「prebake」を含む例文一覧(19)
- PREBAKE METHOD AND PREBAKE APPARATUS
プリベーク方法及びプリベーク装置 - 特許庁 - PREBAKE APPARATUS AND PREBAKE METHOD
プリベーク装置およびプリベーク方法 - 特許庁 - COOLING METHOD OF GLASS SUBSTRATE AND PREBAKE DEVICE
ガラス基板の冷却方法及びプリベーク装置 - 特許庁 - Then, the wafer is transferred to a heat treatment apparatus, and prebake treatment is performed (step S5).
その後、ウェハは熱処理装置に搬送されて、プリベーク処理される（工程Ｓ５）。 - 特許庁 - To provide a prebake apparatus preventing generation of unevenness of appearance in a plane of a color filter substrate caused by a suction state or a contact state during heat processing in the prebake apparatus including a vacuum table .
バキューム・テーブルを備えたプリベーク装置で発生する、熱処理時の吸着状態や接触状態に起因するカラーフィルタ基板の面内で外観上のムラを発生させないプリベーク装置提供する。 - 特許庁 - For example, short time baking is performed in addition to normal prebake conditions for removing solvent component.
例えば、溶剤成分除去のための通常プリベーク条件に加え、さらに短時間のベークを行う。 - 特許庁 - The both arm parts 31 of the substrate carrying arm 23 are advanced into the prebake unit 22 and heated.
このとき、基板搬送アーム２３の両アーム部３１はプリベークユニット２２内に進入し、加熱される。 - 特許庁 - After prebake treatment is performed (S102), the semiconductor substrate is carried into an immersion projection exposure device (S103).
そして、プリベーク処理を施した後（Ｓ１０２）、液浸投影露光装置内に半導体基板を搬入する（Ｓ１０３）。 - 特許庁 - After the application, drying (prebake) is performed to remove organic solvents, and the phase difference layer body is cured by irradiating ultraviolet rays (UV light thereon).
そして塗布後、有機溶媒を除去するべく乾燥（プレベーク）を行い、この位相差層体に紫外線（ＵＶ光）を照射して硬化させる。 - 特許庁 - To prevent incomplete resist patterning due to unnecessary temperature rise of an arm for carrying a glass substrate coated with resist to a prebake unit.
レジストが塗布されたガラス基板をプリベークユニットに搬送するための基板搬送アームの不要な温度上昇に起因するレジストパターニング不良を防止する。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which does not require prebake in a process of forming a resist film and has high sensitivity and proper pattern-forming properties.
レジスト膜を形成する工程においてプリベークを必要とせず、さらに高感度かつパターン形成性が良好なポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - First heating 12 is applied on the resist film 11 to prebake the film 11 and, thereafter, second heating 13 is applied to vaporize a solvent included in the film 11.
レジスト膜１１に対して、第１の加熱１２を行なってプリベークを行なった後、第２の加熱１３を行なってレジスト膜１１に含まれる溶媒を揮発させる。 - 特許庁 - The prebake device is provided with a mechanism for temporarily stopping the fall of the lift pin; a mechanism for resuming of the fall; and a mechanism for continuing the close contact cooling through vacuum adsorption.
リフトピンの下降を一旦停止させる機構、下降を再開させる機構、真空吸着により密着させた冷却を継続して行う機構を具備する。 - 特許庁 - For this regulation, prebake temperature and conditions in development processing after pattern exposure are set so that undercut parts having a proper depth and length are formed in a thin film material layer before post-bake.
この調節のために、ポストベーク前の薄膜材料層に適切な奥行き長さをもったアンダーカット部分が形成されるように、プリベーク温度及び、パターン露光後の現像処理の条件を設定する。 - 特許庁 - To provide a cooling method of glass substrate and a prebake device which will not cause creaks or breakages upon the release of vacuum suction, even if a glass substrate is caused to come into close contact with a cooling plate by vacuum suction and then is cooled.
ガラス基板を真空吸着によってクールプレート上に密着させ冷却処理を行っても、吸着を解除時に、ガラス基板は軋んだり破壊しないガラス基板の冷却方法、及びプリベーク装置を提供する。 - 特許庁 - A glass substrate 35 is coated with resist by means of a resist coating unit 21 comprising a spin coater and then carried to a prebake unit 22 while being sucked onto both arm parts 31 of a substrate carrying arm 23 having a substantially U-shaped plan view.
スピンコータからなるレジスト塗布ユニット２１でガラス基板３５上にレジストを塗布し、レジスト塗布後のガラス基板３５を平面ほぼコ字状の基板搬送アーム２３の両アーム部３１上に吸着させてプリベークユニット２２に搬送する。 - 特許庁 - A hand H21 for carrying out a processed substrate from the hot plate at a prebake section is provided with suction pads P1-P4 coming into line contact with the lower surface of the substrate with a line width not wider than 2 mm, and supporting pads Ps1 and Ps2.
プリベーク処理部のホットプレートから処理済の基板を搬出するためのハンドＨ２１には、２ｍｍ以下の線幅で基板の下面に線接触する吸着パッドＰ１〜Ｐ４および支持パッドＰｓ１，Ｐｓ２が備えられている。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition which eliminates the need for prebake in a process of forming a resist film and has high sensitivity, in particular, high sensitivity and good pattern forming properties to active energy rays having a maximum emission wavelength in the range of 400-410 nm from a semiconductor laser as an irradiation source.
レジスト膜を形成する工程においてプリベークを必要とせず、さらに高感度、特に半導体レーザーを照射源とした最大発光波長が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲内にある活性エネルギー線に対して高感度かつパターン形成性が良好なポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - In a photolithography process for forming electric wiring on an insulating substrate, the major surface of the substrate 1 on which a thin Al film 2 is formed entirely is coated uniformly with photoresist 3 and heated, at the time of prebake, such that the major surface of the substrate 1 has a partially different surface temperature before the photoresist is exposed and developed.
絶縁性の基板上に電気配線を形成するためのフォトリソグラフィ工程において、前記基板１のＡｌ薄膜２を形成した主面全面にフォトレジスト３を均一に塗布した後、プリベークの際に、前記基板１の主面の表面温度が部分的に異なる温度になるように加熱し、露光、現像する。 - 特許庁
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