The potential measuring probe 3 includes a sensing electrode 4 for inducing a charge in response to a potential in a measurement region 2. 電位測定プローブ3は、測定領域2の電位に応じて電荷が誘起される検知電極4を含む。 - 特許庁
A transition of the potential DS of the power supply line from a high potential Vcc to a low potential Vss, i.e. transient response of a fall is made slower than a transition from the low potential Vss to the high potential Vcc, i.e. transient response of a rise. 電源供給線の電位DSの高電位Vccから低電位Vssへの遷移、即ち立ち下がりの過渡応答(トランジェント)を、低電位Vssから高電位Vccへの遷移、即ち立ち上がりの過渡応答よりも遅くする。 - 特許庁
If response speed is required, a potential is measured in the non-feedback type potential measurement system, and the potential to be measured is calculated based on the stored characteristic information. 応答速度が要求される際は、ノンフィードバック型の電位測定系にて電位を測定し、保存しておいた特性情報に基づき測定対象の電位を算出する。 - 特許庁
Response time can be shortened by restricting the output equal to or below the reference potential. 出力を基準電位以下に制限することにより、応答時間を短縮することができる。 - 特許庁
The output section 10 outputs a control signal RS in response to a potential at an intermediate potential node N1 to an internal circuit 3 at power on. 出力部10は、電源投入時に、中間電位ノードN1の電位に応じた制御信号RSを内部回路3に出力する。 - 特許庁
The means for controlling memories, in response to the clock, generates a data strobe signal to change to the first electric potential state and the second electric potential state. メモリ制御手段は、前記クロックに対応し、第1の電位状態と第2の電位状態とに遷移するデータストローブ信号を生成する。 - 特許庁
The memory control means generates, in response to the clock, a data strobe signal shifted between a first potential state and a second potential state. メモリ制御手段は、前記クロックに対応し、第1の電位状態と第2の電位状態とに遷移するデータストローブ信号を生成する。 - 特許庁
In this method, feedback type potential measurement systems 8-1, 107-1 with high accuracy but slow response time are combined with non-feedback type potential measurement systems 8-2, 107-2 with fast response time but low accuracy. 高精度だが長応答時間のフィードバック型の電位測定系8−1,107−1と、短応答時間だが低精度のノンフィードバック型の電位測定系8−2,107−2とを併用する。 - 特許庁
To provide an instantaneous response amplitude limiting amplifier circuit in which the response deterioration of a potential rising part or a potential falling part of waveform does not occure, and an excessive high speed performance for its circuit configuration is not needed. 波形の電位上昇部、電位下降部の応答劣化が生ぜず、回路構成に過剰な高速性能が要求されないようにした瞬時応答振幅制限増幅回路を提供する。 - 特許庁
By utilizing the relationship between a measurement target and the surface potential measuring device, potential is measured by performing an operation from two points, thus reducing response time. 測定対象と表面電位測定装置の関係を利用し、二点からの演算を行う事で電位を測定し、応答時間の短縮を可能とする。 - 特許庁
The sensitivity and the response speed of the secondary electron signal are improved in a wide potential measurement by varying the potential of the energy filter grid. エネルギーフィルタグリッドの電位を可変とすることにより、幅広い電位測定における感度の向上及び2次電子信号の応答速度の向上を図る。 - 特許庁
To observe a membrane potentialresponse of a cell to a stimulus with high spatial flexibility and temporal resolution. 刺激に対する細胞の膜電位応答を高い空間自由度および時間分解能で観察する。 - 特許庁
A color tone response of the sample is compared with a standard color chart to determine the toxic ammonia potential. このサンプルの色調応答が標準色チャートと比較され、毒性アンモニア潜在能が判定される。 - 特許庁
In response to inactivation of the 2nd scanning line, a common potential Vcom supplied to the common potential supply line 8 and a common electrode potential VLCCOM applied to a counter electrode Ncm are set at different potentials in response to potential change occurring in the pixel electrode Npx, respectively, that is, taking into consideration field-through. 共通電位供給線8に供給される共通電位Vcomと、対向電極Ncmに印加される共通電極電位VLCCOMとは、第2の走査線6の非活性化に応答して画素電極Npxに生じる電位変化、すなわちフィードスルーを考慮して、それぞれ異なる電位に設定される。 - 特許庁
In response to activation of a 2nd scanning line 6, a potential- applying circuit 31 electrically connects either of a write reference potential supply line 7 or a common potential supply line 8, according to the potential of the node N1 to a pixel electrode Npx. 電位印加回路31は、第2の走査線6の活性化に応答して、書込基準電位供給線7と共通電位供給線8のうちの、ノードN1の電位に応じた一方を画素電極Npxと電気的に結合する。 - 特許庁
WEB PAGE ACCESS RECORDING SYSTEM, PROGRAM FOR OUTPUTTING ACCESS LOG AND METHOD FOR IDENTIFYING RESPONSE TO ADVERTISEMENTS SENT TO POTENTIAL CUSTOMERS ホームページのアクセス記録システム、アクセスログを出力するプログラム及び案内送付先の反応を把握する方法 - 特許庁
A switch circuit 14 provided on the positive electrode side of the battery 11 is operated in response to the potential of the positive electrode terminal 12. 正極端子12の電位に応答して、電池11の正極側に設けたスイッチ回路14が動作する。 - 特許庁
SENSITIVE SUBSTANCE NATURE GENERATION TYPE NEGATIVE ION SELECTIVE ELECTRODE CONTAINING POTENTIAL STABILIZER, AND RESPONSE FILM FOR ELECTRODE 電位安定剤を含有した感応物質自然発生型陰イオン選択性電極および電極用応答膜 - 特許庁
In response to a character inputted in the input field, a list of potential contacts is provided to the user. 入力フィールドに入力された文字に応答して、可能性のあるコンタクトのリストがユーザに提供される。 - 特許庁
The 5th switch section SW5 connects/disconnects the back gate to/from the high potential power supply Vdd, in response to the potential of an external signal applied to the input output terminal P0. 第5スイッチ部SW5は、出力端子P0に印加される外部信号の電位に応答して該バックゲートと高電位側電源Vddとの間を接離する。 - 特許庁
To provide a surface potential detection device capable of outputting a result of potential determination, polar determination, or the like at a high speed, and increasing detection response speed. 電位の判定や極性判別などの結果を高速で出力することが可能で、検出応答速度の高速化が図れる表面電位検出装置を提供する。 - 特許庁
The controller further calculates a future risk potential RP predicted based on them, and calculates an accelerator pedal reaction force command value ΔF in response to the potential RP. コントローラは、さらに、これらに基づいて予測される将来のリスクポテンシャルRPを算出し、リスクポテンシャルRPに応じたアクセルペダル反力指令値ΔFを算出する。 - 特許庁
The reference potential generating circuit 200 includes a potential generating section 210 activated in response to an enable signal EN and a potential generating section 220 activated regardless of the enable signal EN, and an output node of the potential generating section 210 and an output node of the potential generating section 220 are commonly connected to the comparator circuit 151. 基準電位生成回路200は、イネーブル信号ENに応答して活性化される電位発生部210と、イネーブル信号ENに関わらず活性化される電位発生部220とを含み、電位発生部210の出力ノードと電位発生部220の出力ノードが比較回路151に共通接続されている。 - 特許庁
When a response packet is received from a potential attacker, the TCP server verifies correctness of a positive response number in the received packet, thereby judging whether the potential attacker is possible to be the TCP stateless hog. 応答パケットを潜在的アタッカから受信したとき、TCPサーバが、受信したパケット中の肯定応答番号の正確さを検証し、それによって潜在的アタッカがTCPステートレス・ホグである可能性があるか否かを判定する。 - 特許庁
The imaging device 101 includes a controller 6 for setting the initial potential barrier height of a discharge gate 212a which corresponds to a start potential of discharge by controlling a control potential through a control potential generating portion 212e in response to an output signal of a pixel circuit 211. 撮像装置101は、画素回路211の出力信号に応じて、制御電位発生部212eを通じて制御電位を制御することによって、電荷排出の開始電位に対応する電荷排出ゲート212aのポテンシャル障壁の初期の高さを設定する制御部6を備える。 - 特許庁
The coupling element electrically couples or cuts off low potential terminals of the differential transistor pair in response to the enable signal. 結合素子は、イネーブル信号に応答して差動トランジスタ対の低電位端子を電気的に結合するか遮断する。 - 特許庁
To provide a system for manufacturing an object having a potential [x] that is generated in response to a field [f] applied thereto. 対象物に印加されるフィールド[f] に応じて生成されるポテンシャル[x] を有する対象物の製造システムを提供する。 - 特許庁
The crack shape is identified so that the square of the difference between the potential difference actual data and the potential difference reference data and the response to them for a change in the crack shape should be both minimum. き裂形状の変化に関する、電位差実測データと電位差基準データとの、差の二乗およびそれらの総和の応答が、いずれも最小になるようにき裂形状を同定する。 - 特許庁
A voltage control section 12 of a comparison circuit 10 supplies a high potential voltage AVD and a low potential voltage (ground GND) to a first terminal of a capacitor C11 in response to a clock signal CK. 比較回路10の電圧制御部12は、キャパシタC11の第1端子に、クロック信号CKに応答して高電位電圧AVDと低電位電圧(グランドGND)を供給する。 - 特許庁
A drive circuit section connects to the power circuit section and outputs a control signal whose high level is the first potential and whose low level is the second potential in response to a terminal switching signal. 駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第1の電位をハイレベルとし前記第2の電位をローレベルとする制御信号を出力する。 - 特許庁
A current control part Q19 is connected electrically to the common ground potential, and makes a current in response to the control signal S1 flow to the high-impedance resistance R21 to control the common ground potential. 電流制御部Q19は、コモングランド電位と電気的に接続され、制御信号S1に応じた電流を高インピーダンス抵抗R21に流し、コモングランド電位を制御する。 - 特許庁
The application part applies the first potential waveform selected from the two or more kinds of first potential waveform in response to a command for ejecting the liquid droplet in the first target ejecting amount to the element. 印加部は、液体滴を第1目標吐出量で吐出させるための指令に応じて、複数種類の第1電位波形の中から選択した第1電位波形を、素子へ印加する。 - 特許庁
To produce a highly active visible ray response type photocatalyst capable of generating holes with high oxidation potential and electrons with high reduction potential both at the same time. 可視光照射の下、酸化電位の高い正孔と還元電位の高い電子の両方を同時に生成することのできる高活性な可視光応答型光触媒を提供する。 - 特許庁
This semiconductor memory device includes a memory cell, a signal line in which a potential appears according to data read from the memory cell, and a sense amplifier for starting the potential amplification of the signal line in response to a potential detection circuit for outputting a detection signal, and the detection signal upon detection that the potential of the signal line exceeds a predetermined potential. 半導体記憶装置は、メモリセルと、メモリセルから読み出すデータに応じた電位が現れる信号線と、信号線の電位が所定の電位を超えたことを検出すると検出信号を出力する電位検出回路と、検出信号に応答して信号線の電位の増幅を開始するセンスアンプを含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide an ion selective electrode which makes a stain easy to adhere to or fall from response glass and is less apt to produce asymmetric potential. 応答ガラスに汚れが付きにくく落ちやすいとともに、不斉電位が生じにくいイオン選択性電極を提供する。 - 特許庁
To provide a potential difference sensor which suppresses the leakage current on the surface of an electrode and has an improvement in its dynamic range and response speed. 電極表面でのリーク電流を抑制し,ダイナミックレンジ及び応答速度を改善した電位差式センサを提供する。 - 特許庁
Where an automatic response mail from the seller is sent in response to the potential purchaser's order, and the e-mail expressly indicates that the seller will declare his/her intention to accept the order separately.
購入希望者による申込みに対し、売主から自動返信メールが送られてきたが、当該メールにおいて、承諾の意思表示が別途なされることが明記されている場合 - 経済産業省
A preceding conduction means (SW13) which is controlled in response to a clock signal (CLK1) makes an output signal line corresponding to a first circuit (61) which has positive polarity of a potential higher than a reference potential and an output signal line corresponding to a second circuit (62) which has negative polarity of a potential lower than the reference potential electrically conductive with each other. クロック信号(CLK1)により制御される先行導通手段(SW13)は、基準電位より高い電位である正極性を有する第1回路(61)の出力信号線と、基準電位より低い電位である負極性を有する第2回路(62)の出力信号線とを導通させる。 - 特許庁
Consequently, a signal to be output in response to the operating voltage of the first or the second input/output cell 31a, 31b under operation (the first high-potential power supply VDD1 or the second high-potential power supply VDD2). 従って、動作する第1又は第2入出力セル31a,31bの動作電圧(第1の高電位電源VDD1又は第2の高電位電源VDD2)に応じた信号が出力される。 - 特許庁
In order to achieve this, an exposure amount, electric potential of charging a photoreceptor drum, electric potential of a developing bias, a primary transfer current supplied to a primary transfer device, and so forth are controlled in response to the kind of the recording paper. これを実現するために、露光量や、感光体ドラムの帯電電位、現像バイアスの電位、1次転写器に供給する1次転写電流等を、記録用紙の種別に応じて制御する。 - 特許庁
A controller computes risk potential which expresses degree of approach of an associated vehicle to a front obstruct, and computes a reaction force control command value of the operating reaction force to be generated by an accelerator pedal in response to the risk potential. コントローラは、自車両と前方障害物との接近度合を表すリスクポテンシャルを算出し、リスクポテンシャルに応じてアクセルペダルに発生させる操作反力の反力制御指令値を算出する。 - 特許庁
A controller calculates risk potential indicating an approaching degree between its own vehicle and a preceding vehicle, and also calculates a reaction control command value of operation reaction to be generated by an accelerator pedal in response to the risk potential. コントローラは、自車両と前方障害物との接近度合を表すリスクポテンシャルを算出し、リスクポテンシャルに応じてアクセルペダルに発生させる操作反力の反力制御指令値を算出する。 - 特許庁
To keep a response time of potential measurement constant, even when a vibration amplitude of a tuning fork type vibrator 8e of a potential sensor 8 is deteriorated by a change with elapse of time, an environmental change or the like, in an image forming device. 画像形成装置において、経時変化や環境変化等により、電位センサー8の音叉型振動子8eの振動振幅が劣化した場合でも、電位測定の応答時間を一定に保つ。 - 特許庁
The resistance value between the input terminal and the prescribed potential may be changed in response to a voltage impressed to the inspection terminal. また、検査端子に印加される電圧に応じて、入力端子と所定の電位との間の抵抗値を変化させることができる。 - 特許庁
phenomenon that occurs when two or more neural impulses that alone are not enough to trigger a response in a neuron combine to trigger an action potential 単独では神経の反応を引き起こすのには不十分な2つ以上の神経刺激が合わさって、活動電位を引き起させる現象 - 日本語WordNet
(2) If the automatic response e-mail to the offer made by a potential purchaser expressly indicates that a declaration of intent to accept would be given separately.
②購入希望者による申込みに対し、自動返信メールにおいて、承諾の意思表示が別途なされることが明記されている場合 - 経済産業省
The second voltage conversion circuit 12 is supplied with the power supply potential VDDH, and outputs an output signal having an amplitude between the power supply potential GND and the power supply potential VDDH in response to a voltage signal output from the first voltage conversion circuit 11. 第2の電圧変換回路12は、電源電位VDDHが供給されると共に、第1の電圧変換回路11から出力された電圧信号に応じて電源電位GNDと電源電位VDDHとの間の振幅を有する出力信号を出力する。 - 特許庁
This solid-state imaging unit is provided with an imaging means having a plurality of unit pixels, a selecting means for selecting a unit pixel, a signal line for receiving a signal potential or first reference potential from a unit pixel, and a correcting means for giving a second reference potential to the signal line in response to a correction instruction signal. 複数の単位画素を有する撮像手段と、単位画素を選択する選択手段と、単位画素から信号電位または第1基準電位を受ける信号線と、補正命令信号に応答して信号線に第2基準電位を与える補正手段とを具備する。 - 特許庁
To provide a board electric potential detecting circuit and a board electric potential generating circuit where, with no process-dependency, a board electric potential is detected and controlled at high precision, a response speed is high, latch-up is prevented, the occupation area of element is suppressed from increasing, and a leak current is suppressed. プロセス依存性を有することなく基板電位を高精度で検知し制御することができ、応答速度が速く、ラッチアップを防止できると共に、素子の占有面積の増大を抑制し、リーク電流を抑制することができる基板電位検知回路及び基板電位発生回路を提供する。 - 特許庁