「pseudomorphic」を含む例文一覧(6)
- PSEUDOMORPHIC QUANTUM WELL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
歪量子井戸構造及びその製造方法 - 特許庁 - INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING E-PHEMT (ENHANCEMENT MODE PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR) HAVING PROTECTIVE FUNCTION AGAINST ON-CHIP ELECTROSTATIC DISCHARGE
オンチップの静電放電に対する保護機能を具備するＥ−ｐＨＥＭＴ（ＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔＭｏｄｅＰｓｅｕｄｏｍｏｒｐｈｉｃＨｉｇｈＥｌｅｃｔｒｏｎＭｏｂｉｌｉｔｙＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有する集積回路 - 特許庁 - The pseudomorphic high-electron-mobility transistors and the hetero-junction bipolar transistors are manufactured using a GaAs BiFET technology process.
擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 - 特許庁 - To provide an IC including E-pHEMTs (Enhancement Mode Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors) having a ptotective function against on-chip electrostatic discharge without inviting enlargement of the size of the IC.
ＩＣのサイズの大型化を招くことなく、静電放電に対する保護機能をオンチップで有するＥ−ｐＨＥＭＴのＩＣを実現する。 - 特許庁 - To provide a structure of a MOS-PHEMT (Metal Oxide Semiconductor Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) suitable for use as a semiconductor device such as an SPDT switch of an MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit), and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.
ＭＭＩＣのＳＰＤＴスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したＭＯＳ−ＰＨＥＭＴの構造及びその製造方法を開示する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device includes: forming a sacrificial layer 42 which is pseudomorphic to InP after joining or bonding a support substrate 10 to a flat surface 35A of a protection film 35, and then selectively removing it using hydrofluoric acid to separate the InP substrate 41 from the support substrate 10 including an InP-based device layer 21.
保護膜３５の平坦面３５Ａに支持基板１０を接合もしくは接着したのち、ＩｎＰと疑似格子整合するＩｎＡｌＡｓからなる犠牲層４２を、フッ酸を用いて選択的に除去することにより、ＩｎＰ基板４１を、ＩｎＰ系のデバイス層２１を含む支持基板１０から剥離する。 - 特許庁
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