This device has an electrically erasable and writable nonvolatile memory 18, a central processing unit 12 accessible to the nonvolatile memory, and a mode setting means MC for selectively setting an on-board programming mode for performing the erasing and writing of the nonvolatile memory by the central processing unit and a PROM mode for performing the erasing and writing of the nonvolatile memory by an external PROM writer. 電気的に消去及び書込み可能な不揮発性メモリ(18)と、前記不揮発性メモリをアクセス可能な中央処理装置(12)と、前記中央処理装置により前記不揮発性メモリの消去及び書込みを行うオンボードプログラミングモードと外部のPROMライタにより前記不揮発性メモリの消去及び書込みを行うPROMモードを選択的に設定可能なモード設定手段(MC)と有する。 - 特許庁