「patterned」を含む例文一覧(3853)
＜前へ 1 2 .... 40 41 42 43 44 45 46 47 48 .... 77 78 次へ＞- The apparatus has a substrate table configured to hold a substrate, a projection system configured to project the patterned beam onto a target portion of the substrate.
装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成されたビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムとを有する。 - 特許庁 - Polymethylsilazane is used as a material of the bank BNK, the polymethylsilazane is applied to the electrode ELD, thereafter patterned into a bank shape by a photolithography process and finally converted to polymethylsiloxane.
バンクＢＮＫの原料としてポリメチルシラザンを用い、このポリメチルシラザンを電極ＥＬＤ上に塗布後、ホトリソプロセスでバンク形状にパターン化し、最終的にポリメチルシロキサンとする。 - 特許庁 - The liquid crystal display device is provided with an organic protective layer 24 and a gate insulation layer 22 which are patterned so as to make a sealant 11 be directly in contact with a substrate.
本発明による液晶表示装置はシーリング剤が基板と直接接するようにパタニングされた有機保護膜とゲート絶縁膜とを具備することを特徴とする。 - 特許庁 - To improve the printing endurance of a highly fine patterned printing metal mask made by electrocasting out of nickel or nickel alloy and the separating properties of a printing plate from the mask.
電鋳法により作られたニッケル又はニッケル合金からなる高精細パターンの印刷用メタルマスクの印刷耐久性、及び印刷版の版離れ性を改良する。 - 特許庁 - When a nonlinear element 10x is fabricated, a tantalum oxide film 13 containing nitrogen and an aluminum film 17 containing nitrogen are formed and a lower electrode 13x is patterned.
非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜１３および窒素含有アルミニウム膜１７を形成した後、下電極１３ｘをパターニング形成する。 - 特許庁 - A sacrificial insulating film is patterned to form an opening for forming the lower electrode, and the metal lower electrode film and the metal capping film are formed in this order.
犠牲絶縁膜がパターニングされて下部電極形成のための開口部が形成され、金属下部電極膜膜及び金属キャッピング膜が順次に形成される。 - 特許庁 - By forming the patterned spacer, the advantage of solving various kinds of problems caused by the use of the conventional ball spacer can be obtained.
パターン化したスペーサーを形成することによって従来のボールスペーサー（ｂａｌｌ ｓｐａｃｅｒ）を用いることにより発生した種々の問題点を解決できる長所がある。 - 特許庁 - Then, the thermal oxidation film 34 on the upper surface is patterned, dry etching is applied by RIE from its upside, and the micro mirrors 1a to 1d are separated from a body and formed.
そして、再度上面の熱酸化膜３４をパターニングして、その上からＲＩＥによりドライエッチングを施して、マイクロミラー１ａ〜１ｄを本体から分離し、形成する。 - 特許庁 - Then, the conductive film 12, the high dielectric constant film 8, the oxygen deficiency adjustment layer 6, the silicon oxide film 5 and the like are patterned, thereby forming a gate electrode and a gate insulating film.
その後、導電性膜１２、高誘電率膜８、酸素欠損調整層６および酸化シリコン膜５等をパターニングしてゲート電極およびゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - The finely patterned mask is formed by selectively etching the coating layer, and the workpiece is etched through the mask to form the nano-structure layer.
この被覆層を、選択的エッチングすることにより微細パターン化されたマスクを形成し、そのマスクを介して加工対象物をエッチングすることによりナノ構造層を形成する。 - 特許庁 - First impurity layers 810 are formed in the substrate using the control gate layer as an ion implantation mask and the control gate layer is patterned to form a gate on the peripheral circuit part.
コントロールゲート層をイオン注入マスクとして半導体基板に第１不純物層８１０を形成し、コントロールゲート層をパタニングして周辺回路部にゲートを形成する。 - 特許庁 - Subsequently, a second photoresist layer 34 is formed so as to cover the alignment mark 33 and, thereafter, the second photoresist layer 34 is patterned on the basis of the alignment mark 33.
次に、アライメントマーク３３を覆うように第２のフォトレジスト層３４を形成した後、アライメントマーク３３を基準として第２のフォトレジスト層３４をパターニングする。 - 特許庁 - In each organic EL element, upper electrodes 508 are individually patterned and drawn to auxiliary wiring 515 by drawing-out patterns 509 and connected by connection holes 508a.
各有機ＥＬ素子は、上部電極５０８が個別にパターン形成され、引出しパターン５０９で補助配線５１５上に引き出され、接続孔５０８ａで接続される。 - 特許庁 - Then, the photoresist layer is patterned to form a plurality of openings corresponding the plurality of chip units, whereby the plurality of chip units are exposed via the openings.
次ぎにフォトレジスト層をパターンニングして、前記複数のチップユニットに対応する複数の開口部を形成するとともに、開口部を介して前記複数のチップユニットを露出させる。 - 特許庁 - After dry etching is carried out by the use of the resist patterned on the substrate as a mask, the substrate surface is irradiated with far-ultraviolet rays, having a wavelength of such as 185 nm and 254 nm.
基板上にパターニングされたレジストをマスクとしてドライエッチングを行った後に、１８５ｎｍおよび２５４ｎｍなどの波長の遠紫外線を基板表面に照射する。 - 特許庁 - To develop a method for obtaining a sheet-like or patterned cell aggregate by taking a specific cell out of an organism and cultivating the cell outside the organism.
特定の細胞を生体内から取り出して、生体外で細胞培養を行いシート状あるいはパターン化した細胞集合体を得る方法を開発すること。 - 特許庁 - The antenna element can be applied to the disk substrate as a patterned antenna layer on the metalized data area, and can be electrically insulated from the data area.
アンテナ素子は、金属化されたデータ領域の上にパターン形成されたアンテナ層としてディスク基板に適用することができ、該データ領域から電気的に絶縁することができる。 - 特許庁 - To provide a molding method capable of drawing a pattern on an inner surface of a dish made of resin by two-color molding, and a patterned two-color mold dish made of resin.
本発明は、二色成形によって樹脂製食器の内面に模様を描くことができる成形方法、及び模様付き二色成形樹脂製食器を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which has highly precisely patterned resist formed on a mesa, thereby has a hard-to-break gate electrode on the mesa, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.
メサ上に形成されるレジストを高精度にパターニングされ、メサ上に断線し難いゲート電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a patterned electrolyte film which has high efficiency in power generation and excellent durability, even when the environment to use the electrolyte film differs from part to part.
電解質膜の使用環境がその部位によって異なる場合であっても、発電効率が高く、しかも耐久性に優れたパターン化電解質膜を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a patterned polyimide precursor film which is peelable, without producing a portion of a photoresist as residue or dissolving remainder and will not give rise to cracking.
フォトレジスト被膜の一部が残渣や溶け残りとして生ずることなく剥離可能で、クラックの発生しないパターン化されたポリイミド前駆体被膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then, by using the patterned third film 33P as a mask, the releasable layer and the first film are selectively etched, and a frame 34 is formed by the first film after etching.
次に、パターニング後の第３の膜３３Ｐをマスクとして、剥離層および第１の膜が選択的にエッチングされ、エッチング後の第１の膜によってフレーム３４が形成される。 - 特許庁 - The patterned electron beam is further accelerated between the objective lens 12 and the wafer 27, thereby giving such an energy to the electron beam that can transmit a resist.
対物レンズ１２とウェーハ２７との間で、パターン化された電子線をさらに加速することによって初めて、該電子線に、レジストを透過可能なエネルギーを付与する。 - 特許庁 - A photoresist 15A is patterned along dicing streets 12 of a wafer 11, and resin encapsulating films 17 surrounded by photoresist 15A are formed by printing.
ウェーハ１１のダイシングストリート１２の上に沿ってフォトレジスト１５Ａをパターニングし、フォトレジスト１５Ａで囲まれたチップ領域に樹脂封止膜１７を印刷により形成する。 - 特許庁 - Thereafter, the laminate is patterned to simultaneously form a gate electrode composed of a polysilicon layer and a metal layer and a source-drain contact wiring layer.
その後、この積層体をパターニングして、各々が、ポリシリコン層と金属層との積層構造体からなるゲート電極と、ソース・ドレインコンタクト配線層とを同時に形成する。 - 特許庁 - To provide a method for etching features in an etch layer, and a conditioning for a patterned pseudo-hardmask of amorphous carbon or polysilicon disposed over the etch layer.
エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。 - 特許庁 - Further, if desired, an ink layer may be provided between the patterned metal foil and the topcoat or on an outer surface for the purpose of an ornamental design and/or an electrostatic prevention.
さらに、美的および／または静電防止の目的で、所望であれば、パターニングされた金属フォイルとトップコートとの間または外面上にインク層が設けられてもよい。 - 特許庁 - The inserting body is put inside the cavity between upper and lower metal molds, then a core material is added to form the core 10 of the geometrically patterned golf ball by means of the compression molding.
挿入体（４２）は上下の金型キャビティ（３０）内に置かれ、コア材料が加えられ、そして幾何学的形状を有するゴルフボールコア（１０）が圧縮成型される。 - 特許庁 - After forming semiconductor layers 4a and 4b via a gate insulating film 3 on an insulation substrate 1, the semiconductor layers 4a and 4b are patterned and a channel part is formed.
絶縁性基板１上にゲート絶縁膜３を介して半導体層４ａ、４ｂを形成した後、半導体層４ａ、４ｂをパターニングしてチャネル部を形成する。 - 特許庁 - A resist for excimer laser or ultraviolet exposure is applied onto a surface, and a patterned unit resist is formed by exposure to light of the ultraviolet area and development.
面上に、エキシマレーザ用または紫外線露光用のレジストを塗布し、紫外領域の光による露光及び現像を行って、パターニングされた単位レジストを形成する。 - 特許庁 - Then the semiconductor substrate 11 is etched using the resist 20 patterned on the semiconductor substrate 11 as a mask, and then the resist 20 is removed from the semiconductor substrate 11.
次に、半導体基板１１上にパターニングされたレジスト２０をマスクとして、半導体基板１１をエッチングした後、半導体基板１１上からレジスト２０を除去する。 - 特許庁 - A semiconductor layer 13 having high resistance and a semiconductor layer 12 having low resistance are laminated on a substrate 11 having a pixel electrode 18 and are patterned in the shape of a transistor.
画素電極１８を有する基板１１上に、高抵抗半導体層１３と低抵抗半導体層１２を積層してトランジスタ形状にパターニングする。 - 特許庁 - Source and drain electrodes 143a and 143b, a semiconductor layer 139 in which impurities are doped and a semiconductor layer 137 in which the impurities are not doped are patterned in the same step.
特に、ソース、ドレイン電極１４３ａ，１４３ｂ、不純物がドープされた半導体層１３９、及び不純物がドープされない半導体層１３７を同時にパターニングする。 - 特許庁 - The polysilicon film 12 is dry-etched using the resist pattern 14 and the patterned anti-reflection film 13A for the mask to form a gate electrode 12A composed of the polysilicon film 12.
ポリシリコン膜１２に対して、レジストパターン１４及びパターン化された反射防止膜１３Ａをマスクにドライエッチングして、ポリシリコン膜１２からなるゲート電極１２Ａを形成する。 - 特許庁 - The lithography apparatus includes a substrate table for holding a substrate, and a projection system for projecting a radiation beam patterned in a target portion of the substrate.
本発明のリソグラフィー装置は、基板を保持するための基板テーブルと、基板の標的部分にパターン形成された放射ビームを投影するための投影系を含む。 - 特許庁 - A stripe patterned light P having a wavelength in an infrared region to be transmitted through a semiconductor chip 3 mainly made of silicon is projected onto the substrate 5 on which the semiconductor chips 3 is mounted.
主にシリコンからなる半導体チップ３を透過する赤外領域の波長の縞パターン光Ｐを半導体チップ３が実装された基板５上に投影する。 - 特許庁 - A patterned zinc oxide nanostructure is grown without using a metal catalyst by forming a seed layer of a polycrystalline zinc oxide on the surface of a substrate.
金属触媒を用いることなしに、基板の表面の上の多結晶酸化亜鉛のシード層を形成することによって、パターニングされた酸化亜鉛のナノ構造を成長させる。 - 特許庁 - The photoelectric conversion device has a patterned charge transport acceleration member in a photoelectric conversion layer existing between electrodes.
電極間に存在する光電変換層中に、パターン化された電荷輸送促進部材を有することを特徴とする光電変換素子により、上記の課題を解決する。 - 特許庁 - To provide a method for synthesizing a zeolite crystal in a patterned structure and a method for forming a carbon nanostructure in the zeolite crystal with high yield.
パターン化された構造内でのゼオライト結晶の合成方法、さらに、ゼオライト結晶内において、カーボンナノ構造体を高収率で形成する方法を提供する。 - 特許庁 - The extracted feature amounts 8 are compared with the feature amounts stored in a feature amounts map database 11 for each region to evaluate the state of the patterned medium.
抽出された特徴量８と、特徴量マップデータベース１１に蓄えられた特徴量を領域毎に比較することによってパターンドメディアの状態を評価する。 - 特許庁 - Then, the PolySi layers 25 are patterned, and an upper electrode 6 on the capacitor is formed and a first gate electrode 11 of the first transistor is formed.
その後、第２のＰｏｌｙＳｉ層２５をパターニングすることで、キャパシタの上部電極６を形成すると共に、第１のトランジスタの第１のゲート電極１１を形成する。 - 特許庁 - An electrical insulating adhesive agent film 44a patterned in a shape not overlapped with the bump electrodes 43a is formed on the surface of the second semiconductor circuit layer 2.
第２半導体回路層２の表面に、バンプ電極４３ａとは重ならない形状にパターン化された電気的絶縁性接着剤膜４４ａを形成する。 - 特許庁 - A ruthenium film 55 and a silicon oxide film 56 being a base electrode 51 of the memory cell of a DRAM are formed, and then a photoresist film 57 is patterned on the silicon oxide film 56.
ＤＲＡＭのメモリセルの下部電極５１となるルテニウム膜５５およびシリコン酸化膜５６を形成後、シリコン酸化膜５６上にフォトレジスト膜５７をパターニングする。 - 特許庁 - The photoreceptor device includes a substrate and at least one patterned binder layer comprising a solid binder matrix and hollow spaces filled with a functional material or a filler.
基体と、固体バインダマトリックスと、機能性材料または充填剤で満たされている中空の空間と、を含む、少なくとも１つのパターン化されたバインダ層と、を含む。 - 特許庁 - A 1st metal film 102, a 2nd metal film 103 and 3rd metal film 104 after being laminated on a semiconductor substrate 101 are selectively removed and patterned.
半導体基板１０１に第１の金属膜１０２、第２の金属膜１０３及び第３の金属膜１０４を積層した後、選択的に除去し、パターニングする。 - 特許庁 - Then the resist layer 4 is peeled while a reflection layer 2 is patterned by wet etching using an alkali solution such as 4 to 5% concentration potassium hydroxide aqueous solution.
次に、アルカリ溶液、例えば、濃度４〜５％の水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングにより、レジスト層４を剥離すると同時に反射層２をパターニングする。 - 特許庁 - The layup can be fabricated of a pre-patterned lamina or multiple laminae that are shaped and trimmed to accommodate an airframe topological feature 292.
レイアップは、機体位相特長部２９２に対応するように成形およびトリミングされている予めパターン化された薄層または多重の薄層で形成することができる。 - 特許庁 - Next, using the patterned silicon nitride film 14 as a mask, the silicon oxide film and vanadium oxide film are etched to form a resistor film 9 made of vanadium oxide.
次に、パターニングされたシリコン窒化膜１４をマスクとして、シリコン酸化膜及び酸化バナジウム膜をエッチングして、酸化バナジウムからなる抵抗体膜９を形成する。 - 特許庁 - When heat or pressure is applied to the microcapsule patterned on the surface of the substrate, the microcapsule is destroyed and the etching agent is discharged and brought into contact with the surface of the substrate.
次に、基板の表面上にパターニングされたマイクロカプセルに熱又は圧力を加えると、マイクロカプセルが破壊してエッチング剤が放出され、基板の表面に接触する。 - 特許庁 - The thermally conductive member includes a metal material base with a low melting point and a patterned carbon nanotube array disposed in the metal material base with the lower melting point.
本発明の熱伝導部材は、低融点の金属材料基体と、該低融点の金属材料基体の中に配置されたパターン化されたカーボンナノチューブアレイとを含む。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
