「point variable」を含む例文一覧(407)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9- To provide a wireless apparatus by optimizing a control voltage for varying a transmission output applied to a drive amplifier and a final amplifier so as to operate the drive amplifier and the final amplifier at an optimum operating point by each transmission output at all times thereby improving a transmission efficiency, saving power and taking a wide variable range of the transmission output.
ドライブアンプとファイナルアンプに供給される送信出力可変用の制御電圧を最適化して、ドライブアンプとファイナルアンプが各送信出力で常に最適動作点で動作するようにすることにより、送信効率の向上を図って省電力化が可能になるとともに、送信出力の可変範囲を広くとることができる無線機を提供すること。 - 特許庁 - To provide a frictional continuously variable transmission structure capable of changing a speed by easily moving a frictional contact point without mounting a complicated mechanism even if a driving-side rotating body and a driven-side rotating body are stopped.
この発明は、駆動側回転体と従動側回転体との摩擦接触ポイントを移動させることで変速を行う摩擦式無段変速機構造において、駆動側回転体や従動側回転体が停止した場合でも、複雑な機構を設けることなく容易に摩擦接触ポイントを移動させて、変速することができる摩擦式無段変速機構造を提供することを目的とする。 - 特許庁 - When a gear shift is executed exceeding a rotation synchronizing point RSP from a present unit gear ratio IVTRATIO toward a target unit gear ratio DIVTRATIO, the gear ratio RATIO of a continuously variable transmission mechanism is changed directly toward a target unit gear ratio and simultaneously, sifting is effected with a power circulation mode clutch and a direct coupling mode clutch brought into a half-clutch state.
現在のユニット変速比ＩＶＴＲＡＴＩＯから目標ユニット変速比ＤＩＶＴＲＡＴＩＯへ向けて回転同期点ＲＳＰを超えて変速するときには、無種変速機構の変速比ＲＡＴＩＯを、直接、目標ユニット変速比へ向けて変速すると同時に、動力循環モードクラッチと直結モードクラッチを半クラッチ状態にして切り換えを行う。 - 特許庁 - A mounting structure of a semiconductor package is formed by electrically connecting and laminating a first semiconductor package 20 and a second semiconductor package 30 using variable melting point solder 41 as a first connecting member and then connecting a laminated semiconductor package electrically with a printed wiring board 10 using solder 40 as a second connecting member.
この半導体パッケージの実装構造は、第１の半導体パッケージ２０と第２の半導体パッケージ３０とを第１の接続部材としての融点変化型はんだ４１で電気的に接続して積層化した半導体パッケージとしており、この積層化した半導体パッケージをプリント配線基板１０と第２の接続部材としてのはんだ４０で電気的に接続することにより形成されている。 - 特許庁 - The controller, which outputs a manipulated variable subjected to PID operation to bring a measured value in a controlled object at a predetermined set point, comprises PID value calculating means for calculating a PID value through automatic tuning operation, and PID value correcting means for correcting the PID value calculated by the PID value calculating means in dependence on characteristics of the controlled object.
制御対象における測定値を予め定められた設定値に一致させるようにＰＩＤ演算を施して操作量を出力する調節計において、オートチューニング動作によりＰＩＤ値を算出するＰＩＤ値算出手段と、制御対象の特性に応じて、ＰＩＤ値算出手段により算出されたＰＩＤ値を修正するＰＩＤ値修正手段とを備える。 - 特許庁 - A coarse adjustment mechanism control part 153 instructs a coarse adjustment mechanism part 20 to start the movement of a sample 2 in a direction close to a probe 12, and thereafter, whenever predetermined conditions are satisfied, resets a set point value at a value obtained by adding a predetermined offset frequency to the variable frequency Δf shown by an electric signal from a frequency detecting device 10 at the time when predetermined conditions are satisfied.
粗動機構制御部１５３は、プローブ１２に接近する方向への試料２の移動の開始を粗動機構部２０に指示した後、予め定める条件が満たされる度に、予め定める条件が満たされた時点に、周波数検出装置１０からの電気信号が示す変動周波数Δｆに、設定されているオフセット周波数を加算した値をセットポイントの値に再設定する。 - 特許庁 - The resistance change memory device includes a memory cell MC configured by serially connecting a variable resistance element whose resistance state is reversibly changed by voltage or current application and a diode, and state transition stabilizing transistors MP and MN serially connected to the current path of the memory cell to stabilize the resistance state transition of the memory cell by an operation point movement due to the resistance state transition.
抵抗変化メモリ装置は、電圧又は電流印加により抵抗状態が可逆的に遷移する可変抵抗素子とダイオードを直列接続して構成されるメモリセルＭＣと、前記メモリセルの電流経路に直列に接続されて、前記メモリセルの抵抗状態遷移に伴う動作点移動によりその抵抗状態遷移を安定化させる状態遷移安定化用トランジスタＭＰ，ＭＮとを有する。 - 特許庁
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