「polycrystals」を含む例文一覧(39)
- Thereby, even if a long SiC single crystal 20 is grown, the adhesion of the polycrystals on the outer edge part of the SiC single crystal 20 caused by the rising of the polycrystals is prevented.
これにより、ＳｉＣ単結晶２０を長尺成長させたとしても、多結晶のせり上がりによりＳｉＣ単結晶２０の外縁部に多結晶が癒着することを防止することが可能となる。 - 特許庁 - The first and second crystalline semiconductor films are polycrystals in which a plurality of crystalline grains are aggregated.
第１及び第２結晶質半導体膜は、複数の結晶粒が集合した多結晶体である。 - 特許庁 - To provide an apparatus for making compound semiconductor single crystals having good reproducibility and in which polycrystals are not generated.
多結晶の発生が無く、再現性のよい化合物半導体単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a crystal manufacturing apparatus that can continuously, inexpensively and easily manufacture single crystals or polycrystals with high qualities.
単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。 - 特許庁 - To produce a SiC single crystal having a higher quality by suppressing the adhesion of polycrystals to a SiC single crystal.
ＳｉＣ単結晶に多結晶が癒着することを抑制し、より高品質なＳｉＣ単結晶を製造できるようにする。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for efficiently producing small-sized silicon spheres consisting of polycrystals or single crystals.
多結晶または単結晶からなる小径のシリコン球状体を効率的に製造する方法および装置を提供する。 - 特許庁 - The crystal-oriented ceramic of the invention is characterized in that it comprises polycrystals whose main phase is a first perovskite-type compound containing at least K and Nb, and that the pseudo-cubic {100} planes of respective crystal grains constituting the polycrystals are oriented.
本発明に係る結晶配向セラミックスは、少なくともＫ及びＮｂを含む第１のペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する各結晶粒の擬立方｛１００｝面が配向していることを特徴とする。 - 特許庁 - The crystal-orientated ceramic is composed of polycrystals consisting of the first Perovskite type compound at least comprising Ba and Ti as the main phase, and the pseudo cubic {100} face of each crystal grain composing the polycrystals is orientated.
本発明に係る結晶配向セラミックスは、少なくともＢａ及びＴｉを含む第１のペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する各結晶粒の擬立方｛１００｝面が配向していることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a new and improved production process for a GaAs single crystal, which enables reduction in degree of occurrence of twins or polycrystals in a produced GaAs single crystal and production of a high quality GaAs single crystal at a low cost and with good reproducibility by inhibiting nitride from being formed in the synthesis of GaAs polycrystals.
ＧａＡｓ多結晶を合成する際に窒化物の形成を抑制して双晶や多結晶の発生率を低減し，高品質のＧａＡｓ単結晶を再現性良くかつ低コストで製造することが可能な，新規かつ改良されたＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for producing an SiC single crystal whereby the influence of SiC polycrystals falling onto the inside of a heating vessel is suppressed.
加熱容器内に落下するＳｉＣ多結晶の影響を抑制できるＳｉＣ単結晶製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for producing a silicon carbide single crystal capable of preventing polycrystals from depositing on the surface of a raw material for sublimation.
昇華用原料の表面に多結晶が析出することを防止できる炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁 - The vapor deposition material consists of polycrystals having an MgO purity of ≥99.0% and a relative density of ≥90.0%, and having a chlorine Cl content of 0.01 to 50 ppm.
ＭｇＯ純度が９９．０％以上かつ相対密度が９０．０％以上で、塩素Ｃｌ含有量が０．０１〜５０ｐｐｍの多結晶とした。 - 特許庁 - The vapor deposition material consists of polycrystals having an MgO purity of ≥99.0% and a relative density of ≥90.0%, and having a phosphorus P content of 0.01 to 30 ppm.
ＭｇＯ純度が９９．０％以上かつ相対密度が９０．０％以上で、リンＰ含有量が０．０１〜３０ｐｐｍの多結晶とした。 - 特許庁 - The vapor deposition material consists of polycrystals having an MgO purity of ≥99.0% and a relative density of ≥90.0%, and having a sulfur S content of 0.01 to 50 ppm.
ＭｇＯ純度が９９．０％以上かつ相対密度が９０．０％以上で、硫黄Ｓ含有量が０．０１〜５０ｐｐｍの多結晶とした。 - 特許庁 - The vapor deposition material consists of polycrystals having an MgO purity of ≥99.9% and a relative density of ≥90.0%, and having a nitrogen N content of 0.01 to 200 ppm.
ＭｇＯ純度が９９．０％以上かつ相対密度が９０．０％以上で、窒素Ｎ含有量が０．０１〜２００ｐｐｍの多結晶とした。 - 特許庁 - By virtue of such a structure, the formation of polycrystals at a part located in the periphery of the seed crystal 5 in the base 9 is restrained by the effect of the purge gas.
このような構造とすれば、パージガスの影響により、台座９のうちの種結晶５の周囲に位置する部分に多結晶が形成されることを抑制できる。 - 特許庁 - It is possible to significantly increase ultraviolet light generation efficiency compared to when using a Pr:LuAG monocrystalline film by means of using Pr:LuAG polycrystals as the target.
Ｐｒ：ＬｕＡＧ多結晶をターゲットとして用いることによって、Ｐｒ：ＬｕＡＧ単結晶膜を用いた場合よりも顕著に紫外光発生効率を高めることができる。 - 特許庁 - This also control deposition of SiC polycrystals on unnecessary parts other than the growth tip for a growing crystal and allows the growing crystal to grow for a long period of time.
これにより成長結晶の成長端面以外の不要な箇所でのＳｉＣ多結晶の堆積を抑制し、成長結晶の長時間にわたる成長が可能となる。 - 特許庁 - The stacked piezoelectric device and the manufacturing method thereof are constituted by laminating plurally and alternately the piezoelectric ceramic layers composed of polycrystals in which isotropic perovskite type compounds are made to be main phases wherein crystal planes {100} of crystal particles constituting the relevant polycrystals are composed of crystallographic orientation ceramic; and an electrode provided layer including an electrode constituting an internal electrode.
等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、これを構成する結晶粒の結晶面｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスよりなる圧電セラミック層と、内部電極を構成する電極部を含む電極配設層とを複数交互に積層してなる積層型圧電素子及びその製造方法である。 - 特許庁 - To provide compact, homogeneous single-phase diamond polycrystals having strength, hardness, and heat resistance enough for a cutting tool or a drill bit.
切削工具やドリルビットとして十分な強度、硬度、耐熱性を有する緻密で均質なダイヤモンド単相の多結晶体およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a process for producing an InP single crystal of a high yield by suppressing the generation defects, such as polycrystals and twins, when growing the InP single crystal, thereby enhancing a single crystallization rate.
InP単結晶を成長させる際に、多結晶や双晶などの欠陥が発生するのを抑制し、単結晶化率を高め、歩留まりが高いInP単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - As a process modified layer on a corner or side faces of the base substrate is removed by the above etching, polycrystals or crystals of different plane directions are prevented from precipitating around the GaN single crystal ingot.
前記のエッチングにより下地基板の角や側面の加工変質層が除去されるので、ＧａＮ単結晶インゴットの周囲にポリ結晶や異面方位結晶が析出するのを抑制する。 - 特許庁 - To suppress the formation of polycrystals, which generate partially in the process for growing a single crystal, and to produce a crystal body having improved purity, in the production of a fluoride single crystal by a pulling method.
引き上げ法によるフッ化物単結晶の製造において、単結晶の育成の過程で部分的に生じる多結晶化の発生を低く抑え、より高純度の結晶体を製造すること。 - 特許庁 - This controls the formation of polycrystals on the circumference of the base 9 and the inner wall of the heating container 8 and prevents clogging of the flow path for a material gas 3.
これにより、台座９の周囲や加熱容器８の内周壁面に多結晶が形成されることを抑制することが可能となり、原料ガス３の流路の閉塞を防止することが出来る。 - 特許庁 - To prevent first dislocation generation and polycrystals in a crystal and the deformation of the crystal and to improve the yield of the products by preventing swinging of the surface of a melt in a crucible when the crystal is grown by a Czochralski method.
ＣＺ法による結晶育成時に、坩堝内の液面ゆれを防止することで、結晶の有転位化、多結晶化、および結晶変形を防止し製品の歩留まりを向上させる。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric ceramic, which reduces the curvature of a test piece and an electric field induced distortion difference between its both surfaces and is formed of non-lead piezoelectric polycrystals, and to provide its manufacturing method and a piezoelectric/electrostrictive device containing the piezoelectric ceramic.
試料の湾曲、試料両面の電界誘起歪の差を改善する、非鉛圧電多結晶体によって構成された圧電セラミックス、その製造方法、その圧電セラミックスを含む圧電／電歪素子を提供する。 - 特許庁 - The titanium oxide particles 10 are produced by putting crushing zirconia balls, titanium oxide comprising polycrystals and methanol in a crushing vessel and then rotating and revolving the crushing vessel to crush the titanium oxide.
酸化チタン粒子１０は、ジルコニアからなる粉砕ボールと、多結晶からなる酸化チタンと、メタノールとを粉砕容器に入れ、粉砕容器を自転および公転させて酸化チタンを粉砕することによって製造される。 - 特許庁 - Further, because the method does not require use of a holding member such as a screw, crystallization of polycrystals due to difference in local temperature distribution near a holding member is prevented and a high-quality silicon carbide single crystal can be obtained.
また、ネジ等の保持部材も用いる必要がないので保持部材近傍での局所的な温度分布の違いによる多結晶の析出もなく、高品質の炭化珪素単結晶を得ることができる。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently producing small-sized silicon spheres consisting of polycrystals or single crystals with a high throughput so as to be suited to mass production and to provide a production apparatus therefor.
本発明の目的は、多結晶または単結晶からなる小径のシリコン球状体を量産に適合するように、高いスループットを有し、効率的に作製する方法およびそれを実現する装置を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a source melt supply device preventing the surface of a source melt from waving upon supplying the source melt into a heat-resistant container, when various types of single crystals or polycrystals are produced from the source melt.
原料融液から各種の単結晶体または多結晶体を製造する場合、原料融液を耐熱性容器中に供給する際に原料融液の液面に揺れが生じることを防止できる原料融液供給装置を提供する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor film, whose crystal azimuth is roughly aligned and whose crystal defects are reduced by forming a non-single crystal semiconductor thin film such as amorphous or polycrystals on a non-single crystal insulating film or a non-single crystal insulating substrate, and crystallizing it by adding energy.
非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成してエネルギーを加えて結晶化し、大略結晶方位の揃った結晶欠陥が少ない半導体膜を得る。 - 特許庁 - The tubular SiC-compact made with a CVD method comprises a tubular body composed of a SiC layer consisting of fine polycrystals having particular crystallinity, and the inner and outer faces formed /deposited with columnar crystals of particular crystallinity.
ＣＶＤ法により作製される管状のＳｉＣ成形体であって、管状部本体は特定した結晶性状の微粒多結晶からなるＳｉＣ層で構成され、その内外面は結晶性状を特定した柱状結晶が形成、被着された構造からなる。 - 特許庁 - To provide a crystal-oriented ceramic comprising polycrystals of a perovskite-type compound, oriented at a high degree of orientation in the pseudo-cubic {100} plane and capable of controlling the composition relatively easily, its production method, and to provide an anisotropic-shape powder to be used for the ceramic and its production method.
ペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１００｝面が高い配向度で配向し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a crystal-orientated ceramic composed of polycrystals of a Perovskite type compound, in which a pseudo cubic {100} face is orientated at a high orientation, and further, compositional control is relatively simple, to provide a production method therefor, to provide powder with an anisotropic shape used therefor, and to provide a production method therefor.
ペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１００｝面が高い配向度で配向し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A non-diamond carbon substance is charged into a pressure cell equipped with an indirect heating means 4 and heated under pressure; thus, the substance is directly converted, without adding a combustion assistant or a catalyst, into compact and homogeneous diamond polycrystals having an average particle size of 100 nm.
間接的に加熱する手段４を備えた圧力セルに非ダイヤモンド炭素物質を入れ、加熱および加圧を行うことにより、焼結助剤や触媒の添加なしに直接変換で多結晶ダイヤモンドを製造することにより、平均粒径が１００ｎｍの緻密で均質なダイヤモンド多結晶体を得る。 - 特許庁 - To prevent the solidification at the outer peripheral part from being earlier than that at the inside of a crystal, and to inhibit the generation of polycrystals caused by accumulation of dislocations at the inside during growth of the crystal by uniformizing the temperature distribution in the radial direction of the growth interface, in a semiconductor crystal growth process based on a VB method or a VGF method.
ＶＢ法又はＶＧＦ法による半導体結晶成長方法において、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止可能にする。 - 特許庁 - The thin ferroelectric films having uniaxial preferential orientability are manufactured by forming ≥2 kinds of the thin ferroelectric films having a plurality of kinds of the preferential orientability on a polycrystalline Pt film formed on a substrate of any among a single crystal, polycrystals, or amorphous material by using an a chemical solution deposition process and an arc discharge reactive ion plating process.
化学溶液堆積法とアーク放電反応性イオンプレーティング法を用いて、単結晶、多結晶、非晶質の何れかの基体上に形成された多結晶のＰｔ膜上に、２種類以上の複数種の優先的な結晶配向性の強誘電体酸化物薄膜を形成し、１軸優先配向性の強誘電体薄膜を作製する。 - 特許庁 - In a liquid phase epitaxial growth method for growing the crystal thin film on a semiconductor wafer 3 inside a growth container 2 filled with a raw material solution 1, the semiconductor wafers 3 are arranged in parallel with one another at intervals so as to eliminate the incorporation of polycrystals which have dimensions to adhere to the surface of the semiconductor wafer 3 and inhibit epitaxial growth.
原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。 - 特許庁 - When reflected ultrasonic waves from grain boundaries formed along with the generation of polycrystals in the crystal 5, are detected by the ultrasonic receiver 13, the pulling-up operation is temporarily stopped and the crystal 5 is lowered to dissolve the polycrystal parts and thereafter, the single crystal growth operation is restarted.
液体封止チョコラルスキー法で原料融液７から結晶５を引き上げる際、成長中の結晶５中に超音波発信装置１２から超音波を伝搬させると共にその反射波を超音波受信装置１３で受信し、多結晶の発生に伴い結晶５中に形成される粒界の部分からの反射波が前記超音波受信装置１３で検出されたときは、結晶５の引き上げを一旦停止し、結晶５を降下させて多結晶部を溶解させてから単結晶成長を再開する。 - 特許庁
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