「quantum efficiency」を含む例文一覧(431)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 次へ＞- To obtain a semiconductor light emitting element which can improve an external differential quantum efficiency by using light advanced toward the backside of a substrate of an LED chip as effectively as possible.
ＬＥＤチップの基板の裏面側に進んだ光をできるだけ有効に利用し、外部微分量子効率を向上させることができる構造の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - Pores in the Si single-crystal fine-particle layer are decreased, tunneling probability of electrons are increased, and distribution of an applied electric field becomes uniform, thereby external quantum efficiency of an electro gun is increased.
Ｓｉ単結晶微粒子層の空隙が減少し、電子のトンネリング確率が増大し、かつ、印加電界分布が均一となり、電子銃の外部量子効率が増大する。 - 特許庁 - The full light-light control element having a structure obtained by combining photonic crystals 61 and quantum dots is provided in order to improve the efficiency of the resonance excitation type full light-light control element.
共鳴励起型全光・光制御素子の効率を向上すため、フォトニック結晶６１と量子ドットを組み合わせた構造をもつ全光・光制御素子を提供する。 - 特許庁 - If the concentration of the impurity diffusion layer 8 is high, the life time of optical carriers is lowered and it is recombined, before they reach the depletion layer, and disappear, thus lowering the quantum efficiency of the light-receiving element.
不純物拡散層８が高濃度の場合、光キャリアのライフタイムが低下し、空乏層に到達するまでに再結合して消滅し、受光素子の量子効率が低下する。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent element which has high external extraction quantum efficiency, a low driving voltage, and a long light-emitting life, and to provide a luminaire and a display device each provided with the organic electroluminescent element.
外部取り出し量子効率が高く、低駆動電圧であり、且つ、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた照明装置及び表示装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent element of high outside extraction quantum efficiency and a long light-emission service life, a white organic electroluminescent element provided with the element, a display device and an illuminator.
外部取り出し量子効率が高く、且つ、発光寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた白色有機エレクトロルミネッセンス素子や、表示装置及び照明装置を提供する。 - 特許庁 - As characteristic detection of the LD 101, for example, detection of a threshold current is performed, and the threshold current is detected by performing detection of differential quantum efficiency of the LD 101.
ＬＤ１０１の特性検出としては例えば閾値電流の検出が行われ、閾値電流はＬＤ１０１の微分量子効率の検出を行うことにより検出される。 - 特許庁 - To provide a group III nitride semiconductor light emitting element which has high crystallinity and superior internal quantum efficiency, and ensures a high light emission output, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a lamp.
結晶性が高く内部量子効率に優れ、高い発光出力が得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。 - 特許庁 - To provide a solar battery using a silicon semiconductor, having high quantum-conversion efficiency, requiring few production processes during manufacturing, and capable of being recycled in view of an environmental load and material recycling.
高い量子変換効率を有し、製造時の生産工程数が少なく、環境負荷や材料再生の面からリサイクル可能な、シリコン半導体を用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁 - Also, by using the compound having a specific structure, a durable element can be manufactured that emits light with high external quantum efficiency in a blue region.
また、ある特定の構造を有する本発明の化合物を使うことにより、青色領域において高い外部量子効率で発光し、かつ耐久性に優れる素子の作製が可能になる。 - 特許庁 - To provide a diffraction grating type light-emitting diode improved in external quantum efficiency by suitably setting a period for holes when the holes are formed periodically in two dimensions.
空孔を２次元周期的に形成する場合にその周期を適切に設定することにより外部量子効率の向上を図った回折格子型発光ダイオードを提供する。 - 特許庁 - To achieve a spin polarized electron generating element having high spin polarization degree and external quantum efficiency while providing flexibility in selecting materials of a substrate, a buffer layer, and a distorted superlattice layer.
基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor element the external quantum efficiency of which is excellent by reducing the absorption of light at an electrode formed in a p-type nitride semiconductor layer.
ｐ型窒化物半導体層に形成される電極における光の吸収を少なくして外部量子効率の良い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To improve the takeout efficiency of light emitted from a luminous layer, and also to improve the external quantum efficiency of a light-emitting element by a gallium-nitride-based compound semiconductor without performing any complex processes, such as the formation of an irregular structure by dry etching and the removal of a substrate.
ドライエッチングによる凹凸構造形成や基板除去等の複雑な工程を行うことなく、発光層で発光した光の取り出し効率を向上させ、窒化ガリウム系化合物半導体による発光素子の外部量子効率を向上させること。 - 特許庁 - This system uses a light emitting element material exhibiting characteristics of external quantum efficiency not less than 5% and emission λmax not less than 590 nm and composed of a compound having a partial structure expressed by a general formula 1.
外部量子効率５％以上、発光のλｍａｘ＝５９０ｎｍ以上の特性を発揮する、一般式（１）で表される部分構造を有する化合物から成る発光素子材料を用いる。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent element which exhibits high external quantum efficiency and durability when driven at high temperatures, in which the change in color and the rise in voltage are kept at low levels after being driven at high temperatures, and which has a long service life.
高温駆動時の外部量子効率及び耐久性が高く、かつ、高温駆動後の色度変化及び電圧上昇が小さい、高寿命な有機電界発光素子を提供すること。 - 特許庁 - There is provided a fluorescent coloring matter exhibiting high stability (against oxidation reaction, radical reaction, photoreaction or the like) and highly efficient light emission (high absorbance and high quantum efficiency), and capable of being dispersed in a polymer or a liquid crystal solvent in high concentration.
高安定性（対・酸化反応、ラジカル反応、光反応等）、高効率発光（高吸光度、高量子効率）でポリマーや液晶溶媒に高濃度で分散させることのできる蛍光色素。 - 特許庁 - To provide an organic EL element and a manufacturing method of the element indicating high external extraction quantum efficiency with long emission lifetime and to provide a luminaire and a display including the organic EL element.
高い外部取り出し量子効率を示し、且つ、発光寿命が長い有機ＥＬ素子、該素子の製造方法を提供し、該有機ＥＬ素子を具備した照明装置および表示装置を提供する。 - 特許庁 - The quantum efficiency improvement device is disposed in front of an ICCD, and is configured to increase an incidence angle of incident rays incident onto the photocathode or to facilitate the increase.
量子効率向上デバイスは、ＩＣＣＤの前に配置され、光電陰極上に入射する入射光線の入射角の増大を可能にするかまたは容易にするように構成されている。 - 特許庁 - To provide an organic EL element exhibiting high external extraction quantum efficiency and long in luminescence lifetime, and to provide its manufacturing method, and an illuminator and a display employing the organic EL element.
外部取り出し量子効率が高く、且つ発光寿命の長い有機ＥＬ素子及びその製造方法、更には該有機ＥＬ素子を用いた照明装置及び表示装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide an image sensor which can improve quantum efficiency and electric crosstalk characteristics by increasing a depletion region of a photodiode, and to provide a method of manufacturing the same.
フォトダイオードの空乏領域を増大させることにより、量子効率を改善させると同時に、電気的クロストーク特性を改善させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent element which has high emission luminous intensity and excellent quantum efficiency, and in particular has high durability, and to provide a display device and a lighting device each having the same.
高い発光輝度と優れた量子効率とを有するとともに、特に優れた耐久性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、前記素子を有する表示装置、照明装置を各々提供する。 - 特許庁 - To obtain a group III nitride-based compound semiconductor light emitting element for emitting UV-rays in which internal quantum efficiency is enhanced and the occurrence of dislocation or crack is prevented or suppressed by relaxing stress in the element.
紫外線発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、内部量子効率を向上させ、素子内部の応力を緩和して転位やクラックの発生を防止又は抑制する。 - 特許庁 - It is possible to prevent the occurrence of holes caused by the epitaxial parameter error by the self-bonding epitaxial growth technique, thereby reducing the defect density, improving the quality of the epitaxial layer, and improving the inner quantum efficiency.
自己接合エピタキシャル成長技術によりエピタキシャルパラメータ誤差のもたらす孔の発生を防止でき、欠陥密度を減らし、エピタキシャル層の品質を高め、これにより内部量子効率を向上する。 - 特許庁 - To provide a photo diode which has a shallow pinning layer of high integration and a high concentration, reduces a defect on a surface, and is superior in a quantum efficiency effect per unit area, and a method for manufacturing it.
高集積、高濃度で浅いピン止め層を有し、表面における欠陥を低減し、単位面積当りの量子効率効果にも優れたフォトダイオード及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Further, since an accumulation layer 7 is formed to the lower side of the semiconductor substrate 2, a high quantum efficiency in each light receiving channel 10 is ensured to effectively enhance the aperture rate.
さらに、半導体基板２の下面側には、アキュムレーション層７が形成されているため、各受光チャンネル１０における高い量子効率が確保され、実効的な開口率の向上が図られる。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescence element having high external quantum efficiency and long light-emission lifetime, and further to provide a lighting device and display device provided with the organic electroluminescence element.
外部取り出し量子効率が高く、且つ発光寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供し、更に該有機エレクトロルミネッセンス素子を具備した照明装置及び表示装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a photoelectric device which has high energy conversion efficiency and whose manufacturing processes need not be made complex by combining a quantum well structure with local surface plasmon resonance by metal particulates.
金属微粒子による局在表面プラズモン共鳴と量子井戸構造とを組み合わせることにより、エネルギー変換効率が高く、かつ製造プロセスも煩雑化することのない光電デバイスを提供する。 - 特許庁 - A long coaxial tubular active layer and a more uniform electric field provides a large number of driving light-emitting photons and achieves a higher quantum efficiency, bringing about a laser extending effect with more stimulated emission.
長い同軸管状の活性層とより均一的な電界を有するので、多い駆動発光光子とより高い量子効果をもち、より強い誘導放出のレーザー拡大作用を発生するようになる。 - 特許庁 - The phosphor having a chemical composition represented by the formula (1) below, and having an external quantum efficiency of not less than 77% when excited with light having a wavelength of 400 nm is used.
下記式（１）で表わされる化学組成を有し、かつ、４００ｎｍの波長の光で励起した場合に外部量子効率が７７％以上であることを特徴とする蛍光体を用いる。 - 特許庁 - To obtain a III-V nitride semiconductor material, based radiation-emitting semiconductor, which allows its manufacture to be simple in terms of technology and thereby being inexpensive to be performed, and has high external quantum efficiency.
技術的に簡単にかつこれにより安価に製造可能であって高い外部量子効率を有する、ＩＩＩ−Ｖ窒化物半導体材料をベースとした放射線を発する半導体チップを得ること - 特許庁 - To provide a semiconductor device which scarcely influences the decrease of quantum efficiency of a photoelectric conversion element and the effect to an integrated circuit and can laminate a photoelectric conversion element and an integrated circuit.
光電変換素子の量子効率の低下と集積回路に与える影響とが少なく、光電変換素子と集積回路とを積層することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a gallium nitride semiconductor light-emitting element having an active layer of multi-quantum well structure, and by which an element of high luminous efficiency can be obtained.
多重量子井戸構造の活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法であって、発光効率の高い素子が得られる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The Group 12 and 16 compound semiconductor nanocrystals prepared by the chemical wet preparation method, are stable and have high quantum efficiency and uniform sizes and shapes, and capable of preparing the Group 12 and 16 compound semiconductor nanocrystals of stable alloy type.
本発明によれば、化学的湿式合成法でサイズ及び形態が均一であり、量子効率が高く、安定的な合金形態の１２、１６族化合物半導体ナノ結晶を製造できる。 - 特許庁 - To provide a photocathode semiconductor device suitable for attaining desired super-high brightness performance by making an energy state of electron monochromatic and improving quantum efficiency with the use of a superlattice structure.
超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子を提供する。 - 特許庁 - Emission efficiency of the pairs of electron and hole in the emission layer can be enhanced furthermore by forming a thick barrier wall at the boundary of the emission layer and the first and second quantum wave interference layers, respectively.
発光層と第１、第２の量子波干渉層との境界とに各々厚い障壁層を形成することで、発光層での電子正孔対の発生効率をより向上させることもできる。 - 特許庁 - To provide an optical control switch which uses a semiconductor or nonlinear optical material, the switch being chemically stable, high in quantum efficiency, and capable of performing high-frequency operation to contribute to high-speed/large-capacity communication.
半導体あるいは非線形光学材料を用いた光制御光スイッチで、化学的に安定で量子効率が高く高周波動作が可能なスイッチを提供し、高速・大容量通信に資する。 - 特許庁 - Since hosts contained in a hole transport layer and a light emitting layer, and a material employed in an electron transport layer have triplet pumping energy higher than that of a light emitting substance, i. e. an organometallic complex, the current efficiency and external quantum efficiency of a light emitting element are enhanced.
ホール輸送層、発光層に含まれるホスト及び電子輸送層に用いる材料が発光物質である有機金属錯体の三重項励起エネルギーより大きい三重項励起エネルギーを有することで、発光素子の電流効率及び外部量子効率を向上させることができる。 - 特許庁 - To provide an organic EL element that exhibits high luminous efficiency and high external quantum efficiency and has a long driving life (long emission life), an illumination device and a display device each equipped with the organic EL element, and an organic EL element material used for the organic EL element.
高い発光効率を示し、高い外部取り出し量子効率を示し、且つ、駆動寿命が長い（発光寿命が長い）有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を備えた照明装置及び表示装置、更には、前記有機ＥＬ素子に用いられる有機ＥＬ素子材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element ensuring high emission efficiency (especially inside quantum efficiency) of a multi active layer version light-emitting element, while maintaining advantages of longevity and low resistance of a conventional bulk version active layer in the light-emitting element accompanied by the growth of a GaP thick film.
ＧａＰ厚膜の成長を伴う発光素子において、従来のバルク型活性層の長寿命、低抵抗という利点を維持しつつ、多重活性層型発光素子の持つ高い発光効率（特に内部量子効率）を両立させた発光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide an organic EL (electroluminescence) element, which shows high emission efficiency, high outside extraction quantum efficiency and long driving life (long light emitting life), an illuminating apparatus and a display which are equipped with the organic EL element, and further an organic EL element material employed for the organic EL element.
高い発光効率を示し、高い外部取り出し量子効率を示し、且つ、駆動寿命が長い（発光寿命が長い）有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子を備えた照明装置及び表示装置、更には、前記有機ＥＬ素子に用いられる有機ＥＬ素子材料を提供する。 - 特許庁 - To provide an organic EL(electro luminescent element) having high luminous efficiency and high brightness and long durability, in which an internal quantum efficiency exceeds 25% that is hitherto said to be the limit value of the efficiency as a luminescent material used for the organic EL element, and which can further respond to all the luminescent colors needed for display.
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に用いられる発光材料として、従来から言われている内部量子効率の限界値である２５％を越え、更にディスプレイとして必要とされるすべての発光色に対応可能な高発光効率、高輝度で耐久性のある有機ＥＬ素子、および発光材料を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an imaging element capable of improving quantum efficiency by suppressing degradation of an organic photoelectric conversion film included in a single-plate laminate-type imaging element, and to provide the imaging element.
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。 - 特許庁 - On the basis of its calibration, the excitation light at a spectrum of the excitation light as a single is irradiated at the solid sample, a spectrum of fluorescence emitted by the sample is measured, and the absolute fluorescence quantum efficiency of the solid sample can be measured.
これに基づき、励起光単独のスペクトル、励起光を固体試料に照射し、該試料が発する蛍光のスペクトルを測定することにより、固体の絶対蛍光量子効率を測定することができる。 - 特許庁 - To substantially control a dark current, blooming and color mixture when a PWL (p-type well region) structure is employed that deepens the PWL concentration profile, to improve the quantum efficiency of photoelectric conversion in a photo diode.
ＰＷＬ（Ｐ型のウエル領域）の濃度プロファイルを深くしフォトダイオードでの光電変換の量子効率を向上させるＰＷＬ構造を有した場合、暗電流、ブルーミング及び混色などを大幅に抑制する。 - 特許庁 - Light emitted to the ZnO substrate from the ZnO-based semiconductor crystal layer 13 can be reflected for discharge to the outside of the element, so the external quantum efficiency of the light emitting element can be improved.
ＺｎＯ系半導体結晶層１３よりＺｎＯ基板１１に向かって放射された光を反射して素子外部に放出させることができるので、発光素子の外部量子効率の向上を図ることができる。 - 特許庁 - To provide an optical semiconductor device with an iron silicide semiconductor thin film capable of increasing the quantum efficiency of optical-electricity conversion and obtaining excellent practicality as a light receiving element and a light emitting element, and a method of manufacturing it.
光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a thin film photoelectric conversion device that has high quantum efficiency for a wavelength longer than 1,000 nm of a photoelectric conversion unit of a thin film photoelectric conversion device including a crystalline germanium photoelectric conversion layer.
結晶質ゲルマニウム光電変換層を含む薄膜光電変換装置の光電変換ユニットの１０００ｎｍよりも長い波長に対する量子効率が高い薄膜光電変換装置を提供する。 - 特許庁 - Since a semiconductor photo absorption layer 3 is formed on the second semiconductor layer 2d, it succeeds the crystallinity of the second semiconductor layer 2d, the crystallinity is improved and quantum efficiency is enhanced.
半導体光吸収層３は第２半導体層２ｄ上に設けられるので、第２半導体層２ｄの結晶性を継承することにより、結晶性が改善され、量子効率が増加することとなる。 - 特許庁 - To improve the reliability of a buried type semiconductor laser by preventing an increase in oscillation threshold current and a decrease in external differential quantum efficiency in cases where the semiconductor laser is energized continuously under conditions of high temperature and high optical output.
埋め込み型半導体レーザにおいて、高温、高光出力条件下で連続通電した場合における発振しきい値電流の上昇や外部微分量子効率の低下を防いで、信頼性を向上させる。 - 特許庁
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