PSEUDOMORPHIC QUANTUM WELL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 歪量子井戸構造及びその製造方法 - 特許庁
To provide a structure of a MOS-PHEMT (Metal Oxide Semiconductor Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) suitable for use as a semiconductor device such as an SPDT switch of an MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit), and to provide a method of manufacturing the semiconductor device. MMICのSPDTスイッチなど、半導体デバイスとして用いるのに適したMOS−PHEMTの構造及びその製造方法を開示する。 - 特許庁