According to the method, impurity pile up on the Si/SiO2 interface which can not be represented by a conventional Fair model can be represented without solving the diffusion equation related to pointdefect (i.e., without using a conventional pair diffusion model). この方法によれば,従来のFairモデルでは表せなかったSi/SiO_2界面における不純物パイルアップを,点欠陥に関連した拡散方程式を解くことなく(すなわち従来のペア拡散モデルを用いず)表すことが可能となる。 - 特許庁