「phosphide」を含む例文一覧(181)

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  • Hydrogen phosphide
    りん化水素 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, AND INDIUM PHOSPHIDE CRYSTAL
    燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 - 特許庁
  • a chemical compound called gallium phosphide
    燐化ガリウムという化合物 - EDR日英対訳辞書
  • BORON PHOSPHIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE
    リン化硼素系半導体素子 - 特許庁
  • (cdlvi) aluminium phosphide
    四百五十六　りん化アルミニウム - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • The upper barrier layer is composed of a p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor, especially an amorphous boron phosphide-based semiconductor.
    特に非晶質のリン化硼素系半導体とする。 - 特許庁
  • METHOD FOR BEVELING GALLIUM PHOSPHIDE WAFERS
    燐化ガリウムウェーハのベベリング方法 - 特許庁
  • METHOD OF DIRECTLY SYNTHESIZING INDIUM PHOSPHIDE
    リン化インジウムの直接合成法 - 特許庁
  • a compound semiconductor called gallium phosphide
    ガリウムと燐の化合物半導体 - EDR日英対訳辞書
  • GALLIUM PHOSPHIDE-ARSENIDE MIXED CRYSTAL EPITAXIAL WAFER
    りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハ - 特許庁
  • APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL
    リン化ガリウム単結晶製造装置 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING INDIUM PHOSPHIDE NANO-TUBE
    リン化インジウムナノチューブの製造方法 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
    リン化硼素系半導体発光素子 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL
    リン化ガリウム単結晶製造方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE NANO STRUCTURE
    リン化インジウムナノ構造物の製造方法 - 特許庁
  • To provide a method of directly synthesizing indium phosphide.
    リン化インジウムを直接合成する方法。 - 特許庁
  • To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost.
    ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。 - 特許庁
  • METHOD FOR VAPOR PHASE GROWING BORON PHOSPHIDE LAYER, BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LIGHT EMITTING DIODE
    リン化硼素層の気相成長方法、リン化硼素系半導体素子およびＬＥＤ - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE BASE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND BORON PHOSPHIDE BASE SEMICONDUCTOR ELEMENT
    リン化硼素系半導体層、その製造方法、及びリン化硼素系半導体素子 - 特許庁
  • ZINC SOLID PHASE DIFFUSION METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE (InP) SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT AND INDIUM PHOSPHIDE SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT
    ＩｎＰ系受光素子の亜鉛固相拡散方法とＩｎＰ系受光素子 - 特許庁
  • To provide a method for rapidly and safely non-polluting a metal phosphide or hydrogen phosphide.
    金属リン化物あるいはリン化水素を短時間で安全に無害化する方法を提供すること。 - 特許庁
  • GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL BASE PLATE, ITS PRODUCTION AND METHOD OF PRODUCING GALLIUM PHOSPHIDE LIGHT-EMITTING DIODE
    ＧａＰ単結晶基板及びその製造方法並びにＧａＰ発光ダイオ—ドの製造方法 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND BORON PHOSPHIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT
    リン化硼素単結晶基板、その製造方法、及びそれを用いたリン化硼素系半導体素子 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING IT, LIGHT-EMITTING DIODE AND BORON PHOSPHIDE TYPE SEMICONDUCTOR LAYER
    リン化硼素系半導体素子、その製造方法、発光ダイオードおよびリン化硼素系半導体層 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHT EMITTING DIODE
    ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、リン化硼素系半導体素子およびＬＥＤ - 特許庁
  • EVALUATION METHOD OF PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL WAFER AND EPITAXIAL PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL WAFER USING IT
    燐化物単結晶ウェーハの評価方法及びそれを利用したエピタキシャル用燐化物単結晶ウェーハ - 特許庁
  • BORON-PHOSPHIDE BASED ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
    リン化硼素系半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
  • INDIUM NITRIDE/INDIUM PHOSPHIDE/TITANIUM DIOXIDE PHOTOSENSITIZED ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD
    ＩｎＮ／ＩｎＰ／ＴｉＯ２光感作電極およびその製造方法 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
    リン化硼素系半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR NON-POLLUTION OF METAL PHOSPHIDE RESIDUE AND APPARATUS THEREFOR
    金属リン化物残渣の無害化方法および装置 - 特許庁
  • PROCESS FOR FORMING INDIUM PHOSPHIDE LAYER ON SILICON SUBSTRATE
    シリコン基板上にリン化インジウム層を形成する方法 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE CRYSTAL GROWTH METHOD ON SILICON CRYSTAL SUBSTRATE
    シリコン結晶基板上へのリン化ボロン結晶成長法 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE SINGLE CRYSTAL
    リン化ガリウム単結晶の製造方法およびその装置 - 特許庁
  • A gallium nitride phosphide laminated light emitting structure is formed on a substrate via a boron phosphide(BP) buffer layer.
    基板上にリン化硼素（ＢＰ）系緩衝層を介して窒化リン化ガリウム系積層発光構造を形成する。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF INDIUM NITRIDE NANOWIRE COVERED WITH INDIUM PHOSPHIDE
    リン化インジウムで被覆された窒化インジウムナノワイヤーの製造方法 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
    リン化硼素系半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING GALLIUM PHOSPHIDE LIGHT EMITTING ELEMENT
    燐化ガリウム発光素子の製造方法及び製造装置 - 特許庁
  • The III-V compound semiconductor layer, containing boron, is composed of mixed crystal of boron arsenide phosphide(BAsP) or boron phosphide(BP).
    含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を砒化リン化硼素（ＢＡｓＰ）混晶あるいはリン硼素（ＢＰ）から構成する。 - 特許庁
  • HIGH-PURITY METAL PHOSPHIDE POLYCRYSTAL AND ITS SYNTHESIS
    高純度金属リン化物多結晶体及びその合成方法 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE BASED SEMICONDUCTOR, PRODUCING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT THEREOF
    リン化硼素系半導体、その製造方法及び半導体素子 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LED AND ITS MANUFACTURING METHOD
    リン化硼素系半導体発光ダイオードおよびその製造方法 - 特許庁
  • ① IARC classified indium phosphide as Group 2A (probable) human carcinogen.
    ①IARCではリン化インジウムとしての発がん性はグループ2Aと分類した。 - 厚生労働省
  • When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed.
    燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。 - 特許庁
  • PRETREATMENT AND PRETREATMENT SYSTEM OF METAL PHOSPHIDE COMPOUND PHARMACEUTICAL PREPARATION RESIDUE
    リン化金属化合物製剤残渣の除害方法および除害システム - 特許庁
  • An evaporation preventing layer is made of a boron phosphide semiconductor.
    蒸発防止層をリン化硼素（ＢＰ）系半導体から構成する。 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE BASED SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    リン化硼素系半導体層、その製造方法、半導体素子 - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING DIODE
    リン化硼素系半導体素子、その製造方法およびＬＥＤ - 特許庁
  • BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD AND LAMP
    リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法およびランプ - 特許庁
  • Zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide or indium phosphide is employed as the matrix, and terbium, europium, etc., are used as the activator.
    発光母体として硫化亜鉛又は、窒化ガリウム又は、燐化ガリウム又は、燐化インジウム、付活剤としてテルビウム、ユーロピウム等を使用する。 - 特許庁
  • INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRE COVERED WITH CARBON FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    炭素膜で被覆されたリン化インジウムナノワイヤー及びその製造方法 - 特許庁
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