「planarize」を含む例文一覧(89)
1 2 次へ＞- To planarize the surface of a bump electrode.
バンプ電極表面の平坦化を図る。 - 特許庁 - To planarize a Cu surface with reduced dishing and erosion, using chemical and mechanical polishing.
ディッシング及びエロージョンを低減した銅の平坦化。 - 特許庁 - To planarize the crystal growth plane of a nitride semiconductor.
窒化物半導体の結晶成長面の平坦にすること。 - 特許庁 - To planarize the surface of an anisotropic conductive film after slitting.
スリット後の異方性導電フィルムの表面を平坦化させる。 - 特許庁 - To planarize a step formed accompanied by the growth of an InP layer.
ＩｎＰ層の成長に伴い形成された段差を平坦化する。 - 特許庁 - To planarize a step that is formed along with the growth of an InP layer.
ＩｎＰ層の成長に伴い形成された段差を平坦化する。 - 特許庁 - To planarize a surface by forming an insulation resin layer of a uniform thickness.
絶縁樹脂層を均一な厚みに形成して表面の平坦化を図る。 - 特許庁 - In the solid-state imaging element, the first planarize layer 2 served as migration prevention of dye.
第一平坦化層２が染料のマイグレーション防止を兼ねた層であること。 - 特許庁 - To planarize a polycrystal silicon surface by directly carrying out isotropic etching.
直接的に等方エッチングを行うことで、多結晶シリコン表面を平坦にする。 - 特許庁 - To planarize an insulation film applied to a chip component to facilitate forming wirings.
チップ部品上に塗布する絶縁膜の平坦化を図り、配線形成を容易にすること。 - 特許庁 - To planarize the surface of a SiC single crystal substrate to an atomic level at a high speed.
SiC単結晶基板の表面を原子オーダーのレベルで、かつ高速に平坦化させる。 - 特許庁 - The device is then polished to remove excess metal in the outside of the recess and planarize the device.
次に、くぼみの外の過剰の金属を除去し、デバイスを平坦化するため、デバイスを研磨する。 - 特許庁 - To planarize an underlying layer with high accuracy when providing a filter film or a microlens of on chip structure.
オンチップ構造のフィルタ膜やマイクロレンズを設ける場合に、その下地層を高精度に平坦化する。 - 特許庁 - To reduce surface roughness by minimizing the effect of monomer ion and equally planarize a radiated area.
モノマーイオンの影響を最小にして表面粗さを低減し、かつ照射エリア内を均一に平坦化する。 - 特許庁 - To planarize a substrate or thin film having an uneven portion of several nm on a surface.
数nmサイズの凹凸部を表面に有する基盤や薄膜を、原子レベルにまで平坦化することを目的とする。 - 特許庁 - For example, a rotated rubbing material 25 is made to abut on the side surface of the liquid crystal cell to planarize the side surface by dissolution and polishing.
例えば回転する摩擦材２５を液晶セルの側面にあて、側面を溶解と研磨で平坦化する。 - 特許庁 - Thereby, it is possible to planarize the surface of an epitaxial layer 12 formed on the substrate 11.
それにより、この基板１１上に形成するエピタキシャル層１２の表面を平坦にすることが可能である。 - 特許庁 - To planarize the surface of a coating, when forming the coating on a predetermined pattern formed on a substrate.
基板に形成された所定のパターン上に塗布膜を形成するにあたって、当該塗布膜の表面を平坦化する。 - 特許庁 - To simultaneously planarize color layers formed of colorant containing compositions of two or more colors.
２色以上の着色剤含有組成物からそれぞれ形成された着色層の平坦化処理で同時に平坦化する。 - 特許庁 - Furthermore, this can almost planarize an underlying layer and easily form a resist mask pattern 12 for forming a control gate electrode 13.
また、コントロールゲート電極１３形成用のレジストマスクパターン１２形成の際もその下地がほぼ平坦になり、容易に形成できる。 - 特許庁 - There is no need to use a planarization process such as chemical-mechanical polish to planarize the top surfaces of the chips 315A.
チップ３１５Ａの最表面を平坦化するために化学機械研磨のような平坦化プロセスを用いる必要は皆無である。 - 特許庁 - For flattening, films 6 and 7 are formed on a light shielding film 5 and the condensing lens 20, to planarize the unevenness of the surface.
遮光膜５および集光レンズ２０上には、表面の凹凸を平坦にするために平坦膜６，７が形成される。 - 特許庁 - To planarize an insulation film layer by forming a reverse pattern of wiring to selectively remove an insulation film on the wiring.
配線の逆パターンマスクを形成して配線上の絶縁膜を選択的に除去することで絶縁膜層を平坦化する。 - 特許庁 - Thereafter, the GaN substrate 10 is thinned through mechanical polishing of the bottom surface thereof, and then scratches are removed through chemical mechanical polishing, to thereby planarize the bottom surface.
その後、ＧａＮ基板１０裏面を機械的に研磨して薄膜化し、化学機械研磨によって研磨傷を除去し、平坦化する。 - 特許庁 - To planarize surfaces of color filters without separately forming a planarizing film even when the color filters are formed so as to partially overlap.
カラーフィルタの一部を重ね合わせて形成する場合であっても、別途平坦化膜を形成せずにカラーフィルタの表面を平坦化する。 - 特許庁 - To planarize simply an interlayer film on the upper electrode of a capacitor related with the miniaturization of DRAM having a stacked capacitor.
スタック型キャパシタを有するＤＲＡＭの微細化に関して、キャパシタの上部電極の上の層間膜を簡易に平坦化できるようにする。 - 特許庁 - After the main portions as the TFT array substrate have been formed, a photosensitive acrylic resin film 10 is applied to their surfaces to planarize the surfaces.
ＴＦＴアレイ基板としての主要部分を形成した後に、表面に感光性アクリル系樹脂膜１０を塗布して平坦化する。 - 特許庁 - To planarize a solder bump precisely by reliably guiding a plurality of pins provided on a wiring board into a pin release hole on a support fixture.
配線基板に設けられた複数のピンを支持治具上のピン逃がし穴内に確実に案内し、はんだバンプを精度よく平坦化する。 - 特許庁 - Chemical and mechanical polishing is conducted several times, by using a slurry having different degree of dispersing abrasive particles to planarize a surface of a substrate.
研磨粒子の分散の程度が異なるスラリーを用いて化学的機械研磨を複数回行うことにより基板表面を平坦化する。 - 特許庁 - The overcoat layer 4 is formed through screen printing and the UV-radiation curing to planarize the unevenness on a surface of the print film layer 3.
オーバーコート層４は、印刷皮膜層３表面の凹凸を平坦化するためにスクリーン印刷とＵＶ照射硬化により形成される。 - 特許庁 - To planarize the upper surface without polishing in some process when a semiconductor device, referred to BGA, is produced.
例えばＢＧＡと呼ばれる半導体装置の製造に際し、ある製造工程において、研磨を行なうことなく、その上面を平坦面とする。 - 特許庁 - To planarize the upper surface without polishing in some production process when a semiconductor device referred to BGA is produced, for example.
例えばＢＧＡと呼ばれる半導体装置の製造に際し、ある製造工程において、研磨を行なうことなく、その上面を平坦面とする。 - 特許庁 - In the first planarize layer 2, organic resin is main component, and saturation content addition of migration inhibitor which does not have absorption in visible region is performed.
第一平坦化層２が、有機樹脂を主成分とし、可視域に吸収を持たないマイグレーション防止剤を飽和含有量添加したこと。 - 特許庁 - After the main portions as the TFT active matrix substrate have been formed, a photosensitive acrylic resin film 10 is applied to their surfaces to planarize the surfaces.
ＴＦＴアクティブマトリクス基板としての主要部分を形成した後に、表面に感光性アクリル系樹脂膜１０を塗布して平坦化する。 - 特許庁 - To provide a diode which is easy to planarize irregularities of a base film and high in quality and reliability, and also to provide a semiconductor element having the same.
下地膜の凹凸を平坦化しやすく、かつ品質および信頼性の高いダイオードおよびこれを備えた半導体素子を提供する。 - 特許庁 - To uniformly planarize an insulating film in the case where the insulating film is formed on a pattern having steps and then is planarized.
段差を有するパターン上に絶縁膜を形成したのち、絶縁膜を平坦化する場合において、絶縁膜の平坦化が均一に行えるようにする。 - 特許庁 - For such the interlayer insulating film 3, first, a first polishing processing is conducted by use of abrasive grains having non-Prestonian characteristics to planarize the projected part 4.
このような層間絶縁膜３に対し、まず、非プレストニアン特性を有する砥粒を用いて第１研磨処理を行って凸部４を平坦化する。 - 特許庁 - The difference in depth between the recesses 6 and the recesses 5 can compensate a difference in polishing speed to uniformly planarize the oxide film 4.
これにより、凹部６のうち、凹部５よりも深くされた分で、研磨速度の差を見込むことができ、酸化膜４の平坦化が均一に行われるようにできる。 - 特許庁 - To planarize a wafer obtained by slicing an ingot, by removing warpage caused by distortion of the wafer and swells occurring in the surface layer on both sides of the wafer.
インゴットから切り出して得られたウェーハの歪みに起因する反り及びウェーハ両面の表層に生じるうねりを効果的に除去して平坦化すること。 - 特許庁 - Then, a first resist film 9 is formed so that the wiring groove pattern 8 may be embedded, and the first resist film 9 on the hard mask 7 is removed to planarize the surface.
次に、配線溝パターン８を埋め込むように第１のレジスト膜９を形成し、ハードマスク７上の第１のレジスト膜９を除去して平坦化する。 - 特許庁 - A lower surface 30a of an upper jig 30 is moved relative to a wiring substrate 40 and is pressed against the multiple solder bumps 42 to planarize the multiple solder bumps 42.
配線基板４０に対し上治具３０の下面３０ａを複数のはんだバンプ４２に押し当てて複数のはんだバンプ４２を平坦化する。 - 特許庁 - To planarize a projection section formed on the surface of a polycrystalline thin-film structure formed, utilizing a LILAC method.
本発明は、ＬＩＬＡＣ法を利用して形成された多結晶薄膜構造の表面に形成される突出部を平坦化することを目的とする。 - 特許庁 - Plasma discharge from the torch (502) can be used to shape, planarize, polish, clean and/or deposit material on the surface of the workpiece (110).
トーチ（５０２）からのプラズマ放電を用い、加工物（１１０）の表面に対して成形、平坦化、研磨、洗浄、及び材料を堆積させることができる。 - 特許庁 - This allows easy fitting of the through electrodes 21 in the through holes 4, to planarize the bottom surface 6 of the hollow and the surfaces of the through-holes 4.
これにより、貫通孔４に貫通電極２１を容易に充填でき、窪みの底面６と貫通孔４の表面を平坦化することができる。 - 特許庁 - To embed the inside of a trench with an epitaxial layer, and to planarize the epitaxial layer in parallel to the surface of an SiC substrate, when carrying out planarization.
トレンチ内をエピタキシャル層で埋め込んだ後、平坦化する際にＳｉＣ基板の表面に対して並行に平坦化が行うことができるようにする。 - 特許庁 - The insulating film 3 on the semiconductor substrate 1 is subjected to planarize treatment by using CMP or etch back, and the semiconductor substrate 1 is exposed (Figure (c)).
そして、半導体基板１上の絶縁膜３をＣＭＰ又はエッチバックにより平坦化処理を施して、半導体基板１を露出させる（図１（ｃ））。 - 特許庁 - The electroplating method using such pretreating liquid includes a stage for depositing the plating metal preferentially to the recessed parts to planarize the recessed part surfaces.
この前処理液を用いる電気めっき方法は、凹部に対して優先的にめっき金属を析出させ、該凹部表面を平坦化させる工程を含む。 - 特許庁 - An apparatus (106) and the methods for reactive atom plasma processing can be used to shape, polish, planarize, and clean the surface of material with minimal subsurface damage.
表面下の損傷を最小限に抑えて材料の表面を成形、研磨、平坦化、及び洗浄する反応原子プラズマ処理のための装置（１０６）及び方法。 - 特許庁 - When the solder bumps are planarized, pressure is applied to the multiple solder bumps 42 at a normal temperature by the upper jig 30 to planarize the multiple solder bumps 42.
はんだバンプ平坦化の際に、複数のはんだバンプ４２を常温で上治具３０により圧力を加えることにより複数のはんだバンプ４２を平坦化する。 - 特許庁 - To planarize a hetero-interface and improve high frequency characteristics and high output characteristics by providing an InGaAs or GaAs thin layer between a channel layer and a buffer layer at a specified distance from the channel layer.
平坦なヘテロ界面を有し、優れた高周波特性、高出力特性を備えたＩｎＧａＡｓチャネルのダブルへテロ構造高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁
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