The platingsolution is a low reactive electroless platingsolution to deposit metal at a low speed on the fiber, the fiber bundle, the yarn and the like. めっき液は、繊維、繊維束や糸などに金属が低速度で析出する低反応性の無電解めっき液である。 - 特許庁
To provide an apparatus which removes a copper ion and an antimony ion contained in an electroless platingsolution with a minimum facility and enables the resultant platingsolution to be used again, and to provide a method therefor. 無電解めっき溶液内の銅イオン及びアンチモンイオンを除去するための装置及び方法を提供する。 - 特許庁
ELECTROLYTIC GOLD-PLATING SOLUTION AND GOLD PLATED FILM OBTAINED USING THE SAME 電解金めっき液及びそれを用いて得られた金皮膜 - 特許庁
NICKEL PLATINGSOLUTION, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC PARTS, AND ELECTRONIC PARTS ニッケルめっき液、電子部品の製造方法、及び電子部品 - 特許庁
ELECTROLESS PLATINGSOLUTION AND METHOD FOR FORMING WIRING USING THE SAME 無電解めっき液及びこれを用いた配線形成方法 - 特許庁
METHOD FOR QUANTITATIVELY ANALYZING SULFUR COMPOUND IN ELECTROLESS NICKEL PLATINGSOLUTION 無電解ニッケルめっき液の硫黄化合物定量分析方法 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION OF SULFUR COMPOUND IN ELECTROLESS NICKEL PLATINGSOLUTION 無電解ニッケルめっき液の硫黄化合物濃度測定方法 - 特許庁
DIRECT PLATING METHOD AND PALLADIUM CONDUCTIVE BODY LAYER FORMING SOLUTION ダイレクトプレーティング方法及びパラジウム導電体層形成溶液 - 特許庁
ELECTROLYTIC COPPER PLATINGSOLUTION AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME 電解銅めっき液および電解銅めっき液の管理方法 - 特許庁
To prepare a tin platingsolution or tin alloy platingsolution which obviates the generation of whiskers even if an object to be plated is not subjected to heat treatment. 被めっき物の加熱処理をしなくともウィスカーが発生しない、錫めっき液又は錫合金めっき液を提供する。 - 特許庁
To provide a plating apparatus and a plating method for enhancing the in-plane uniformity of the film thickness of a plating film by employing a dip system with excellent bubble removal and adjusting the flow of platingsolution in a plating tank. 気泡の抜けが良いディップ方式を採用し、しかもめっき槽内のめっき液の流れを調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるようにする。 - 特許庁
The apparatus for manufacturing semiconductor device includes: a plating treatment tank 1; a wafer support 3; a platingsolution jetting nozzle base piping 12; and multiple platingsolution jetting nozzles 13 for jetting the platingsolution toward a work surface of a wafer 2. 半導体装置の製造装置は、めっき処理槽1と、ウェハー支持部3と、めっき液噴射ノズル土台配管12と、ウェハー2の被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズル13とを備えている。 - 特許庁
To provide a metal platingsolution containing a metal platingsolution additive having excellent rust prevention after the metal plating and capable of easily removing rust in electrolytic metal plating. 電解金属めっきにおいて、金属めっき後の防錆性が良好であり、かつ容易に除去できる金属めっき液添加剤を含有する金属めっき液を提供することを目的とする。 - 特許庁
In this displacement gold plating method, treatment is performed by using a displacement gold platingsolution after nitrogen bubbling or a displacement gold platingsolution under continuous nitrogen bubbling in applying displacement gold plating to a nickel pattern on a printed wiring board. プリント配線板のニッケルパターンに置換金めっきする際に、窒素バブリングした置換金めっき液もしくは連続で窒素バブリングしている置換金めっき液で処理する置換金めっき方法。 - 特許庁
As the platingsolution, a sulfamic acid nickel platingsolution with saccharin of 0.3-2.0 g/L added thereto, and a nickel sulfate platingsolution with saccharin of 0.3-1.0 g/L added thereto can be used. めっき液として、サッカリンが0.3g/L〜2.0g/L添加されたスルファミン酸ニッケルめっき液、あるいはサッカリンが0.3g/L〜1.0g/L添加された硫酸ニッケルめっき液とすることができる。 - 特許庁
By dipping the printed wiring board having the through hole in the platingsolution, the agitating speed of the platingsolution which is brought into contact with one surface of the printed wiring board is made different from that of the platingsolution which is brought into contact with the other surface of the wiring board. スルーホールを有するプリント配線板をメッキ液に浸漬し、該プリント配線板の一方の面に接触するメッキ液と、他方の面に接触するメッキ液の攪拌速度を異なるようにした。 - 特許庁
The plating treatment can be performed with the platingsolution in a consistent state by setting the lapse of time after the solution temperature is adjusted to the predetermined value to be within a certain value, and dispersion of the composition of the platingsolution and the film thickness can be reduced. 設定温度に液温が調節されてからの経過時間をある時間内とすることで、メッキ液が安定した状態でメッキ処理を行え、メッキ液の組成、膜厚のバラツキを低減できる。 - 特許庁
To prevent deposition of a crystal caused by evaporation of liquid components of a platingsolution on a piping part for sending a compressed air to a platingsolution tank or an air bubble discharge part of a device for agitating the platingsolution using air. 空気攪拌によるめっき液の攪拌装置においてめっき液槽へ圧縮空気を送る配管部や気泡吐出部において、めっき液の液体成分の蒸発による結晶の析出を防止する。 - 特許庁
To provide a non-cyanide electroless gold platingsolution capable of being used in an acidic region condition and excellent in stability, and to provide a process for electroless gold plating using the non-cyanide electroless gold platingsolution. 酸性領域で用いることができ、且つ安定性に優れている非シアン無電解金めっき液及びこの非シアン無電解金めっき液を提供する。 - 特許庁
To provide a method measuring a metallic solution concentration and a reducing solution concentration in a non-electrolysis platingsolution. 無電解めっき溶液中の金属溶液及び還元剤溶液の濃度を測定する方法が開示されている。 - 特許庁
To properly change the stirring speed of an electrolytic solution, according to the amount or the like of an electrolyzing platingsolution. 電解液の攪拌速度を電解するメッキの量等に応じて適宜に変えられるようにする。 - 特許庁
PLATINGSOLUTION, OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE THIN FILM めっき液、酸化物薄膜および酸化物薄膜の製造方法 - 特許庁
To efficiently and automatically regenerate an electroless platingsolution. 無電解めっき液の再生処理を、効率的かつ自動的に行う。 - 特許庁
The electroless gold-plating solution includes hydrogen peroxide and a salt of halogenated gold. 過酸化水素と金ハロゲン化塩を含有する無電解金メッキ液。 - 特許庁
The electroless platingsolution preferably contains phosphinic acid. 前記無電解めっき液は更にホスフィン酸を含むことが好ましい。 - 特許庁
In the second process, the pH of an electroless platingsolution is 7 or less preferably, more preferably the electroless platingsolution is acidic. 前記第2工程において、好ましくは無電解めっき液のpHは7以下、より好ましくは無電解めっき液は酸性である。 - 特許庁
PLATINGSOLUTION AND METHOD OF MANUFACTURING CUTTING BLADE USING THE SAME めっき液及び該めっき液を用いての切削ブレードの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR STRIPPING AMINE BORANE COMPLEX FROM ELECTROLESS PLATINGSOLUTION 無電解メッキ溶液からアミンボラン錯体をストリッピングするための方法 - 特許庁
PALLADIUM CATALYST SOLUTION FOR ELECTROLESS PLATING AND CATALYST TREATMENT METHOD 無電解めっき用パラジウム触媒液及び触媒化処理方法 - 特許庁
The container 3 has a platingsolution passing holes 321 in the lower side and a mesh member 31 in the upper side and is dipped into a platingsolution 11. 容器3は、下側にめっき液流通孔321を有し、上側にメッシュ部材31を有し、めっき液11中に浸漬される。 - 特許庁
To provide an electroplating apparatus for performing electrolytic plating by using an electrolytic platingsolution containing sulfurous acid, wherein the reaction among the sulfurous acid contained in the electrolytic platingsolution, the dissolved oxygen in the electrolytic platingsolution, and atmospheric oxygen is inhibited to prolong the life of the electrolytic platingsolution. 亜硫酸が含まれる電解めっき液を使用して電解めっきを行う装置において、電解めっき液中に含まれる亜硫酸と電解めっき液中の溶存酸素および大気中の酸素の反応を抑制し、電解めっき液の長寿命化が図れる電解めっき装置を提供する。 - 特許庁
Furthermore, an amount of decomposition products of suppressors contained in the platingsolution based on the obtained total volume of the platingsolution, the volume of waste solution and the obtained cumulative charge. そして、取得した、全めっき液の容積、排出しためっき液量および累積電荷量に基づいて、めっき液に含まれる抑制剤の分解物量を算出する。 - 特許庁
To provide an electroless plating device which is capable of reducing incomplete plating or irregular plating, small in degradation of a platingsolution and change in concentration of the composition of the platingsolution, capable of keeping the plating temperature at a specified temperature, stable in plating quality, and capable of avoiding the increase in the cost in disposing the solution and the excessive burden on the environment. めっき欠け、めっきムラを少なくすることができ、めっき液の劣化、めっき液組成の濃度変化が少なく、めっき温度を所定の一定温度に保持でき、品質の安定しためっきを行なうことができ、且つ廃液に伴うコスト上昇及び環境への過大な負担を回避できる無電解めっき装置を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR DETECTING CONCENTRATION OF DECOMPOSITION PRODUCT, PLATINGSOLUTION AND PLATING APPARATUS 半導体装置の製造方法、分解生成物濃度検出方法、めっき液およびめっき処理装置 - 特許庁
ELECTROLESS COPPER PLATING METHOD WITHOUT USING FORMALDEHYDE, AND ELECTROLESS COPPER PLATINGSOLUTION THEREFOR ホルムアルデヒドを使用しない無電解銅めっき方法および該方法に使用される無電解銅めっき液 - 特許庁
PRETREATMENT SOLUTION FOR ELECTROLESS NICKEL PLATING ONTO COPPER OR COPPER ALLOY AND METHOD FOR ELECTROLESS NICKEL PLATING 銅あるいは銅合金上への無電解ニッケルめっき用前処理液及び無電解ニッケルめっき方法 - 特許庁
The electrolytic plating apparatus 10 has a substrate treatment region 20 for contacting the surface to be plated of a substrate with a platingsolution, and plating it therein. 電解めっき装置10は、基板の被めっき面にめっき液を接液してめっきを行う基板処理領域20を有する。 - 特許庁
To provide a plating apparatus which can remove any gas present between a substrate and a platingsolution within a short period of time, and a plating process therefor. 短時間で基板とめっき液との間の気体を排除することができるめっき装置およびめっき方法を提供する。 - 特許庁
The plating bath 10 comprises a cylindrical vessel with a shallow depth and an open top face, an upper chamber 10a composing a net electrolysis plating bath, and a lower chamber 10b composing a platingsolution introducing chamber. 上室10aが正味の電解メッキ浴槽を構成し、下室10bがメッキ液導入室を構成している。 - 特許庁
To provide a method for removing sulfate ions where sulfate ions contained in a used copper/cobalt platingsolution are effectively removed, and the updating frequency of the copper/cobalt platingsolution can be reduced, to provide an apparatus for removing sulfate ions, to provide a method for regenerating a copper/cobalt platingsolution, and to provide an apparatus for regenerating a copper/cobalt platingsolution. 使用済みの銅/コバルトメッキ液中に含まれる硫酸イオンを効果的に除去し、銅/コバルトメッキ液の更新頻度を低減させることのできる硫酸イオン除去方法、硫酸イオン除去装置、銅/コバルトメッキ液再生方法及び銅/コバルトメッキ液再生装置を提供する。 - 特許庁
The barrel plating device 1 is provided with a platingsolution bath 3 in which a platingsolution is filled, a barrel container 5 arranged rotatably in the platingsolution bath 3 and a gas jetting means 11 for jetting gas to the floated work in the barrel container from the upper side. バレルめっき装置1は、めっき液が充填されるめっき液槽3と、めっき液槽内に回転可能に配置されるバレル容器5と、バレル容器内の浮上ワークに対して上方から気体を噴射する気体噴射手段11とを備える。 - 特許庁
A compound, like a cyanine die, which suppresses a plating reaction and loses a plating reaction suppressing effect simultaneously with progression of the plating reaction is preferably added into the platingsolution. めっき液中には、シアニン色素のように、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う化合物を添加することが望ましい。 - 特許庁
Thereby, a plating dispersion liquid containing CO2 and an electrolytic platingsolution is supplied to the plating tank 61, and voltage is applied on electrodes to electrolytically plate the substrate placed in the plating tank 61. これにより、CO2及び電解めっき液を含むめっき分散体が供給され、電極に電圧が印加されて、めっき槽61内において電解めっきを行う。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a plating film, which reduces an influence of oxygen supply on the flow of a platingsolution and yields a highly reliable plating film, and a plating treatment device. 酸素供給時におけるめっき液の流れへの影響を低減し、信頼性の高いものを得る、めっき膜の製造方法、及びめっき処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide chemical treatment equipment by which, in plating treatment equipment where plating treatment is performed while vertically transferring a tape 158 mm in width, the unnecessary outflow of a platingsolution can be prevented and the inclusion of air bubbles into the platingsolution can be practically prevented, and to provide a chemical treatment method. 幅158mmのテープを縦にして搬送しながらメッキ処理を行うメッキ処理装置において、メッキ液が無駄に流出しないようにし、またメッキ液に気泡が巻き込まれにくいようにする。 - 特許庁
To provide an electrolytic tin platingsolution that controls corrosion of a ceramic electronic component body, which is caused by plating, and achieves stable plating, and to provide a method for manufacturing a ceramic electronic component using the electrolytic tin platingsolution. めっきによるのセラミック電子部品の素体の腐食を抑制し、安定しためっきが可能な電気スズめっき液及び当該電気スズめっき液を用いたセラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent the wasteful outflow of a platingsolution in a plating treating apparatus in which a tape with a width of 158 mm is subjected to plating treatment while being carried in a vertical state and further to make bubbles hard to be entangled in a platingsolution. 幅158mmのテープを縦にして搬送しながらメッキ処理を行うメッキ処理装置において、メッキ液が無駄に流出しないようにし、またメッキ液に気泡が巻き込まれにくいようにする。 - 特許庁
In the method of plating onto the aluminum material, the plating film f is deposited onto the surface of the aluminum material (pulley) 1 by electroplating using a composite platingsolution prepared by adding SiC particles 9 to a wear-resistant platingsolution. アルミ材のメッキ方法において、耐磨耗メッキ溶液にSiC粒子9を加えてなる複合メッキ溶液を用いた電気メッキにより、アルミニウム材(プーリ)1の表面にメッキ被膜fを生成することを特徴とする。 - 特許庁
The analyzing part 320 is provided with a sampling part 319 for sampling the platingsolution from the wafer treating part and an analyzing cup 336 for performing the analyses of the platingsolution by accomodating the platingsolution shifted from the sampling part 319. 分析部320は、ウエハ処理部からメッキ液をサンプリングするサンプリング部319と、サンプリング部319から移送されたメッキ液を収容してメッキ液の分析を行う分析カップ336とを備えている。 - 特許庁