the mark 104 are formed, the solder resist 124 is applied thereon, exposure and development are performed by using a matter formed so as to allow the solder resist 124 to remain at a predetermined width on each upper surface of the electrode 103 and the mark 104 for a master pattern.
電極１０３やマーク１０４を形成した後、ソルダーレジスト１２４を塗布し、マスクパターンに電極１０３及びマーク１０４の各上面周縁に所定の幅でソルダーレジスト１２４が残存するように形成されたものを用いて露光・現像する。 - 特許庁 - By combining CMP of high flatness in which patterning for making the area of an SiO_2 film uniform is unnecessary, and regulating the trench width and film thickness of an alignment pattern part for alignment of a semiconductor mask, the number of times of exposure processing is reduced to one.
ＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングが不要な高平坦性のＣＭＰと組み合わせることと、半導体マスクの位置合わせ用アライメントパターン部の溝幅と絶縁膜の膜厚を規定することで、露光工程の回数を１回に低減する。 - 特許庁 - To provide an exposure method capable of performing projection exposure with fidelity and high accuracy by satisfactorily suppressing variations of the line width of a pattern formed on a photosensitive substrate, for example, even if aberration of a projection optical system using an EUV light is not sufficiently suppressed.
たとえばＥＵＶ光を用いる投影光学系の収差が十分に抑えられていなくても、感光性基板上に形成されるパターンの線幅のばらつきを良好に抑えて、忠実で高精度な投影露光を行うことのできる露光方法。 - 特許庁 - To provide a treatment apparatus capable of making the distribution of the dissolution amount and the etching amount of copper foils in an entire substrate and in the front and rear face seven and suppressing unevenness of the width of a conductor of wiring patterns in the wiring pattern directions by solving the formation of a liquid pool in the center part of the substrate at the time of etching treatment.
エッチング処理時に基板中央部の液溜まりを解消し、基板全体及び表裏銅箔溶解量の分布とエッチング量の均一化と配線パターン方向による配線パターンの導体幅のバラツキを少なくする処理装置を提供する。 - 特許庁 - To improve the error detection rate of reception data without lowering transmission efficiency by converting the reception data to a code violation pattern of an optional bit length when the level abnormality of transmission signals or the pulse width abnormality or the code violation abnormality of the reception data is detected.
伝送信号のレベル異常や受信データのパルス幅異常、符号違反異常を検出したとき、その受信データを任意ビット長の符号違反パターンに変換して伝送効率を低下することなく受信データの誤り検出率を向上させる。 - 特許庁 - To provide a reliable wiring board preventing the occurrence of cracks, breakages and short-circuits and having a reliable conductor pattern with stability of a wire width, and to provide a ceramic molding suitable for manufacture of the wiring board.
クラック、断線、ショート等の発生が防止された、線幅の安定した信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を提供すること、また、前記配線基板の製造に好適に用いることのできるセラミックス成形体を提供すること。 - 特許庁 - To provide an exposure method and exposure apparatus, and a method of manufacturing a device and the device, where a pattern having a line width larger than a resolution limit is transferred in desired contrast to secure a desired resolution when a projection optical system clearing in midsection is used.
本発明は、中抜けのある投影光学系を使用した場合に、限界解像よりも大きな線幅のパターンを所望のコントラストで転写して所望の解像度を確保する露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイスを提供する。 - 特許庁 - A toner ejection pattern P, formed on a photoreceptor drum 14 when performing the refresh process, is obtained by repeating development of a line image L, which has a predetermined inclination to a main scan direction, at predetermined intervals over a width H of a development region of a developing roller 35.
リフレッシュ工程の実行時に感光体ドラム１４上に形成するトナー吐出パターンＰを、主走査方向に所定の傾きを有するライン画像Ｌを現像ローラ３５の現像領域の幅Ｈに亘って所定の間隔で繰り返し現像した構成とする。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
