「quantum gate」を含む例文一覧(58)

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  • QUANTUM PHASE SHIFT GATE DEVICE
    量子位相シフトゲート装置 - 特許庁
  • QUANTUM GATE METHOD AND APPARATUS
    量子ゲート方法および装置 - 特許庁
  • OPTICAL GATE ELEMENT BY QUANTUM DOTS
    量子ドットによる光ゲート素子 - 特許庁
  • QUANTUM BIT ELEMENT STRUCTURE IN QUANTUM COMPUTER AND QUANTUM CORRELATION GATE ELEMENT STRUCTURE
    量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造 - 特許庁
  • QUANTUM STATE GENERATING DEVICE, BELL MEASURING INSTRUMENT, QUANTUM GATE DEVICE, AND METHOD FOR EVALUATING FIDELITY OF QUANTUM GATE
    量子状態生成装置、Ｂｅｌｌ測定装置、量子ゲート装置、及び量子ゲートの忠実度評価方法 - 特許庁
  • LOGIC GATE BASED ON SINGLE FLUX QUANTUM THEORY
    単一磁束量子理論に基づく論理ゲート - 特許庁
  • TWO-WIRE SYSTEM CNOT GATE CONSISTING OF EIGHT QUANTUM DOTS
    ８つの量子ドットからなる２線式ＣＮＯＴゲート - 特許庁
  • QUANTUM COMPUTATION METHOD AND APPARATUS, DISTRIBUTED QUANTUM COMPUTATION IMPLEMENTATION METHOD AND APPARATUS AND QUANTUM GATE FAULT DIAGNOSTIC METHOD AND APPARATUS
    量子計算方法及び装置、分散量子計算実行方法及び装置、並びに量子ゲート故障診断方法及び装置 - 特許庁
  • COMBINATIONAL LOGIC USING ASYNCHRONOUS SINGLE-FLUX QUANTUM GATE
    非同期単一磁束量子ゲートを用いた組み合わせ論理回路 - 特許庁
  • FORMATION METHOD OF POSITION-CONTROLLED QUANTUM DOT OF NITRIDE SEMICONDUCTOR IN DROPLET EPITAXY, QUANTUM BIT ELEMENT STRUCTURE IN QUANTUM COMPUTER AND QUANTUM CORRELATION GATE ELEMENT STRUCTURE
    位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造 - 特許庁
  • Then a quantum circuit generation part 163 generates a quantum circuit by using the quantum gate information extracted by the retrieval part 162 and outputs quantum circuit information indicating the quantum circuit.
    その後、量子回路生成部１６３において、検索部１６２が抽出した量子ゲート情報を用いて量子回路を生成し、当該量子回路を示す量子回路情報を出力する。 - 特許庁
  • To provide a highly efficient method of operating a phase gate for a phase gate which is a one-qubit gate of a quantum computer.
    量子コンピュータの１量子ビットゲートである位相ゲートにおいて、高効率な位相ゲートの操作方法を提供する。 - 特許庁
  • COUPLED SUPERCONDUCTIVE CHARGE QUANTUM BIT ELEMENT AND CONTROL IGNORE GATE USING SAME
    結合超伝導電荷量子ビット素子、それを用いた制御否定ゲート - 特許庁
  • SINGLE PHOTON GENERATION DEVICE, SINGLE PHOTON DETECTION DEVICE, AND LIGHT QUANTUM GATE
    単一光子発生デバイス、単一光子検出デバイス及び光量子ゲート - 特許庁
  • Class library in which class library identification information corresponding to a quantum system of the quantum computer, quantum processing description information and quantum gate information are related to each other is previously stored in a class library storage part 140.
    クラスライブラリ記憶部１４０に、量子コンピュータの量子系に対応するクラスライブラリ識別情報と量子処理記述情報と量子ゲート情報とが関連付けられたクラスライブラリを記憶させておく。 - 特許庁
  • To provide a method for achieving a control ignore gate required for quantum calculation in a coupled superconductive charge quantum bit system.
    量子計算に必要な制御否定ゲートを結合超伝導電荷量子ビット系において実現する方法を提供する。 - 特許庁
  • A tunnel between the 1st and 2nd quantum dots is controlled by a side gate (58) and/or a surface gate (69).
    第１及び第２の量子ドット間のトンネルは、側方ゲート（５８）及び／又は表面ゲート（６９）により制御される。 - 特許庁
  • The semiconductor device has a gate electrode for applying a voltage to the quantum well layer of the semiconductor upper layer.
    半導体上層の量子井戸層に電圧を印加するゲート電極を備えている。 - 特許庁
  • To enable the gate operation of the quantum bit of a quantum bit apparatus even at a frequency other than a frequency corresponding to one-nth of the difference between energy <I_R and energy <I_L.
    ｜Ｒ〉と｜Ｌ〉のエネルギー差のｎ分の１に相当する周波数以外の周波数でも、量子ビットのゲート操作ができるようにする。 - 特許庁
  • Each of a control quantum circuit (100) and a target quantum bit circuit (200) comprises quantum box electrodes (101, 201) composed of a superconductor, counter electrodes (102, 202) coupled by sandwiching the quantum box electrodes and tunnel barriers (104, 204), and gate electrodes (103, 203) coupled via the quantum box electrodes and gate capacities (105, 205).
    制御量子ビット回路（１００）及び標的量子ビット回路（２００）の各々は、超伝導体で構成された量子箱電極（１０１，２０１）と、この量子箱電極とトンネルバリア（１０４，２０４）を挟んで結合された対向電極（１０２，２０２）と、量子箱電極とゲート容量（１０５，２０５）を介して結合したゲート電極（１０３，２０３）とから構成されている。 - 特許庁
  • When the gate electrode 4 is irradiated with light pulses L, generated photoelectrons are accumulated first in the quantum dot 14b close to the gate electrode 4 getting over a Schottky barrier and then accumulated in the quantum dot 14b distant from the gate electrode 4.
    ゲート電極４に光パルスＬを照射すると、発生した光電子はショットキー障壁を乗り越えまずゲート電極４に近い量子ドット１６ｂに蓄積され、次いでゲート電極４から遠い量子ドット１４ｂに蓄積される。 - 特許庁
  • Further, the distance t1 between the projection portion 71 (72) of the gate electrode 7 and the quantum wire 9 is smaller than the distance t2 between the part of the gate electrode 7 other than the projection portion 71 (72) and the quantum wire 9.
    また、ゲート電極７の凸部７１（７２）と量子細線９との間の距離ｔ１は、ゲート電極７の凸部７１（７２）以外の部分と量子細線９との間の距離ｔ２よりも小さい。 - 特許庁
  • To provide a quantum phase shift gate device for operating a quantum phase shift gate for a control photon and a target photon which travel on different light paths whose polarization states are unknown.
    偏光状態が未知であるような、互いに異なる光経路上を進行する制御光子及び標的光子に対する量子位相シフトゲート操作を可能にする量子位相シフトゲート装置を提供する。 - 特許庁
  • And, electrons existing primarily in the quantum dots 61a to 61c move between the quantum dots 61a to 61c and the quantum dots 51a to 51c through a tunnel junction in response to a voltage applied from pads 12, 13 to a gate electrode 9, and distribute in the quantum dots 51a to 51c and/or the quantum dots 61a to 61c.
    そして、量子ドット６１ａ〜６１ｃ中に元来的に存在する電子は、パッド１２，１３からゲート電極９に印加される電圧に応じて、トンネル接合を介して量子ドット６１ａ〜６１ｃと量子ドット５１ａ〜５１ｃとの間を移動し、量子ドット５１ａ〜５１ｃおよび／または量子ドット６１ａ〜６１ｃ中に分布する。 - 特許庁
  • With support you will end the quantum gate 2 project once. it is not only the world under our control
    ご支援により1度 量子ゲート2プロジェクトを終了します 我々の支配下にあるのは その世界だけではない - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Then a retrieval part 162 extracts the quantum gate information corresponding to the class library specification information and the quantum processing description information which are extracted by the analysis part 161 from the class library.
    次に、検索部１６２において、解析部１６１が抽出したクラスライブラリ指定情報と量子処理記述情報とに対応する量子ゲート情報をクラスライブラリから抽出する。 - 特許庁
  • Since the gate voltage varies depending on the state of the electrical discharge, the double quantum bits can be measured or read individually.
    ゲート電圧は電荷状態によって変化するため、二重量子ビットを個別に計測或いは読み出すことができる。 - 特許庁
  • SINGLE ELECTRONIC MEMORY ELEMENT COMPRISING QUANTUM POINT BETWEEN GATE ELECTRODE AND SINGLE ELECTRONIC STORAGE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    ゲート電極と単一電子ストレージエレメントとの間に量子点を備える単一電子メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
  • To utilize strong coupling of a resonator mode with a transition of a great transition dipole moment and wide homogenous width for a quantum gate.
    共振器モードと遷移双極子モーメントおよび均一幅の大きな遷移との強い結合を量子ゲートに利用する。 - 特許庁
  • To obtain an excellent quantum communicator which detects a classical channel of a strong light intensity, masks a gate bias of a quantum channel, and does not cause a performance degradation due to an excessive noise.
    光強度の強い古典チャネルが入射されたことを検出して、量子チャネルのゲートバイアスにマスクを掛け、過剰な雑音による性能劣化が生じない、良好な量子通信装置を得る。 - 特許庁
  • To provide a single electron multi-valued memory for multiple quantum point application applying them to the multi-valued memory by constituting EEPROM or the floating gate of a flash memory of two quantum points and its drive method.
    ＥＥＰＲＯＭあるいはフラッシュメモリの浮遊ゲートを２個の量子点で構成し、これらを多値メモリに応用した多重量子点応用単一電子多値メモリ及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁
  • Quantum dots 11 on the upper layer have a tunnel coupling shape showing a nonlinear current-voltage characteristic with the adjoining quantum dots, and receive inputs of initial data/bias currents 3, and are coupled with the lower layer quantum dots 12 to have a gate function having a time constant.
    上の層の量子ドット１１は隣接する量子ドットと非線形の電流−電圧特性を示すトンネル結合で、初期データ／バイアス電流３の入力を受け、下の層の量子ドット１２とは時定数を持ったゲート機能を持つ結合をしている。 - 特許庁
  • To provide a multiple-cubit type quantum computer that can select a cubit, can perform an arbitrary rotary gate operation, can switch a control NOT gate, and does not require any complex decoupling operation in a quantum computer using a solid nuclear magnetic resonance system using a magnetic field gradient.
    磁場勾配を用いた固体核磁気共鳴システムを用いる量子計算機において、キュビットを選択でき、任意の回転ゲート操作ができ、制御ＮＯＴゲートをスイッチングでき、また、複雑なデカップリング操作を必要としない多キュビット量子計算機を提供する。 - 特許庁
  • Then, a nonvolatile memory, in which the floating gate region between a channel region 150 and a gate electrode 147 is constituted using the quantum thin line 145, is formed by forming the gate electrode 147, a source region 148, and a drain region 149.
    その後、ゲート電極１４７,ソース領域１４８およびドレイン領域１４９を形成して、チャネル領域１５０とゲート電極１４７との間の浮遊ゲート領域を量子細線１４５で構成した不揮発性メモリを形成する。 - 特許庁
  • While the gate electrode is applied with no voltage, the base energy level of the quantum well layer of the semiconductor upper layer is adjusted to be higher than the base energy level of the quantum well layer of the semiconductor lower layer.
    ゲート電極に電圧を印加しない状態で、半導体上層の量子井戸層の基底エネルギー準位が半導体下層の量子井戸層の基底エネルギー準位よりも高くなるように調整する。 - 特許庁
  • In a channel, a part located under a gate 18 that is the middle section of the channel between a source 16 and a drain 17 is composed of a quantum wire 12.
    ソース16とドレイン17間のチャネルの途中部分であってゲート18の下に位置する部分を量子細線12により構成したチャネルとする。 - 特許庁
  • A channel layer 11, a spacer layer 12, a first barrier layer 13, a quantum dot 14b, a second barrier layer 15, a quantum dot 16b, and a third barrier layer 17 are successively laminated on a substrate 1, and a gate electrode 4 is provided thereon.
    基板１の上にチャネル層１１，スペーサ層１２，第１の障壁層１３，量子ドット１４ｂ，第２の障壁層１５，量子ドット１６ｂおよび第３の障壁層１７を順次積層し、その上にゲート電極４を形成する。 - 特許庁
  • When the potential of the gate electrode 32 is high, currents flow in the second quantum well layers 26-1, 26-2 and hence it is superior in making high power devices.
    従って、ゲート電極３２の電位が高いときは、第二量子移動層に２６−１、２６−２に電流が流れるので、大電力化に優れている。 - 特許庁
  • After the single electron memory for the two-quantum point application forms each floating gate 5, 6 on both the ends of a channel 1, an insulation layer is interposed thereon to have a structure for forming a control gate 7.
    本発明に係る二つの量子点応用単一電子メモリは、チャネル１上の両端に各々浮遊ゲート５、６を形成した後、その上に絶縁層４を介在させて制御ゲート７を形成した構造を有する。 - 特許庁
  • When the potential of the gate electrode 32 relative to the source electrode 34 exceeds the specified positive voltage value, channel regions are formed in the first quantum well layers 16-1, 16-2 and second quantum well layers 26-1, 26-2.
    また、ソース電極３４の電位を基準とした前記ゲート電極３２の電位が前記所定の正の電圧値を超えるとき、第一量子井戸層１６−１、１６ー２内及び第二量子井戸層２６−１、２６ー２内にチャネル領域が形成される。 - 特許庁
  • The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a gate SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, and a laminated gate electrode layer formed on the gate SiO_2 layer, in which a dope Si layer, Ge layer, and dope Si layer are laminated sequentially.
    ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 - 特許庁
  • To make a high S/N ratio and a short gate width compatible in optical sampling using an electroabsorption type light modulator of a multiple quantum well structure.
    本発明の目的は、多量子井戸構造の電界吸収型光変調器を用いた光サンプリングにおいて高いＳ／Ｎ比と短いゲート幅を両立することにある。 - 特許庁
  • The memory transistor further has PtSi layers 18a, 18b so as to suppress the excess erasure to field emit electrons of the gate 13 at the erasure time to the insulating film on the sidewall of the gate 13 in a quantum mechanical tunneling manner.
    浮遊ゲート１３の側壁には、消去時に浮遊ゲート１３の電子が量子力学的トンネリングにより絶縁膜に電界放出される過剰な消去を抑制するために、ＰｔＳｉ層１８ａ，１８ｂを形成している。 - 特許庁
  • To provide a quantum computer having a program number qubit part and a qubit part for a computing register for realizing a computation gate by the interaction of a concrete physical system, and for evaluating the computing time.
    プログラム番号qubit部と計算レジスター用qubit部を持つ量子計算機について、具体的な物理系の相互作用により計算ゲートを実現し、その計算時間を評価する。 - 特許庁
  • The MOS field effect transistor type quantum dot light-emitting element comprises a semiconductor substrate, a tunnel SiO_2 layer formed on the semiconductor substrate, a quantum dot which includes Ge nucleus within Si shell formed on the tunnel SiO_2 layer, a control SiO_2 layer formed on the quantum dot and tunnel SiO_2 layer, and a gate electrode layer formed on the control SiO_2 layer.
    ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。 - 特許庁
  • An inversion layer 110 induced by a voltage applied to the gate electrode 103 is contracted due to the expansion of the depletion layers 108a and 108b produced by a negative voltage applied to the second gate electrodes 106a and 106b, and the inversion layer 110 is turned into a quantum fine wire 107.
    ゲート電極１０３の電圧によって生じた反転層１１０が、第２ゲート電極１０６ａ、１０６ｂの負電圧によって形成される空乏層１０８ａ、１０８ｂの拡大により収縮し、反転層が量子細線１０７となる。 - 特許庁
  • In the charge distribution imaging device, a single electron transistor or a quantum point-contact element is adopted in an electrometer 73, and a detection head to which a conductive fine probe 72 is electrically bonded is used for its gate electrode 74.
    エレクトロメータ７３に単電子トランジスタあるいは量子ポイントコンタクト素子を採用し、そのゲート電極７４に導電性微細プローブ７２を電気的に結合した検出ヘッドを用いた。 - 特許庁
  • A plurality of silicon nanowires 11 having a gate insulating film 12 on a side are separated in parallel one another for arrangement, and a gate electrode 13 is provided so that the plurality of silicon nano wires 11 can be buried around the silicon nanowires 11, thus obtaining the integrated quantum thin-line transistor having a columnar structure.
    側面にゲート絶縁膜１２を有する複数のシリコンナノワイヤー１１を互いに平行にかつ互いに分離して配置し、これらのシリコンナノワイヤー１１の周囲にそれらを埋め込むようにゲート電極１３を設けることにより柱状構造の集積型量子細線トランジスタを得る。 - 特許庁
  • The manufacturing method of the flash memory retains the environmental atmosphere of the semiconductor substrate before forming the quantum dot clean by an organic gaseous substance removing means, in the manufacturing method of the flash memory which forms an insulating film on the semiconductor substrate and forms the quantum dot on the insulating film as the floating gate.
    本発明のフラッシュメモリの製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に量子ドットをフローティングゲートとして形成するフラッシュメモリの製造方法において、前記量子ドット形成前までの前記半導体基板の環境雰囲気を、有機ガス状物質除去手段にて清浄に保つことを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a flash memory which is reduced in the amount of an organic gaseous substance in an environmental atmosphere and capable of manufacturing a quantum dot having a size and/or density within an optimum range, in the manufacturing method the a flash memory which forms the quantum dot on the insulating film of a semiconductor substrate as a floating gate.
    本発明は、半導体基板の絶縁膜上に、フローティングゲートとして量子ドットを形成するフラッシュメモリの製造方法において、環境雰囲気中の有機ガス状物質を低減し、適正範囲内のサイズ及び／又は密度の量子ドットの製造が可能となるフラッシュメモリの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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