「poly cmp」を含む例文一覧(4)
- Subsequently, the backside of the Si substrate 50 is ground by CMP to expose the bottom of the SiO_2 film 52 and the Poly-Si 54.
その後、Ｓｉ基板５０の裏面をＣＭＰにより研削し、ＳｉＯ_２膜５２とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４の底部を露出させる。 - 特許庁 - In the landing plug contact forming method, an existing CMP process is not used for a poly-silicon recess for isolating the landing plug contact (LPC), but an etch-back process of two steps is used.
本発明では、ランディングプラグコンタクト(ＬＰＣ)の分離のためのポリシリコンリセス(Ｒｅｃｅｓｓ)のために、既存のＣＭＰ工程を用いず、２ステップのエッチバック工程を用いる。 - 特許庁 - To provide a landing plug contact forming method of a semiconductor element capable of preventing a step between a poly-silicon film and a gate hard mask nitride film in a CMP process for forming a landing plug contact.
ランディングプラグコンタクト形成のためのＣＭＰ工程時、ポリシリコン膜とゲートハードマスク窒化膜との間の段差を防止できる半導体素子のランディングプラグコンタクト形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the number of times of exposure processing in an element isolation process applying CMP and subsequent process of poly-Si deposition.
ＣＭＰを適用した素子分離工程ならびにその後のｐｏｌｙ−Ｓｉデポジションまでの工程における露光工程の回数を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を実現することにある。 - 特許庁
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