「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 64 65 次へ＞- To provide an exhaust gas processing method and a plasma processing method and apparatus, which can improve the processing capability of a chemical reaction generating means for processing an unreaction gas or by-product.
未反応ガスや副生成物を処理する化学反応生起手段の処理能力を向上させることができる排気処理方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of expanding a processing area and of carrying out uniform processing, and allowing design to be easily changed in response to an object of processing.
処理範囲を大面積化することができると共に、均一な処理を行うことができ、しかも処理対象に応じて容易に設計変更が可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device facilitating discharge in atmospheric-pressure nitrogen, capable of executing uniform processing in a wide range and of executing low-damage processing to an object, and reduced in processing time.
大気圧・窒素中の放電が容易で、広範囲で均一な処理ができ、対象物に低ダメージの処理ができ、処理時間が短縮されたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a residue modification processing method of suppressing contamination of a processed substrate with residues sticking in a processing container, and a plasma processing method using the residue modification processing method.
処理容器内に付着した残渣による被処理基板の汚染を抑制する残渣改質処理方法と、この残渣改質処理方法を用いたプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - The exhaust emission control device comprises the plasma processing device 60 disposed in the engine exhaust system, a downstream side detecting means 62 for detecting the current condition of exhaust gas on the downstream side on the plasma processing device, and plasma processing device control means 40 and 50 for controlling the electric power to be fed to the plasma processing device based on the condition of exhaust gas detected by the downstream detecting means.
機関排気系に配置されたプラズマ処理装置６０と、プラズマ処理装置の下流側における現在の排気ガス状態を検出する下流側検出手段６２と、下流側検出手段により検出された排気ガス状態に基づきプラズマ処理装置への投入電力を制御するプラズマ処理装置制御手段４０，５０とを具備する。 - 特許庁 - To provide a microwave plasma processing device which easily applies a prescribed treatment on the outer circumference of a processing object.
処理対象物の外周面に、所定の処理を施しやすいマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus that efficiently applies cleaning processing to a chip mount including lead frame members of through-hole insertion type individual semiconductors (LEDs or the like).
スルーホール挿入型である個別半導体（ＬＥＤ等）のリードフレーム部材のチップ実装部を効率よく洗浄処理する。 - 特許庁 - To provide a method for processing a workpiece in a vacuum plasma processing chamber, including control in response to a DC bias voltage.
ＤＣバイアス電圧に応答した制御を含む、真空プラズマプロセッサ室においてワークピースを加工する方法を提供する。 - 特許庁 - To carry out the plasma beam processing in vacuum status for the material sensitive to the influence of temperature at a high discharge power and high processing speed.
高い放電パワー及び処理速度で、温度の影響を受けやすい材料の真空でのプラズマビームの処理を行なう。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus with the uniformity of flow distribution of processing gas in a surface direction of sample improved.
試料の面方向についての処理用ガスの流量の分布の均一性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device enhancing processing efficiency while preventing arc discharge to a workpiece and of reducing a material cost.
ワークへのアーク放電を防止しつつ処理効率を高めるとともに、材料コストを削減できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To enable film formation processing, etc. to be excellently executed on a processing target by making process gas become plasma at an early stage.
プロセスガスが早期にプラズマ化することで、被処理体に対する成膜などの処理が良好になされないのを改善する。 - 特許庁 - To provide a plasma device that is free from an uneven surface distribution of object processing speeds and has high uniformity in processing speed.
被処理物の処理速度の面内分布に偏りが無く、処理速度の均一性が高いプラズマ装置を提供すること。 - 特許庁 - In the plasma processing apparatus, a resin layer is arranged in an opposing region between the dielectric plate and the processing vessel.
本発明に係るプラズマ処理装置においては、誘電体板と処理容器との対向領域に樹脂層を配置している。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus for coping certainly and easily with lowering of processing rate and formation of particles.
処理速度の低下やパーティクルの形成に確実且つ容易に対処できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The plasma processing apparatus is equipped with a processing container 1, a waveguide 21, a transmitting waveguide 23, and a plurality of conductor members 29.
プラズマ処理装置は、処理容器１と導波管２１と伝送導波管２３と複数の導電体部材２９とを備える。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus that enhances the reproducibility of wafer processing precision by monitoring the secular change of a temperature sensor.
温度センサの経時変化を監視することにより、ウエハ加工精度の再現性を向上したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing system capable of processing the surface of a sample uniformly.
本発明は、試料の処理面に対して均一な処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - After that, the value is compared with a reference value to determine a defect in the plasma processing system.
次いで、値は、プラズマ処理システムにおける欠陥を決定するために基準値と比較される。 - 特許庁 - To prevent that a solid dielectric layer is damaged by a heat shock or the like in a plasma surface processing.
プラズマ表面処理において、固体誘電体層がヒートショック等で破損するのを防止する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus using a single arm carrier device to achieve a high throughput.
プラズマ処理装置において、シングルアーム型の搬送装置を採用しつつ高スループットを実現する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus in which efficient cleaning is possible, and a method of cleaning the same.
効率的なクリーニングの可能なプラズマ処理装置およびそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - Then, the plasma processing device starts supplying an H_2 gas at t2; and further starts supplying an O_2 gas at t3.
次に、ｔ２でＨ_２ガスの供給を開始し、さらにｔ３でＯ_２ガスの供給を開始する。 - 特許庁 - To provide a substrate processing apparatus which uses plasma, reduces costs, and improves productivity.
コストを低減させ、生産性を向上させるプラズマを用いる基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus for uniformizing the film quality and film thickness of a film to be formed.
形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of safely and properly arranging matching boxes.
マッチングボックスを安全かつ適切に配置することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR ATMOSPHERIC PRESSURE REACTIVE ATOM PLASMA PROCESSING FOR SURFACE MODIFICATION
損傷の無い表面の造形のための大気圧反応性原子プラズマ加工装置及び方法 - 特許庁 - To provide a plasma etching processing apparatus capable of accurately etching objects according into a desired shape.
より正確に所望の形状にエッチングすることができるプラズマエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING DEVICE REMOVING HETEROGENEOUS MATERIALS FROM SELECTED REGIONS ON SUBSTRATE AND METHOD OF THE SAME
基板上の選択領域から異質な材料を除去するプラズマ処理装置及び方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR VHF PLASMA PROCESSING WITH LOAD MISMATCH RELIABILITY AND STABILITY
負荷不整合信頼性および安定性のあるＶＨＦプラズマ処理のための方法および装置 - 特許庁 - To provide a plasma processing equipment capable of lowering production cost, and a surface treatment method of a base material.
生産コストを低くできるプラズマ処理装置及び基材の表面処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an inductively coupled plasma processing apparatus capable of dealing with a target substrate to be processed of a larger size.
被処理基板の大型化に対応できる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device that can suppress occurrence of thermal breaking of a conductor.
導電体の熱断線の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - The electrode 11 of the plasma processing apparatus 1 is stored in the storage portion 22 of an apparatus body 20.
プラズマ処理装置１の電極１１を装置本体２０の収容部２２に収容する。 - 特許庁 - To speedily and easily find a trouble state upon a plasma emission processing with a simplified mechanism.
プラズマ発光処理時の異常状態を逸早く且つ簡単な仕組みで容易に発見する。 - 特許庁 - Furthermore, pressure controllability can be improved by surrounding the plasma processing space 13 with a movable wall member 40.
さらに、プラズマ処理空間１３を可動壁体４０で囲んで、圧力制御性も高める。 - 特許庁 - To provide a plasma processing process which is superior in micro workability and gives few damages to a device.
微細加工性に優れ且つデバイスへの損傷が少ないプラズマ処理プロセスを提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus for removing various foreign objects formed at a rear surface of a substrate.
基板背面に形成された各種異物を取り除くためのプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - A substantially flat plate-shaped antenna section 7 introducing electromagnetic waves into a plasma processing chamber 1 is provided with a recess.
プラズマ処理室１に電磁波を投入する略平板状のアンテナ部７に凹部を設けた。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device reducing high frequency wave (electromagnetic wave) leakage to the outside.
装置外部への高周波（電磁波）の漏洩を低減し得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - MASS FLOW CONTROLLER SYSTEM, PLASMA PROCESSING APPARATUS, FLOW RATE CONTROL METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
マスフローコントローラシステム、プラズマ処理装置、流量制御方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - A two frequency power simultaneous supply batch type plasma processing device includes a decompressed reaction vessel 11.
二周波電力同時供給バッチ式プラズマ処理装置は減圧反応容器１１を備える。 - 特許庁 - The plasma processing device M has a plurality of electrode units 10, 10 connected in a longitudinal direction.
プラズマ処理装置Ｍは、長手方向に連なる複数の電極ユニット１０，１０を備えている。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment device improving throughput in processing by stably adsorbing a wafer.
ウエハを安定して吸着し処理のスループットを向上させるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - Subsequently, the thicker silicon carbide layer is deposited on the seed layer of silicon carbide which is dealt with plasma processing.
その後、より厚い炭化ケイ素層が、プラズマ処理された炭化ケイ素シード層の上に堆積される。 - 特許庁 - To improve the durability of an electrode for plasma processing having an insert of hafnium or zirconium.
ハフニウムまたはジルコニウムのインサートをもつプラズマ加工用電極の電極寿命を向上させる。 - 特許庁 - The surface modification by the amino group is performed by solution plasma (SP) processing in an aqueous ammonia.
アミノ基による表面修飾はアンモニア水中でのソリューションプラズマ（ＳＰ）処理により行なう。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus which can stably convey with a simple structure.
簡単な機構で安定した搬送が行えるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method that a work comprising a conductor can be processed exactly.
導電体からなるワークの処理を的確に行うことのできるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing system capable of achieving space saving, cost reduction and energy saving.
省スペース化、装置コストの低減、及び省エネルギー化を達成できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁
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