「process fd」を含む例文一覧(21)
- makes the process group with process group ID pgrp the foreground process group on the terminal associated to fd ,
は、プロセス・グループID が pgrp のプロセス・グループをfdに対応する端末のフォアグラウンド・プロセス・グループにする。 このとき、fdはtcsetpgrp () - JM - Return (as the function result) the process ID or process group currently receiving SIGIO
ファイルディスクリプタfdのイベントに対するシグナルSIGIO - JM - returns the process group ID of the foreground process group on the terminal associated to fd ,
は、fdに対応する端末のフォアグラウンド・プロセス・グループのプロセス・グループ ID を返す。 - JM - Set the process ID or process group ID that will receive SIGIO
ファイルディスクリプタfdのイベント発生を知らせるシグナルSIGIO - JM - by creating a new session, making fd the controlling terminal for the calling process, setting fd to be the standard input, output, and error streams of the current process, and closing fd .
具体的には、新しいセッションを作成し、fdを呼び出し元のプロセスの制御端末とし、呼び出し元の標準入力・標準出力・標準エラーのストリームをfdに設定した後、fdをクローズする。 - JM - Process Substitution Process substitution is supported on systems that support named pipes (FIFOs) or the /dev/fd method of naming open files.
プロセス置換プロセス置換 (process substitution) がサポートされるのは、名前付きパイプ (FIFO) または名前付きオープンファイルの/dev/fd メソッドをサポートしているシステムです。 - JM - returns the maximum length of a filename in the directory path or fd that the process is allowed to create.
ディレクトリpathまたはfd内に、そのプロセスが作成することができるファイル名の最大長を返す。 - JM - Return a pair of (pid, fd),where pid is 0 in the child, the new child's process id in the parent, and fd is the file descriptor of the master end of the pseudo-terminal.
このとき新しい擬似端末 (psheudo-terminal) を子プロセスの制御端末として使います。 親プロセスでは (pid, fd) からなるペアが返り、fd は擬似端末のマスタ側 (master end) のファイル記述子となります。 - Python - The process list is run with its input or output connected to a FIFO or some file in /dev/fd.
プロセス list は、その入力や出力がFIFO または /dev/fd 中の何らかのファイルに接続された状態で実行されます。 - JM - The calling process does not have a controlling terminal, or it has one but it is not described by fd .
呼び出しを行ったプロセスが制御端末を持っていない、もしくは制御端末を持っているがfdで参照されるものとは異なる。 - JM - Through the processing of this rewrite surface process part 1008, they are written to the medium number part and directory information part on the FD each time the recording contents of the FD are updated.
そして、ＦＤに記録された媒体番号とディレクトリ情報とをＦＤのリライト面に夫々別々に可視的に記録する。 - 特許庁 - which must be the controlling terminal of the calling process.
fdで指定された端末は、呼び出しを行うプロセスの制御端末でなければならない。 - JM - /proc/[pid]/fd This is a subdirectory containing one entry for each file which the process has open, named by its file descriptor, and which is a symbolic link to the actual file.
/proc/[number]/fdプロセスがオープンしたファイル各々に対するエントリを含むサブディレクトリ。 ファイルディスクリプタがファイル名で、実際のファイルへのシンボリックリンクになっている。 - JM - In a formation process of reading drains FD, a plurality of reading drains FD are formed in parts with the ions of the impurities implanted in either of the respective parts PS1, PS2 out of the pixel separation wells PS.
読出しドレインＦＤの形成工程では、画素分離ウェルＰＳのうち、各部ＰＳ１，ＰＳ２のいずれか一方において不純物がイオン注入された部分に、複数の読出しドレインＦＤを形成する。 - 特許庁 - this controlling terminal is no longer associated with the session of the calling process.
の場合は、fdで指定された制御端末がすでに呼び出しを行ったプロセスのセッションと関係のないものになっている際にも、このエラーとなる。 - JM - To improve the picture quality of a solid-state image pickup device by preventing the leaking in of improper light by effectively shielding an FD from the light at the time of forming each pixel circuit of an image pickup pixel section by using a CMOS process.
ＣＭＯＳプロセスを用いて撮像画素部の各画素回路を形成する場合に、ＦＤの遮光を有効に行い、不正な光の漏れ込みを防止して画質を向上する。 - 特許庁 - In the etching process, etching of a contact groove 96 is stopped at the silicide film 102 until a contact groove 110 reaches the FD 52 after the contact groove 96 reaches to the silicide film 102.
エッチング工程において、コンタクト溝９６がシリサイド膜１０２に到達した以降、コンタクトホール１１０がＦＤ５２に到達するまで、コンタクト溝９６のエッチングはシリサイド膜１０２で停止される。 - 特許庁 - Thereby, it becomes possible to omit a process to form an interconnection to connect the gate electrode 124 of the first stage transistor 124 of the output circuit 140 and the impurity diffusion region 117 of the FD portion 114 through a contact hole, making it possible to avoid the deterioration of pixel characteristics caused by wiring process.
これにより、出力回路１４０の初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４と、ＦＤ部１１４の不純物拡散領域１１７とをコンタクトホールを介して接続する配線を形成する工程をなくすことができ、配線工程に起因する画素特性劣化を回避することができる。 - 特許庁 - An FD 104 stored with a processing program for that, is inserted into a reader 105 and then a real-estate security managing device 100 speedily and easily performs a re-evaluation process for the security.
そのような処理プログラムを格納したＦＤ１０４を読み取り装置１０５に挿入することにより、不動産担保物件管理装置１００は担保物件の評価見直し処理等を迅速且つ容易に行うことが可能とされる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which achieves a reduction in the parasitic resistance of transistors by adopting a silicide layer in active regions of the transistors, when the transistors are formed by using a substrate of which the semiconductor layer is thin as in an FD-SOI, while avoiding an increase in a leakage current by a relatively simple process.
ＦＤ−ＳＯＩの如き半導体層の厚みが薄い基板を使用してトランジスタを形成する際に、比較的簡便なプロセスでリーク電流の増加を回避しつつ、トランジスタの活性領域にシリサイド層を導入してトランジスタ寄生抵抗の低減を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The gate wiring layer (electrode film) of each transistor formed in the CMOS process is doubled and, in a pixel Tr in the vicinity of a PD 219, the gate electrodes of a transfer Tr 211 and a reset Tr 214 are formed by using the lower gate electrode film and the upper gate electrode film is utilized for the light shielding film of the FD 216.
ＣＭＯＳプロセスで形成される各トランジスタのゲート配線層（電極膜）を２層化し、ＰＤ２１９の周辺の画素Ｔｒでは、転送Ｔｒ２１１とリセットＴｒ２１４のゲート電極を下層のゲート電極膜を用いて形成し、上層のゲート電極膜をＦＤ２１６の遮光膜に利用する。 - 特許庁
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