「processing temperature」を含む例文一覧(2995)
＜前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 59 60 次へ＞- An arithmetic processing part 42 calculates electric energy corresponding to a difference between the target temperature and detected temperature of a load 5, and generates a timing signal for driving a power adjusting part 3.
演算処理部４２は、負荷５の目標温度と検出温度との差に応じた電力量を算出し、該電力量から、電力調整部３を駆動するタイミング信号を生成する。 - 特許庁 - An apparatus for heat treating the substrate comprises a DCC processing unit 13 for curing a coating liquid coating a wafer W, capable of forming two treating chambers of a high-temperature heating chamber 23 and a temperature-lowering chamber 24.
ウェハＷ上に塗布された塗布液を硬化させるためのＤＣＣ処理ユニット１３を高温加熱室２３と降温室２４の２つの処理室が形成できるように構成する。 - 特許庁 - Furthermore, this system can be provided with at least one temperature detecting device structured to provide an output showing temperature in one or more positions of a working material of the exhaust processing device.
さらに、本システムは、排気処理装置の作業材の１つ以上の位置の温度を示す出力を提供するように構成された少なくとも１つの温度検知装置を備え得る。 - 特許庁 - Since the polymer 32 discharges the absorbed processing solution and shrinks at a temperature above the 35°C temperature sensing point, a film can be processed.
吸水性ポリマー３２が感温点３５°Ｃを越えると、吸水性ポリマー３２はいままで吸水保持していた処理液を排出して縮小するので、フィルムの処理が可能となる。 - 特許庁 - In alarm processing, the temperature of the brake actuator 200 is the temperature for which the alarm is to be issued, and the buzzer is issued only when the conditions for executing the vehicle speed maintaining control are met.
警告処理では、ブレーキアクチュエータ２００の温度が警告対象温度であり、且つ車速維持制御の実行条件が満たされた場合に限って警告ブザーが出力される。 - 特許庁 - Since the wafer temperature variation in the lot can be lowered with simplified manipulations, the plasma processing ensuring very high reproducibility can be attained, even in processings which are particularly influenced by temperature.
ロット内のウエハ温度変動を容易な操作で低減することができるので、特に温度の影響が大きな処理などでも極めて再現性のよいプラズマ処理を得ることができる。 - 特許庁 - To provide a thermoplastic polyolefin composition having a reduced melt viscosity at a given temperature and, more specifically, a thermoplastic polyolefin compositions for the rotational molding requiring lower processing temperature.
所与の温度で溶融粘度が低減された熱可塑性ポリオレフィン組成物、より詳細には、より低い加工温度が必要とされる回転成形用の熱可塑性ポリオレフィンを提供する。 - 特許庁 - To provide a power supply device that does not require a cooling fan for heat-dissipation, processing for high-temperature exhaust, and spaces for the cooling fan and the processing even if having lithium-ion batteries or nickel-hydrogen batteries, or the like, that require charge/discharge control based on the temperature as on-board batteries.
車載バッテリとして、温度に基づく充放電制御が必要なリチウムイオン電池又はニッケル水素電池等を備えていても、放熱する為の冷却ファン、高温排気の処理、及びこれらの為の空間が不要な電源装置の提供。 - 特許庁 - When the temperature exceeds the temperature sensitive point 35°C, the absorbent polymer 32 discharges the replenishing liquid absorbed and held thus far and therefore the replenishing of the discharged replenishing liquid to the processing tank of a photosensitive material processing device 10 by a pump 46 is made possible.
感温点３５°Ｃを越えると、吸水性ポリマー３２はいままで吸水保持していた補充液を排出するので、排出された補充液をポンプ４６で感光材料処理装置１０の処理槽へ補充することができる。 - 特許庁 - It starts the execution of the maximum position learning processing on condition that the opening of a throttle valve detected by a throttle sensor 72 is less than a predetermined amount, after the engine temperature is not lower than the predetermined temperature and the maximum position learning processing is prohibited.
機関温度が所定温度以上となり最大位置学習処理の禁止されたあとは、スロットルセンサ７２によって検出されるスロットルバルブの開度が所定量未満であることを条件に最大位置学習処理の実行を開始する。 - 特許庁 - Flaw data and dark current data of conditions corresponding to a shutter speed of the regular photography and the temperature measured by the temperature sensor 21 are read from the nonvolatile memory 26, and a digital signal processing section 22 performs image processing based upon the read data.
本撮影時のシャッタースピードと温度センサー２１で測定した温度に対応した条件のキズデータ及び暗電流データを不揮発性メモリ２６から読み出し、読み出したデータに基づいてデジタル信号処理部２２が画像処理を行う。 - 特許庁 - To provide heat treatment equipment which can perform temperature control with high precision and high control performance regardless of the temperature region corresponding to each film deposition processing, when a plurality of types of film deposition processing are performed in one heat treatment equipment.
１つの熱処理装置において複数種類の成膜処理を行う場合に、各成膜処理に対応する温度領域に関わらず、高精度でかつ制御性能が高い温度制御を行うことができる熱処理装置を提供する。 - 特許庁 - When an image forming processing signal is inputted and the control state is changed from the standby state to the fixing processing state, the set temperature of the thermistor is changed from the 2nd set temperature to the 1st set temperature after a delay of prescribed time in a period after changing the control state until a paper reaches the fixing roller.
そして、画像形成処理信号が入力され制御状態が待機状態から定着処理状態に変更されたとき、定着ローラに用紙が到達する時までの間で、制御状態変更時から所定時間遅れてサーミスタの設定温度を第２設定温度から第１設定温度に変更する。 - 特許庁 - With this configuration, a wafer W which is temperature-controlled at high precision in the second cooling part 3 is transferred as far as the processing unit in a high-precision adjusted atmosphere, for suppressed temperature-change during transfer, so that a coating liquid is applied while the temperature of substrate is kept with high precision, resulting in improved processing yield.
このような構成では、第２の冷却部３にて高精度に温度制御されたウエハＷは、高精度調整雰囲気内を処理ユニットＵまで搬送されるので、搬送中の温度変化が抑えられ、高精度に基板の温度を維持した状態で塗布液の塗布処理が行われるので、処理の歩留まりが向上する。 - 特許庁 - Since the temperature of the buffer space B is raised by radiant heat of a plate 10 having the temperature raised by a heating part 40, the processing gas is heated by receiving the radiant heat from the plate 10 while flowing in the buffer space B, and the processing gas having had the temperature by heating is discharged toward the substrate W from a discharge port 811.
バッファ空間Ｂは、加熱部４０により昇温されたプレート１０の輻射熱によって昇温しているので、バッファ空間Ｂ内を流れる間に処理ガスはプレート１０からの輻射熱を受けて加熱され、加熱により昇温した処理ガスが吐出口８１１から基板Ｗに向けて吐出されることになる。 - 特許庁 - In the galvannealed steel sheet manufacturing method to perform alloy processing by heating a steel sheet galvanized in a galvanizing bath, the temperature pattern to perform alloy processing is determined based on the temperature integration value obtained by multiplying the heating or cooling temperature (T) in the alloy processing by the time (t), and adding the products.
亜鉛メッキ浴にてメッキを施した鋼板を加熱して合金化処理を行う合金化溶融亜鉛メッキ鋼板の製造方法において、前記合金化処理における加熱・冷却中の温度（Ｔ）と時間（ｔ）とを掛け合わせて積算した温度積分値に基づいて、前記合金化処理を行う温度パターンを決定することを特徴とする合金化溶融亜鉛メッキ鋼板の製造方法。 - 特許庁 - The lithography apparatus comprises a resist processing device 1, the immersion aligner 2, a transfer device 3 coupled to the resist processing device 1 and aligner 2 for transferring a wafer 5 between the resist processing device 1 and aligner 2, and a temperature and moisture control unit 4 for controlling the temperature and moisture within the transfer device 3 based on the temperature and moisture within the aligner 2.
リソグラフィー装置は、レジスト処理装置１と、液浸型の露光装置２と、レジスト処理装置１および露光装置２に連結され、レジスト処理装置１と露光装置２との間におけるウエハ５の搬送を行うための搬送装置３と、露光装置２内の温度および湿度に基づいて、搬送装置３の内部の温度および湿度を制御する温湿度制御ユニット４とを備えている。 - 特許庁 - A control means 50 executes burning/sticking prevention control processing to stop an operation of a heating source 4 in a case when prescribed necessary conditions including a first condition that a detection temperature of a cooking container W by a temperature detecting means 8 is raised equal to or higher than a temperature higher than an equilibrium temperature by a first prescribed temperature, are satisfied.
制御手段５０は、温度検出手段８による調理容器Ｗの検出温度が平衡温度から第１所定温度だけ高い温度以上に上昇するという第１条件を含む所定の必要条件が成立した場合に、加熱源４の作動を停止させる焦げ付き防止用制御処理を実行する。 - 特許庁 - A display device is equipped with: a temperature detecting means 4 that detects the temperature of heat generated by power consumption of a gate driver IC 3 that supplies a current to an organic EL element and outputs the temperature information; and an image processing circuit 5 that controls the current supplied to the organic EL element, based on the temperature information from the temperature detecting means 4.
有機ＥＬ素子に電流を供給するゲートドライバＩＣ３の電力消費による発熱温度を検出して温度情報を出力する温度検出手段４と、温度検出手段４からの温度情報に基づいて上記有機ＥＬ素子への供給電流を制御する画像処理回路５と、を備えたものである。 - 特許庁 - A substrate processing apparatus 1 equipped with the transfer chamber 13 connected to a treatment furnace 21 for processing the substrate 10 includes: a temperature measurement unit 34 measuring a temperature in the transfer chamber; a lock mechanism 20 locking and unlocking the door 19 of the transfer chamber; and a control unit controlling the lock mechanism 20 based on the temperature measured by the temperature measurement unit 34.
基板１０の処理を行う処理炉２１に連設される移載室１３を備えた基板処理装置１であって、移載室内の温度を測定する温度測定手段３４と、移載室の扉１９の施錠及び解錠を行うロック機構２０と、温度測定手段３４で測定された温度に基づいてロック機構２０を制御する制御手段とを具備する。 - 特許庁 - This position detecting method of the fastening member is characterized by determining the position of the fastening member 14 in the processing object 13 by processing measuring data of the temperature distribution by measuring the temperature distribution of the processing object 13 by a temperature distribution measuring means 2 while heating or cooling or after heating or cooling the processing object 13 attached with the fastening member 14 by heating means 10 and 11.
本発明の締結部材の位置検出方法は、締結部材１４が取り付けられた被処理物１３を加熱手段１０，１１により加熱若しくは冷却しながら、或いは、加熱若しくは冷却した後に、温度分布測定手段２によって被処理物１３の温度分布を測定し、該温度分布の測定データを処理することにより、被処理物１３における締結部材１４の位置を求めることを特徴とする。 - 特許庁 - A vacuum exhaust path 21, which communicates with the upper space and is disposed outside the processing atmosphere above the substrate W, is provided to evacuate the processing atmosphere, and heating means 214 and 47 heat a portion, where a gas is brought into contact with a flow path of the discharged gas, to a temperature higher than a temperature at which a reactant of the processing gas adheres.
前記上部空間に連通し、基板Ｗ上方の処理雰囲気よりも外側に位置する真空排気路２１は、前記処理雰囲気の真空排気のために設けられ、排気されるガスの通流空間に露出する部位は処理ガスの反応物が付着しないように加熱手段２１４、４７により加熱される。 - 特許庁 - To provide an improved analog sensor signal processing method capable of restraining quickly and firmly a direct current voltage, without depending on temperature.
温度に依存せず、迅速で堅牢に直流電圧を抑制できる、改善されたアナログセンサ信号処理方法の提供。 - 特許庁 - To prevent a spindle from seizing up due to heat and minimize a drop in processing efficiency even under use in an environment in which an environmental temperature largely changes.
周囲温度が大きく変化する環境での使用においても、主軸が焼き付き故障を起こす事を防止する。 - 特許庁 - To attain efficiently a high operation temperature for starting the parts by heating these composition parts of the fuel processing equipment quickly.
迅速に燃料処理装置の構成部品を加熱し、該部品の始動のための高温作動温度を効率的に達成する。 - 特許庁 - To provide a dehumidifying technology in which its dehumidifying processing can be carried out under utilization of discharged heat of low temperature discharged out of equipment having a heat source.
熱源を有する機器からの温度の低い排熱を利用して処理が行える除湿技術を提供することである。 - 特許庁 - The post-exposure processing preferably involves ambient to moderately elevated temperature and the presence of a deprotection reaction-dependent co-reactant (e.g. water).
この露光後処理は、好ましくは、室温からやや高い温度と脱保護反応依存共反応体（例えば、水）の存在を伴う。 - 特許庁 - When the operation is other than for emergency processing in the step S4, a notification means notifies the user of a high temperature state.
ステップＳ４で緊急通信以外の動作であれば、温度が高いことを報知手段により使用者に報知する（ステップＳ５）。 - 特許庁 - To provide a microwave antenna for monitoring a temperature of tissue for receiving ablation which is configured to perform ablation processing.
焼灼処置を実施するために構成された、焼灼を受ける組織の温度を監視するためのマイクロ波アンテナを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having stable temperature characteristics without increasing arithmetic processing and power consumption.
演算処理や電力消費を増大させることなく、温度特性が安定する半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a rapid thermal processing reactor which can handle wafers of multiple sizes and can heat them to an almost uniform temperature in the process.
複数のサイズのウエハに対応でき、処理過程で概ね均一な温度に過熱できる、高速熱処理反応炉を提供する。 - 特許庁 - An object 2 to be processed on which a copper oxide is generated is placed in a processing chamber 3 to heat up to a specified temperature with a heater 8.
銅酸化物が生成している被処理物２を、処理チャンバ３内に配置し、ヒータ８で所定温度に加熱する。 - 特許庁 - The surface of the conductive core 14a is flattened by performing high-temperature heat processing to complete the waveguide core 14a (process 8).
高温の熱処理を行い、導波路コア１４ａの表面を平坦化させ、導波路コア１４ａを完成させる（工程８）。 - 特許庁 - The hydrophilic property can be still more improved if a pretreatment is conducted in a heating furnace before the flame processing at a temperature of 400-1000°C for a period between 3-30 sec.
フレーム処理の前に、400〜1000℃温度で、3〜30 secの処理時間で加熱炉中で前処理を行うと、親水性がより向上する。 - 特許庁 - MEASURING METHOD OF SILICIDE ABUNDANCE RATIO AND HEAT PROCESSING TEMPERATURE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND X-RAY RECEIVING ELEMENT
シリサイド存在比率の測定方法、熱処理温度の測定方法、半導体装置の製造方法およびＸ線受光素子 - 特許庁 - To provide a substrate processing apparatus capable of measuring the temperature of a substrate heated by radiating flashing light from a flash lamp.
フラッシュランプから閃光を照射して加熱した基板の温度を計測することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a heating and cooling apparatus for processing an object 101 being processed quickly without causing unevenness in temperature.
処理物１０１を迅速にかつ温度むらを生じさせることなく処理することができる加熱冷却装置を提供すること。 - 特許庁 - The controller 30 has an uneven temperature determining section 36b, a pattern set determining section 36f, and a second operation processing section 36g as functional sections.
コントローラ３０は機能部として、温度ムラ判定部３６ｂ、パターンセット決定部３６ｆ、第２運転処理部３６ｇを有する。 - 特許庁 - A piping 3 allows the material gas G1 to be mixed with the ozone gas G2 at a room temperature and supplies a mixed gas to the substrate 7 in the processing furnace 2.
配管３は室温のもとで原料ガスＧ１とオゾンガスＧ２とを混合させて処理炉２内の基板７に供する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive material processor which performs processing without generating sensitivity variation caused by the temperature difference of a developer or difference in the flow velocity of the developer.
現像液の温度差や、現像液の流速の差に起因する感度差を生じさせることなく処理可能とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor manufacturing method and a substrate processing apparatus, which inhibit corrosion of a substrate during deposition at a low temperature.
低温での成膜において基板の侵食を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - To carry out processing such as inspection and machining with respect to a substrate with a temperature of the substrate accurately controlled.
基板に対する検査や加工などの処理を基板の温度を高精度に制御した状態で行うことができるようにする。 - 特許庁 - To provide a substrate processing apparatus preventing portions other than a heating means from rising to a high temperature.
基板を加熱する加熱手段以外の部分が高温となることを抑制することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - In this manufacturing method, after shallow trench separation at high temperature and processing a gate conductor, a deep trench storage capacitor is manufactured.
この発明の作製方法では、高温の浅いトレンチ分離およびゲート導体の処理後に、深トレンチ蓄積キャパシタを作製する。 - 特許庁 - To provide a film for processing which can be molded at a low temperature and ensures the availability of a small molded product free from distortion due to printing.
フィルムの成型加工を低温で行え、印刷歪みの小さい成型品が得られる加工用フィルムを提供する。 - 特許庁 - The oils and fats for covering contain 0.01-20 mass% of cacao fat compressed from cacao beans without going through high-temperature deodorization processing.
カカオ豆より圧搾された高温脱臭処理を経ないカカオ脂を０．０１〜２０質量％含有する被覆用油脂とする。 - 特許庁 - In case the battery pack is the formal one, the main body side signal switching part 36 is connected to a temperature information processing part 35.
電池パック１０が正規の電池パックであると、本体側信号切換部３６を温度情報処理部３５に接続させる。 - 特許庁 - To restrain a resist film from varying in thickness due to temperature changes, even if a heating processing apparatus is increased in size to cope with the enlargement of a substrate.
基板の大型化に伴い，加熱処理装置が大型化しても温度によるレジスト膜の膜厚変化を抑制する。 - 特許庁 - Under the high temperature environment, the CPU 10 stops reassignment processing including a writing operation mode other than a normal writing operation.
高温の温度環境下においては、ＣＰＵ１０は、通常のライト動作以外のライト動作モードを含むリアサイン処理を中止する。 - 特許庁 - Since WSiN is a heat-resistive metal, a high-temperature processing (step S20) is allowed in the condition of forming the dummy pattern.
ＷＳｉＮは耐熱性金属なので、ダミーパターンを形成した状態で高温熱処理（工程Ｓ２０）を行なうことができる。 - 特許庁
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