「patterned line」を含む例文一覧(65)

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  • LINE PATTERNED PAPER CONTAINER
    万線パターン加飾が施された紙容器 - 特許庁
  • A new line using hemp and patterned sailcloth.
    本麻や柄帆布を使った、これまでにないライン。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Line width of the black layer 34 patterned during development is set narrower than the line width of the patterned silver layer 35.
    そして、現像時にパターン化された黒色層３４の線幅をパターン化された銀層３５の線幅よりも狭くする。 - 特許庁
  • The third patterned area 33 is bend in a direction of the cylindrical shape frame along a bending line existing at a connection section of the third patterned area 33 and the second patterned area 32 to form the blade.
    第三パターンエリア３３を第二パターンエリア３２との接続部分にある折れ線に沿って筒型枠の方向に折り曲げて、羽根を形成する。 - 特許庁
  • A scanning line X and a supply line Z are patterned, and a source 21s and a drain 21d of the transistor 21, and an electrode 24b of the capacitor 24 are patterned.
    走査線Ｘ、供給線Ｚをパターニングするとともに、トランジスタ２１のソース２１ｓ、ドレイン２１ｄ及びキャパシタ２４の電極２４ｂをパターニングする。 - 特許庁
  • The layers are patterned by dry etching by using chlorine gas to form a signal line 13.
    塩素系ガスを用いたドライエッチングにてパターニングして信号線13とする。 - 特許庁
  • Patterns such as a patterned cathode line, a gate electrode line, and a focusing electrode line are installed on a substrate so as to become mirror-image symmetric.
    基板上に、パターニングされたカソードライン、ゲート電極ライン及び収束電極ライン等のパターンを鏡像対称となるよう設ける。 - 特許庁
  • Accordingly, the nanocarbon material is patterned and arranged on the substrate in the form of a line along the three-dimensional structure line pattern.
    このため、３次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 - 特許庁
  • The line sections 3b, 4b, 5b, and 6b of another balum transformer TR2 are also patterned spirally.
    バラントランスＴＲ２の線路部３ｂ，４ｂ，５ｂ，６ｂも、渦巻状のパターン形状を有している。 - 特許庁
  • The line sections 3a, 4a, 5a, and 6a of a balum transformer TR1 are patterned spirally.
    バラントランスＴＲ１の線路部３ａ，４ａ，５ａ，６ａは渦巻状のパターン形状を有している。 - 特許庁
  • Firstly, a first metal is film-formed and a lower-part electrode 22 of the Vg line is patterned.
    まず、第１の金属を成膜し、Ｖｇ ｌｉｎｅの下部電極２２をパターニングする。 - 特許庁
  • The antireflection film is patterned by dry etching (b) (a broken line showing the proper patterning position).
    ドライエッチングで反射防止膜をパターニングする（ｂ）（破線は本来のパターン位置を示す）。 - 特許庁
  • After a member to be patterned is formed on a semiconductor substrate, the member to be patterned is patterned to form a plurality of line patterns in parallel, and dummy patterns are formed from the end of the line pattern in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the line pattern at predetermined intervals.
    半導体基板上に被パターニング部材を形成した後に、被パターニング部材をパターニングして、複数のライン状のパターンを並列に形成するとともにライン状のパターンの端部から所定間隔をもってライン状のパターンの長手方向と垂直な方向にダミーパターンを形成する。 - 特許庁
  • A signal line group Y is patterned and a gate 21g of a transistor 21 and an electrode 24a of the capacitor 24 are patterned and then a gate insulating film 31 is formed.
    信号線群Ｙをパターニングするとともにトランジスタ２１のゲート２１ｇ及びキャパシタ２４の電極２４ａをパターニングし、ゲート絶縁膜３１を成膜する。 - 特許庁
  • Next, a patterned mask is used to form a material line in the proximity of each semiconductor well.
    次に、各半導体井戸に近接して、材料ラインを形成するために、パターン形成されたマスクが用いられる。 - 特許庁
  • The line-type pattern and the mask film are patterned at the same time, thereby forming on the lower dielectric film 12 a groove for wiring, that is at right angles with a line-type pattern 15a.
    ラインタイプパターンとマスク膜とを同時にパターニングして下部絶縁膜１２上にラインタイプパターン１５ａと直交する配線用溝を形成する。 - 特許庁
  • A semiconductor film 81 is formed on the gate insulating film 31, a channel protection film 21p is patterned and an insulating film 72 is patterned in such a manner so as to overlap the signal line group Y.
    半導体膜８１をゲート絶縁膜３１上に成膜し、チャネル保護膜２１ｐをパターニングするとともに絶縁膜７２を信号線群Ｙに重ねるようにパターニングする。 - 特許庁
  • To solve the problem that word line and data line ends are short-circuited or broken at boundary parts between a memory array and a sub-word driver or a sense amplifier due to interference of diffracted light generated at a pattern end part when a fine word line and a data line having a line width less than a wavelength are patterned in a memory.
    メモリーにおいて波長以下の線幅を有する微細なワード線やデータ線をパターニングする際、メモリーアレーとサブワードドライバやセンスアンプの境界部において、パターン端部で生ずる回折光が干渉するためワード線やデータ線端がショートしたり、断線を起こす問題を解決する。 - 特許庁
  • Next, after a protective film is stacked and patterned to form a contact hole for exposing the drain electrode, an IZO is laminated on the protective film and patterned using the etchant having been used for the etching of the gate line and the data line, and thus a pixel electrode to be linked with the drain electrode is formed.
    次に、保護膜を積層しパターニングしてドレーン電極を露出する接触孔を形成した後、保護膜の上部にＩＺＯを積層し、ゲート線及びデータ線をエッチングした液でパターニングしてドレーン電極と連結される画素電極を形成する。 - 特許庁
  • Then a polysilicon is embedded to form the bit line contact and a capacitor contact 6 at the same time before a bit line 7a is patterned, and further a side wall insulating film comprising a nitride film is formed on the side surface of the bit line.
    そして、ポリシリコンを埋め込み、ビット線コンタクトとキャパシタコンタクト６を同時に形成すると共に、ビット線７ａをパターニングし、更にビット線の側面に窒化膜からなる側壁絶縁膜９を形成する。 - 特許庁
  • Thereby, display failure due to proximity between a pixel electrode patterned in the conductive film 16 and a source line 9 can be suppressed.
    これにより、導電膜１６からパターン形成される画素電極とソース配線９との近接による表示不良を抑制できる。 - 特許庁
  • To provide a pattern profile detecting device or method that is capable of detecting at a high-speed a shaping defect in a pattern profile of a patterned media surface and a stamper as well as a production line for patterned media disks.
    本発明は、本高速でパターンドメディア表面やスタンパのパターン形状の整形不良を検査できるパターン形状検査装置または検査方法並びにパターンドメディアディスク製造ラインを提供することである。 - 特許庁
  • The laser irradiator patterns a laser beam into an elongated shape having a scheduled processing line in the longitudinal direction and irradiates the scheduled processing line on a brittle material substrate with the patterned laser beam.
    レーザ照射装置は、レーザビームを加工予定線が長手方向である細長い形状にパターニングし、パターニングされたレーザビームを脆性材料基板の加工予定線上に照射する。 - 特許庁
  • A polysilicon film is deposited also on a scribing line 9 together with the polysilicon for constituting the resistance element, the polysilicon deposited on the scribing line 9 is patterned, and a monitor pattern 7 is formed.
    抵抗素子を構成するポリシリコン膜と共にスクライブライン９上にもポリシリコン膜を成膜し、スクライブライン９上に成膜されたポリシリコン膜をパターニングし、モニタパターン７を形成する。 - 特許庁
  • Subsequently, a protective film 180 is laminated and is patterned, a contact hole 182 that exposes a contact part of the gate line or the data line is formed, thereafter, IZO is laminated on the upper part of the protective film 180 and is patterned and a pixel electrode connected with the drain electrode and a contact member connected with the contact part are formed.
    次に、保護膜180を積層しパターニングして、ゲート線またはデータ線の接触部を露出する接触孔182を形成した後、保護膜180の上部にＩＺＯを積層しパターニングして、ドレーン電極と連結される画素電極と接触部と連結される接触部材を形成する。 - 特許庁
  • A laser irradiating device 10 patterns a laser beam LB and irradiates the scheduled processing line on a brittle material substrate with the patterned laser beam LB.
    レーザ照射装置１０は、レーザビームＬＢをパターニングし、パターニングされたレーザビームＬＢを脆性材料基板の加工予定線上に照射する。 - 特許庁
  • The patterned state obtained by the judgement and time information are together transferred to the PC 11 through a communication line 3.
    その結果得られた類型化された状況を時間情報と共にコンポーネント化して通信回線３を介して管理者用PC1に配送する。 - 特許庁
  • A transfer layer pattern 3 is formed by pressing a mold; then, a patterned film 4 is formed on the transfer layer pattern 3; and thereafter, the transfer layer pattern 3 is removed, and etching is performed from the association interface (indicated by a dotted line) at the formation of the patterned film 4 to etch the patterned film 4 into a final pattern 7.
    モールドを押し付けて形成した転写層パターン３を形成し、転写層パターン３に被パターン形成膜４を形成し、その後、転写層パターン３を除去して、被パターン形成膜４形成時の会合界面（点線部）からエッチングを進行させて、被パターン形成膜４をエッチングして最終パターン７を形成する。 - 特許庁
  • The directional coupler includes: a main line 11 provided on a dielectric substrate; a loop-shaped sub line 12 which is patterned on the dielectric substrate and a part of which is spaced from the main line; and a pair of correction pattern 13 disposed on both ends of a coupled portion of the main line to the sub line.
    本実施形態に係る方向性結合器は、誘電体基板に設けられる主線路１１と、前記誘電体基板上にパターン形成され、その一部が前記主線路と一定の空隙をもって配置されるループ形状の副線路１２と、前記主線路と前記副線路との結合部の両端に配置される一対の補正パターン１３とを具備する。 - 特許庁
  • A processing apparatus comprises a laser irradiator 10 for patterning a laser beam into an elongated shape having a scheduled processing line in the longitudinal direction and irradiating the scheduled processing line on a brittle material substrate with the patterned laser beam.
    加工装置は、レーザビームを加工予定線が長手方向である細長い形状にパターニングし、パターニングされたレーザビームを脆性材料基板の加工予定線上に照射するレーザ照射装置１０を備える。 - 特許庁
  • A polysilicon film 86 is removed by etching so that the polysilicon film 86 is left on the whole face of a source line formation region 88, and one part of a floating gate is patterned.
    ソース線形成領域８８全面にポリシリコン膜８６が残るように、ポリシリコン膜８６をエッチング除去し、フローティングゲートの一部分のパターンニングをしている。 - 特許庁
  • To provide a chemical amplification type positive photoresist composition which does not occur problems of its surface roughness in the case which it is patterned by using line edge roughness and halftone phase shift mask.
    ラインエッジラフネス及び、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターニングした場合に表面ラフネスの問題が生じない化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
  • A pair of comb-line electrodes 2 are patterned such that one side becomes +45° and another side becomes -45° with respect to the center line X on a flat substrate 1, and are coated with an insulating layer 3 and, further, surface hydrophobic treatment 4 is applied thereon.
    平面基板１上に、中心線Ｘに対して一方が＋４５度、他方が−４５度となるように一対の櫛歯状電極２がパターンニングされ、絶縁層３でコートされ、その上に表面疎水処理４が施されている。 - 特許庁
  • A first conductive pattern 6, a ground pattern 7, and a microstrip line 8 are patterned on one side of a dielectric substrate 3, and a second conductive pattern 9 and a ground pattern 10 are patterned on the other side of the dielectric substrate 3, and both ground patterns 7 and 10 are connected conductively via a through hole 11.
    誘電体基板３の片面に第１の導電パターン６とアースパターン７およびマイクロストリップ線路８をパターン形成すると共に、誘電体基板３の他面に第２の導電パターン９とアースパターン１０をパターン形成し、両面のアースパターン７，１０をスルーホール１１を介して導通する。 - 特許庁
  • Blocking features for a plurality of trenches 124 in a memory array is patterned by using a mask forming a plurality of straight strips passing through each memory array in a line writing direction.
    メモリアレイにおける複数のトレンチ１２４のためのブロッキングフィーチャは、行方向において各々メモリアレイを通る複数のまっすぐなストリップを構成するマスクを用いてパターニングされる。 - 特許庁
  • The computer readable code for applying the shrink correction comprises providing corner cutouts, and adjusting line width and length, shape modifications, etc. for forming features in a patterned layer.
    シュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、パターン化層に形状を形成するための角切り欠き部を提供して、線の幅および長さ、形の修正などを調整する。 - 特許庁
  • Subsequently, the gate electrode 8A (word line WL) and the gate electrodes 8B-8D are patterned simultaneously by etching while employing the silicon nitride film 9 and a photoresist film 10 as a mask.
    その後、上記窒化シリコン膜９とフォトレジスト膜１０とをマスクに用いたエッチングで、ゲート電極８Ａ（ワード線ＷＬ）およびゲート電極８Ｂ〜８Ｄを同時にパターン形成する。 - 特許庁
  • Since the sidewall and a part of the upper face of a data line 6a are covered with a reflecting film 44, a center layer 62 is not corroded by an etchant when the reflecting film 44 is patterned.
    データ線６ａの側壁および上面の一部は反射膜４４で覆われているから、反射膜４４をパターニングする際に中央層６２がエッチャントにより侵食されない。 - 特許庁
  • The calculated results are set as estimate results to employ the principal moving channel of a fluid, that is, a flow line (122) and grooves are formed in the direction along the calculated flow line to form a patterned tire model (124, 126) and a planning proposal of good capacity is employed (128-132).
    計算結果を予測結果として流体の主要移動路すなわち流線を採用し（１２２）、求めた流線に沿う方向に溝を形成し、パターン付のタイヤモデルを作成し（１２４、１２６）、良好な性能の設計案を採用する（１２８〜１３２）。 - 特許庁
  • By using the process solution as a rinsing solution during or after developing a patterned photoresist layer, post-development defects such as pattern collapse and line width roughness can be reduced.
    この処理溶液は、パターニングされたフォトレジスト層の現像の際又はその後にリンス溶液として用いられた場合に、パターンの倒壊又はライン幅の凹凸のような現像後の欠陥を低減することができる。 - 特許庁
  • To provide a laser scribing device determining whether a laminated film of a solar cell substrate has been patterned to a predetermined pattern even in a production line with a reliable and simple structure.
    太陽電池基板の積層膜を所定パターンにパターニングできたかどうかを、ライン工程においても確実かつ簡単な構造で判定することができる、レーザースクライブ装置を提供することにある。 - 特許庁
  • To provide an improved method which forms a polysilicon line having a substantially vertical profile, by plasma-etching the polysilicon layer on a thin SiO2 layer through a patterned SiO2 cap layer.
    パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して薄いＳｉＯ_2層の上のポリシリコン層をプラズマ・エッチングして、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線を形成する、改良された方法を提供する。 - 特許庁
  • By the above processes, the wiring layer 18 is patterned so that certain isolation is performed while installing the predetermined pattern in the predetermined region 10a which runs along the dicing line DL of the bottom of the opening 10w.
    こうして、所定のパターンを有しつつ、かつ開口部１０ｗの底部のダイシングラインＤＬに沿った所定の領域１０ａで確実に分離するように、配線層１８がパターニングされる。 - 特許庁
  • A poly-silicon film 4 is formed on the entire face of a surface region of a silicon semiconductor substrate 1, and this poly-silicon film 4 is patterned so that a line width of a poly-silicon film 4' in a field oxide film 2 is made larger than a line width of the poly-silicon film 4 in an element forming region.
    シリコン半導体基板１の表面領域の全面にポリシリコン膜４を形成し、このポリシリコン膜４をパターニングして、フィールド酸化膜２におけるポリシリコン膜４'の線幅が素子形成領域におけるポリシリコン膜４の線幅よりも大きくなるようにする。 - 特許庁
  • A gate line 121 is formed on an insulating substrate 110, on which a gate insulating film 140, semiconductor layer 150, and resistive contact layer are sequentially stacked, and then when the data line and a drain electrode 175 are formed, an electrode layer is patterned together with the resistive contact layer.
    絶縁基板１１０の上にゲート線１２１を形成し、その上部にゲート絶縁膜１４０と半導体層１５０と抵抗性接触層を順次に積層し、次に、データ線とドレーン電極１７５を形成する際に、電極層を抵抗性接触層と一括してパターン形成する。 - 特許庁
  • Next, a gate insulating film, a semiconductor layer and a resistant contact layer are successively formed and thereafter a conductive film is laminated thereon and is patterned to form a data line having a source electrode, a drain electrode and an alignment key for color filters.
    次に、ゲート絶縁膜、半導体層、及び抵抗性接触層を順に形成した後、導電膜を積層しパターニングして、ソース電極を有するデータ線、ドレーン電極、及び色フィルター用整列キーを形成する。 - 特許庁
  • The master unit can detect the patterned signal whose voltage level is changed with a voltage detecting portion, and can identify a type of a signal transmitted from the slave unit through the transmission line by the data transmission/reception circuit.
    親機では、電圧レベルが変化されパターン化された信号を電圧検出部で検出し、子機から伝送路を経由して送信されてくる信号の種別をデータ送受信回路で識別することができる。 - 特許庁
  • The reticle for metal patterning includes an IC pattern ensemble region and a TEG pattern region patterned next to each other, interposing a light non-transmitting solid region (region A), and has a scribe line in the region A.
    ＩＣパターン集合領域とTEGパターン領域が光非透過ベタ領域（領域Ａ）をはさんで並んでパターニングされている金属膜パターニング用レチクルにおいて、前記領域Ａにスクライブラインを有する金属パターニング用レチクルとした。 - 特許庁
  • To realize manufacturing method of a semiconductor device which can reduce nonuniformity in the line width of a thin film after patterning on the occasion, when the thin film formed on a semiconductor wafer is patterned into a prescribed shape.
    本発明は、半導体ウェーハ上に形成された薄膜を所定の形状にパターニングする際に、そのパターニング後の薄膜の線幅のばらつきを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.
    素子分離膜２０２とＴｒが形成された半導体基板２０１上に第１層間絶縁膜２０５を形成後、ビット線用接続孔２０６と接続導通パッド用接続孔２０７を形成し、全体の上に第１伝導層を形成しパターニングしてビット線２０８及び接続導通パッド２０９を形成する。 - 特許庁
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