「phonon scattering」を含む例文一覧(28)
- The mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT are measured and 3 mobilities, Coulomb scattering mobility μ (Coulomb), phonon scattering mobility μ (phonon) and surface roughness scattering μ (surface), and an effective electric field Eeff are calculated from the measured mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT.
該ＴＦＴの移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性を測定し、測定された移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性からクーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)、フォノン散乱移動度μ(phonon)、そして表面ラフネス散乱μ(surface)の３つの移動度と実効電界Ｅeffを算出する。 - 特許庁 - The background due to inelastic scattering consists of inelastic phonon scattering, plasmon scattering, and losses due to electronic excitations.
非弾性散乱によるバックグラウンドは、非弾性フォノン散乱、プラズモン散乱および電子励起による損失から成る。 - 科学技術論文動詞集 - Because a scattering phenomenon is generated in the border between each layer due to the short wavelength of a phonon, the scattering of the phonon is generated actively to improve the thermoelectric performance index of the thermoelectric element.
フォノンの短波長による散乱現象が各層の境界部分で発生するため、フォノンの散乱が活発に行われて熱電素子の熱電性能指数が向上することができる。 - 特許庁 - To provide a nano-composite thermoelectric conversion material which does not require material for phonon scattering particles separately and achieves uniform and fine dispersion of the phonon scattering particles.
フォノン散乱粒子のための材料を別途に必要とせず、かつ、フォノン散乱粒子の均一微細な分散を達成したナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a nano-composite thermoelectric conversion material that uses phonon scattering particles with high phonon scattering power type, and to provide a manufacturing method therefor.
高いフォノン散乱能を有する形態のフォノン散乱粒子を用いたナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The palsmon-loss contribution to the total scattering is heavily convoluted with phonon scattering at large thicknesses used.
全散乱に対するプラズモン損失の寄与は、使用される(試料の)大きな厚さではフォノン散乱で強く畳み込まれる(コンボリューションされる)。 - 科学技術論文動詞集 - The important inelastic processes that contribute to the background in CBED patterns are phonon scattering, plasmon scattering and single-electron excitation.
CBED図形の中のバックグラウンドに寄与する重要な非弾性(散乱)過程は、フォノン散乱、プラズモン散乱および一電子励起である。 - 科学技術論文動詞集 - The cubic boron nitride film is obtained by a gas phase without using ultrahigh pressure and clearly exhibits, in the Raman spectrum, either the characteristic scattering by a phonon of a longitudinal optical mode in the vicinity of 1,305 cm^-1 or the characteristic scattering by a phonon of a transverse optical mode in the vicinity of 1,056 cm^-1 or both the characteristic scattering.
超高圧を用いずに気相より得られ、ラマンスペクトルにおいて1305cm^-1近傍に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱または1056cm^-1近傍に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、あるいは両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素膜。 - 特許庁 - Energy of electrons is conserved for all inelastic scattering processes, such as phonon excitation, plasmon excitation and core electron excitation.
電子のエネルギーは、フォノン散乱、プラズモン散乱および内殻電子励起のようなすべての非弾性散乱過程に対しては保存される。 - 科学技術論文動詞集 - The absorption coefficients for phonon scattering may be calculated analytically most simply using an Einstein model.
フォノン散乱に対する吸収係数は、アインシュタインモデルを使ってもっとも簡単に、解析的に計算できる。 - 科学技術論文動詞集 - To provide a semiconductor material and a semiconductor substrate of small phonon scattering effect and superior heat conductivity.
フォノン散乱効果が小さく、熱伝導性に優れた半導体材料ならび半導体基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a nanocomposite thermoelectric conversion material by securing phonon scattering particles in nano size without complicated processes.
複雑な工程を経ることなく、フォノン散乱粒子をナノサイズに確保してナノコンポジット熱電変換材料を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The fine crystal grains are increased in grain boundary areas, phonon scattering is enhanced, and the sintered body is lessened in thermal conductivity and enhanced in figure of merit.
微細な結晶粒の粒界の面積が増加し、フォノン散乱を高めて、熱伝導率を低下させ、性能指数が増加する。 - 特許庁 - The nanocomposite thermoelectric conversion material includes a phonon scattering particle dispersed in a crystalline matrix of a thermoelectric conversion material, wherein the phonon scattering particle includes an amorphous nanoparticle covered with a crystalline coat having a crystal structure different from that of the thermoelectric conversion material and a thickness of nano order.
熱電変換材料の結晶質マトリクス中に、この熱電変換材料とは結晶構造が異なるナノオーダーの厚さの結晶質被膜で被覆された非晶質ナノ粒子から成るフォノン散乱粒子が分散しているナノコンポジット熱電変換材料。 - 特許庁 - The nano-composite thermoelectric conversion material, in which nano-sized phonon scattering particles are dispersed in a matrix formed of thermoelectric conversion material, is characterized by that oxide as a by-product during reduction of the thermoelectric conversion material is contained as the phonon scattering particle.
熱電変換材料から成るマトリクス中に、ナノサイズのフォノン散乱粒子が分散しているナノコンポジット熱電変換材料において、上記熱電変換材料の還元生成時の副生成物の酸化物を上記フォノン散乱粒子として含むことを特徴とする。 - 特許庁 - This cubic system boron nitride is obtained from a vapor phase without using a superhigh pressure and clearly shows either characteristic scattering by a phonon of an optical longitudinal wave mode in the vicinity of 1,305-1 in a Raman spectrum or a characteristic scattering by a phonon of an optical transverse wave mode in the vicinity of 1,056-1 or both the characteristic scatterings.
超高圧を用いずに気相より得られ、ラマンスペクトルにおいて1305cm^-1近傍に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱または1056cm^-1近傍に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、あるいは両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素。 - 特許庁 - There are four mechanisms by which electrons lose energy when they are inelastically scattered: (1) phonon scattering; (2) plasmon scattering; (3) single electron scattering; and (4) direct radiation losses.
電子が非弾性散乱されるときに、電子がエネルギーを失う4つのメカニズムがある: (1) フォノン散乱、(2) プラズモン散乱、(3) 一電子散乱、(4) 直接放射損失である。 - 科学技術論文動詞集 - Calculations for total absorption coefficients, including plasmon excitation, single electron excitation, and phonon scattering, are given in the papers of Radi (1970) and Humphreys and Hirsch (1968) for a range of crystal structures.
プラズモン励起、一電子励起、フォノン散乱を含む全吸収係数についての計算は、いろいろな結晶構造に対して、Radi (1970)、およびHumphreysとHirsch (1968)の論文に与えられている。 - 科学技術論文動詞集 - The zero loss peak is produced firstly by those electrons which have not been scattered by the specimen, secondly by those that have suffered phonon scattering and thirdly by elastically scattered electrons.
ゼロロス・ピークは、第一は試料によって散乱されなかった(それらの)電子、第二はフォノン散乱を受けた電子、第三は弾性的に散乱された電子により、作られる。 - 科学技術論文動詞集 - Since the background between the Bragg reflections is almost entirely removed by elastic filtering, we must conclude that this background is due to multiple, coupled phonon and plasmon scattering.
そのブラッグ反射の間のバックグラウンドは弾性(散乱)フィルタリングによってほとんど取り除かれるので、われわれはこのバックグラウンドは多重の結合したフォノンとプラズモンの散乱によるものであると結論付ける。 - 科学技術論文動詞集 - By the reduction of phonon scattering on the interface of the grain boundary and the reduction of the anharmonicity of lattice vibrations, the heat conductivity of the sprayed metal layer 28 is improved.
結晶粒界の界面におけるフォノン散乱の減少や、格子振動の非調和性の減少により、溶射金属層２８の熱伝導度が向上する。 - 特許庁 - Preferably, NaBH_4 is used as the reductant, and H_3BO_3 is generated as the by-product in reduction, and B_2O_3, which is oxide of it, is dispersed as the phonon scattering particle.
望ましくは、上記還元剤としてＮａＢＨ_４を用い、上記還元時の副生成物としてＨ_３ＢＯ_３を生成させ、その酸化物であるＢ_２Ｏ_３を上記フォノン散乱粒子として分散させる。 - 特許庁 - To provide a nano-composite thermoelectric conversion material improved in thermoelectric conversion performance by dispersing nano-sized phonon scattering particles into a thermoelectric conversion material matrix to remarkably reduce thermal conductivity, and to provide a method of manufacturing the same.
熱電変換材料マトリクス中にナノサイズのフォノン散乱粒子を分散させて、熱伝導率を大幅に低減し、熱電変換性能を向上させたナノコンポジット熱電変換材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, electrons transited among the subbands are relaxed from the lower level L_low to the miniband MB by LO phonon scattering and injected into the subsequent light-emitting layer through the miniband MB.
また、発光遷移を経た電子は、ＬＯフォノン散乱によって下準位Ｌ_ｌｏｗからミニバンドＭＢへと緩和され、ミニバンドＭＢを介して後段の発光層へと注入される。 - 特許庁 - To provide a nanocomposite thermoelectric conversion material significantly reducing a thermal conductivity to improve the thermoelectric conversion performance thereof by means of a new structure for increasing interface roughness between a matrix of the thermoelectric conversion material and a phonon scattering particle.
熱電変換材料のマトリクスとフォノン散乱粒子との界面粗さを高める新規な構造により、熱伝導率を大幅に低下させて熱電変換性能を高めたナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Each of the active layers 15, 25 includes a light emission upper level, a light emission lower level and a relaxation mini-band in its level structure; and is structured such that electrons having passed through light emission transition from the upper level to the lower level are relaxed from the lower level to the mini-band by LO phonon scattering.
活性層１５、２５のそれぞれは、その準位構造において、発光上準位と、発光下準位と、緩和ミニバンドとを有し、上準位から下準位への発光遷移を経た電子が、ＬＯフォノン散乱によって下準位からミニバンドへと緩和されるように構成される。 - 特許庁 - Furthermore, various materials for fabricating nanowires, thin films including p-type doping nanowires and n-type doping nanowires, nanowire heterostructures, light emitting nanowire heterostructures, flow masks for arranging nanowires on substrates, nanowire spraying techniques for forming nanowires as a film, techniques for reducing or eliminating phonon scattering of electrons in nanowires, and techniques for reducing surface levels in nanowires are described.
さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 - 特許庁 - The strength of the localized oscillating peak of the dopant element observed by the Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge is determined by standardizing based on the optical phonon peak strength of Ge observed at 290-301 cm^-1, and the concentration of a dopant element doped in Ge is measured from the comparison data (calibration curve) between the concentration of the dopant element and the localized oscillating peak strength that are previously prepared.
また、ドーパント元素ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測される前記ドーパント元素の局在振動ピークの強度を、２９０〜３０１ｃｍ^−１に観測されるＧｅの光学フォノンピーク強度を基準として規格化することによって求め、予め作成されている前記ドーパント元素の濃度と局在振動ピーク強度の比較データ（検量線）から、Ｇｅ中にドープされたドーパント元素の濃度を測定する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
- Copyright(C)1996-2024 JEOL Ltd., All Rights Reserved.
