「plasma processing」を含む例文一覧(3220)
＜前へ 1 2 .... 44 45 46 47 48 49 50 51 52 .... 64 65 次へ＞- The plasma CVD apparatus 1 comprises a processing chamber 11, wherein a processed substrate 10 is set up, a gas supply 16a, a gas pressure controller 16b, and a plasma discharge generator 13 which is so arranged as to face the processed substrate 10.
プラズマＣＶＤ装置１は、被処理基板１０が装入される処理室１１と、ガス供給部１６ａと、ガス圧調整部１６ｂと、被処理基板１０に対向位置するように設けられたプラズマ放電発生部１３とを有する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device capable of increasing effective power consumed in a plasma space by lowering the parasitic high-frequency resistance of tuning coils of a matching circuit, and reducing the power loss in the matching circuit.
整合回路のチューニングコイルの寄生高周波抵抗をより低くして、整合回路における電力損失が少なくし、プラズマ空間で消費される実効的な電力を増加させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma display apparatus and a method for processing image thereof that can improve image quality by removing a flicker generated when an image of a plasma display panel is embodied at low frequency and removing double video at the same time.
低い周波数でプラズマディスプレイパネルの画像を具現する場合発生するフリッカーをとり除いて、同時に二重映像をとり除いて画質を進めることができるプラズマ表示装置及びその画像処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of preventing an inner wall surface of a plasma section wall from being etched, suppressing the occurrence of particles and metal contamination, and increasing the amount of radical generated by increasing the electrode area.
プラズマ区画壁の内壁面がエッチングされることを防止してパーティクルや金属汚染の発生を抑制し且つ、電極面積を増大させてラジカルの発生量を増加させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - If a plasma etching of a first step of using a mixture gas of CHF_3/Ar/N_2 is completed in a state of erasing a plasma, an Ar gas is fed from an Ar gas supply source 46 into a processing envelop 10 as a purging gas.
ＣＨＦ_３／Ａｒ／Ｎ_２の混合ガスを用いる第１ステップのプラズマエッチングが終了したなら、プラズマを消した状態でＡｒガス供給源４６よりＡｒガスをパージングガスとして処理容器１０内に送り込む。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device that can prevent deterioration due to abrasion and formation of particles by preventing members which sections and forms a plasma generation space from coming into direct frictional contact with each other when expanding/contracting.
プラズマ生成空間を区画形成する部材同士がそれぞれ膨張・収縮の際に直接に摩擦接触させるのを防止して摩耗による劣化及びパーティクルの発生を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method and a device that can perform effective etching processing by generating plasma effective for etching of a substrate by controlling radical species or ion species effective for the etching of the substrate.
基板のエッチングに対して効果的なラジカル種又はイオン種の密度を制御することにより、エッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁 - The plasma processing apparatus 10 etches the silicon substrate 2 by bringing hydrogen plasma 6, generated between an electrode 11 put close to the silicon substrate 2 and the silicon substrate 2 in a hydrogen atmosphere, into contact with a surface of the silicon substrate 2.
プラズマ加工処理装置１０は、水素雰囲気下にてシリコン基板２に近接させた電極１１とシリコン基板２との間に生成した水素プラズマ６を、シリコン基板２の表面に接触させてシリコン基板２をエッチングする。 - 特許庁 - To provide a microwave plasma treatment device capable of efficiently supplying a microwave supplied from a microwave generator to an antenna member from a waveguide tube, a microwave plasma processing method and a microwave power supply device.
マイクロ波発生器から供給されるマイクロ波を、導波管からアンテナ部材に効率よく供給することができるマイクロ波プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマイクロ波給電装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The method of manufacturing the nitride semiconductor device which has the mesa structure formed by the dry etching includes a stage (A) of plasma-processing a surface exposed by the dry etching in an atmosphere including nitrogen plasma.
ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In an induction-coupled plasma processing apparatus, an RF antenna 54 provided on a dielectric window 52 to generate induction-coupled plasma is divided into an inner coil, an intermediate coil, and an outer coil 62 in the radial direction.
この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル、中間コイルおよび外側コイル６２に分割されている。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus performing surface modification by carburizing or the like an object to be treated comprising a metal material using plasma in an inside of a vacuum furnace, capable of optionally changing an electric field strength for plasma generation, thereby improving degree of freedom in surface modification of various objects to be treated.
真空炉の内部にてプラズマを用いて金属材料からなる被処理物の浸炭等による表面改質を行うプラズマ処理装置において、プラズマ生成のための電界強度を任意に変更可能とし、これによって多種多様な被処理物の表面改質における自由度を向上させる。 - 特許庁 - The plasma processing device includes: a UV irradiation means 1 for irradiating ultraviolet rays UV on the surface of an object S to be processed; and a plasma supply means 2 for supplying plasma P on the surface of the object S with the ultraviolet rays UV irradiated by the UV irradiation means 1, both means arranged adjacent to each other.
被処理物Ｓの表面に紫外線ＵＶを照射するための紫外線照射手段１と、紫外線照射手段１で紫外線ＵＶが照射された被処理物Ｓの表面にプラズマＰを供給するためのプラズマ供給手段２とを隣り合って配置したプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁 - The plasma 18 is generated by a main anode 3 of a main torch 1 having the axis C crossing with the axis of a sub-cathode 10 of a sub-torch 2, and a processing object material 20 is discharged along the axis of the plasma 18 and a plasma flame 23 from a material sending-in pipe 19 of the main torch 1.
副トーチ２の副陰極１０の中心軸と交叉する中心軸Ｃを備えた主トーチ１の主陽極３によりプラズマ１８を発生させ、該主トーチ１の材料送入管１９から前記プラズマ１８及びプラズマ炎２３の中心軸上に沿って処理対象材料２０を放出する。 - 特許庁 - The exposure apparatus includes a plasma processing device which icnludes a first supply port capable of supplying a plasma produced from a process gas, and brings the plasma supplied from the first supply port into contact with a predetermined member coming into contact with the exposure liquid to enhance liquid repellency of a surface of the predetermined member to the exposure liquid.
露光装置は、プロセスガスより生成されたプラズマを供給可能な第１供給口を有し、第１供給口から供給されたプラズマと露光液体と接触する所定部材とを接触させて、所定部材の表面の露光液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置を備えている。 - 特許庁 - As a result, higher the RF power representing plasma generation energy set to the device side is raised, from 700 W to 900 W or higher, when forming the plasma SiN film 22, the larger the amount of hydrogen leaving from the plasma SiN film 22 will be, at a low temperature processing during later sintering treatment, thereby making the sintering treatment sure.
これによって、プラズマＳｉＮ膜２２の成膜時に装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを７００Ｗから９００Ｗさらにそれ以上に上げるほど、後のシンター処理時にプラズマＳｉＮ膜２２から低温で離脱する水素量が多くなってシンター処理が確実に行われる。 - 特許庁 - To provide an equipment and a method for plasma processing being employed in a plasma CVD system where a high quality large area thin film can be deposited at a high rate with limited film quality and film thickness distribution or in a plasma etching system where a large area can be etched at a high rate with limited machining rate distribution.
膜品質や膜厚分布が小さく、高速かつ大面積で高品質な薄膜の成膜が可能となるプラズマＣＶＤ装置あるいは、加工レート分布が小さく高速かつ大面積でエッチングが可能となるプラズマエッチング装置等に用いられる、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent the electrical shortings of a film containing a magnetic material, in the plasma processing of the film containing the magnetic material after the etching thereof, by exposing the film containing the magnetic material into a plasma atmosphere of a gas mixture containing hydrogen or into a plasma atmosphere of a gas mixture containing at least one kind of gas containing hydrogen.
磁性体材料を含む膜のエッチング後のプラズマ処理を、水素を含む混合ガスのプラズマ雰囲気中もしくは水素を含む少なくとも一種類のガスを含む混合ガスのプラズマ雰囲気中に磁性体材料を含む膜をさらすことで、磁性体材料を含む膜の電気的ショートを防止することを可能とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a dielectric material window, the dielectric material window, and a plasma processing apparatus using the dielectric material window which can increase an adhesive force between an antenna and the dielectric material window and also can prevent abnormal electric discharging and stabilize a plasma density distribution according to a magnetic field distribution or a plasma density distribution.
アンテナと誘電体窓の密着性を向上させ、異常放電を防止し、かつ、誘電体窓内の電磁界分布、したがってプラズマ密度分布を安定させることができる誘電体窓の製造方法、誘電体窓、およびその誘電体窓を用いるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - A plasma measurement equipment consists of a probe loaded into the plasma which is an object to be measured, a high frequency power supply for impressing high frequency to the probe, a voltmeter which measures the voltage of the probe, an ammeter which measures the high frequency current which flows to a probe, and a data-processing device which presumes the plasma characteristic from the high frequency current voltage.
被計測対象であるプラズマ中に装荷されたプローブ、このプローブに高周波を印加するための高周波電源、プローブの電圧を測定する電圧計、プローブに流れる高周波電流を測定する電流計、高周波電流電圧からプラズマ特性を推定するデータ処理機からなる。 - 特許庁 - To provide a power introduction terminal which does not break even under a high temperature environment when supplying high electric power, and a plasma processing device equipped with the same.
高電力供給時の高温環境下でも破損しない電力導入端子およびそれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - Based on the measured electron density, perform the plasma processing by operating the power supply for generating by operating the electric power controlling part 4 for generating.
測定された電子密度に基づいて、生成用電力制御部４を操作することによって、生成用電力を操作してプラズマ処理を行う。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device that realizes a slimming processing method by plasma etching that requires no removal of resist reaction product materials by enhancing accuracy of dimensions in an etching process.
エッチング工程における寸法精度を向上させ、レジスト反応生成物の除去が必要でないプラズマエッチングによるスリミング処理方法を実現する。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment method and a post-treatment method which can prevent etching not only in a processing chamber, but also surely in a carrier system.
処理チャンバー内だけでなく、搬送システムにおける腐食も確実に防止できるようなプラズマ処理方法および後処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate.
シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - This manufacture is provided with the step of processing a semiconductor device by the use of the plasma treatment apparatus which evaluated the metal contamination.
上記 により金属汚染の評価を行ったプラズマ処理装置を用いて、半導体装置を処理する工程を備えた半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus that suppresses the adhesion of a foreign material on a substrate to be processed by the control of a point where an electric discharge concentrates.
放電が集中する個所を制御することにより被処理基板に異物が付着することを抑制できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a microwave plasma processing apparatus that can prevent reflected waves from the detector of a matching circuit to a dielectric to reduce a standing wave ratio.
本発明は、プラズマ処理装置において、整合器の検知部分から誘電体までの反射波を抑制し、定在波比を低減することである。 - 特許庁 - The dielectric cover 12 of the induction coupling plasma processing apparatus includes portions 12A1, 12B1 to be supported which each have a lower surface and a side end connected with the lower surface.
誘導結合プラズマ処理装置の誘電体カバー１２は、下面とこの下面に続く側端とを有する被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を含んでいる。 - 特許庁 - To improve efficiency of surface treatment for improving wettability of a substrate surface by atmospheric pressure plasma and thereby to shorten processing time and to raise through put.
大気圧プラズマにより基板の表面のぬれ性を改善する表面処理の処理効率を向上させ、処理時間を短縮して、スループットを向上させる。 - 特許庁 - To lower a dielectric constant of an inter-layer insulating film which rises after an oxygen plasma processing, etc.
酸素プラズマ処理等により上昇した層間絶縁膜の比誘電率を低下させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a discharge plasma processing method and its equipment for immediate extinction of an arc after generating the minute arc, even if the minute arc discharge occurs at an electrode end part.
電極端部で微小アーク放電が発生しても、その発生後に直ちに消弧する放電プラズマ処理方法及びその装置の提供。 - 特許庁 - To provide a discharge electrode which is less expensive and allows the increase in the area, and to provide a liquid plasma processing apparatus which exposes the liquid to ozone to perform process steps efficiently.
安価で大面積化が可能な放電電極および液体をオゾンに曝気して効率よく処理する液体プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - An antibacterial and antiviral fiber is produced by applying plasma treatment to a cloth of an antibacterial and antiviral processed object to activate the surface and applying chemical processing treatment thereto.
抗菌・抗ウイルス加工対象の布にプラズマ処理を施して表面活性化させ、薬剤加工処理を施すことで、抗菌・抗ウイルス性繊維を製造する。 - 特許庁 - The protective film 50 made of a yttrium oxide coat is formed on an inner wall of the chamber 11 and the surface of a plasma processing chamber 61 which is a component member in the chamber 11.
チャンバ１１の内壁とチャンバ１１内の構成部材のプラズマ処理室６１の表面には、酸化イットリウム被膜からなる保護膜５０が形成される。 - 特許庁 - By supplying electric power at this set frequency, an electric field is applied to a space 10p of the nearly normal pressure between the mutual electrodes 11, 12, and the plasma processing is carried out.
この設定した周波数で給電することにより、電極１１，１２どうし間の略常圧の空間１０ｐに電界を印加しプラズマ処理を行なう。 - 特許庁 - A lower face of the second semiconductor chip 430 is made to be a plasma processing face and the first semiconductor chip 410 is attached to the adhesion layer 510 covering this face.
第二の半導体チップ４３０の下面はプラズマ処理面とし、この面を覆う接着層５１０に第一の半導体チップ４１０を接着する。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of compatibly preventing a dielectric window from being fogged and obtaining stability of an etching rate of a workpiece.
誘電体窓の曇り防止と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A showerhead electrode assembly of a plasma processing apparatus includes a thermal control plate attached to a showerhead electrode, and a top plate attached to the thermal control plate.
プラズマ処理装置のシャワーヘッド電極アセンブリは、シャワーヘッド電極に取り付けられた熱制御板、および熱制御板に取り付けられた上板を備える。 - 特許庁 - To provide an impedance matching device capable of performing the adjusting processing of a variable capacitor at high speed, and a plasma generation device having the impedance matching device.
可変コンデンサの調整処理を高速に行うことができるインピーダンス整合装置及びそれを備えたプラズマ発生装置を提供すること。 - 特許庁 - In the method, first, the substrate having a dielectric layer and mask layer covering the dielectric layer being with a pattern formed is located on a plasma processing system.
この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。 - 特許庁 - To provide a substrate processing device suppressing generation of plasma in a space between a mobile electrode and one end wall of a cylindrical container.
移動電極と筒状容器の一方の端壁の間の空間におけるプラズマの発生を抑制することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - The layer of the inert gas filled in the gap 11 can prevent the O-ring 10 from being deteriorated due to the plasma generated in the processing vessel 2.
この隙間１１内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内で発生したプラズマによるＯリング１０の劣化を抑制できる。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus in which the top surface of a placing pedestal can be processed readily in a smooth shape and lowering of the temperature of the peripheral portion of a substrate can also be prevented.
載置台の上面を平滑な形状に容易に加工でき、また、基板周縁部の温度低下も防止できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - To more uniformly perform plasma processing to an object to be processed by making a variation width of the electric-field intensity in the radius direction of the object to be processed small.
被処理体の半径方向に対する電界強度の変化幅を小さくして、被処理体に対してより均一なプラズマ処理を行えるようにする。 - 特許庁 - To provide a plasma processing apparatus capable of correctly detecting the lifetime of a microwave transmission member, and to provide a method of inspecting the apparatus.
本発明は、マイクロ波透過部材の寿命を正確に検知することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の検査方法を提供する。 - 特許庁 - This makes it possible to calculate a correction parameter for correcting a detected value by a high-frequency measuring apparatus to a value between the electrodes of the plasma processing apparatus.
これにより、高周波測定装置による検出値をプラズマ処理装置の電極間における値に校正する校正パラメータを算出することができる。 - 特許庁 - To prevent electric discharge in the gas supply hole of a shower plate for supplying gas in the shape of a shower to a plasma processing chamber and to achieve the stable operation of equipment.
プラズマ処理室へシャワー状にガスを供給するシャワープレートのガス供給孔内での放電を防止し、装置の安定稼動を実現する。 - 特許庁 - When the lower electrode 106 is arranged at a processing position, the second ring-shaped body 16 is positioned inside the cylinder 124, and a plasma space 102a is formed.
下部電極１０６を処理位置に配置すると，第２環状体１１６が筒状体１２４の内側に配され，プラズマ空間１０２ａが形成される。 - 特許庁 - Emission intensity of plasma in the processing unit is acquired by an OES detector 21, and an etching controller 31 determines a regression equation by nonlinear regression analysis.
処理ユニット内のプラズマの発光強度は、ＯＥＳ検出器２１で取得され、エッチング制御装置３１が非線形回帰分析して回帰式を決定する。 - 特許庁
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