「quantum level」を含む例文一覧(79)

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  • The quantum level of the quantum dot 22b is higher than that of the quantum dot 24b.
    量子ドット２２ｂの量子準位は量子ドット２４ｂの量子準位よりも大きい。 - 特許庁
  • the branch of quantum physics that accounts for matter at the atomic level
    原子レベルの事柄を説明する量子物理の部門 - 日本語WordNet
  • Energy En with a quantum level of a quantized level n of the first quantum well layer 7b and energy Em with a quantum level of a quantized level m of the second quantum well layer 7d satisfy a relation of En=Em, wherein n≠m.
    そして、第１量子井戸層７ｂの量子化レベルｎの量子準位のエネルギーＥｎと、第２量子井戸層７ｄの量子化レベルｍの量子準位のエネルギーＥｍとが、ｎ≠ｍにおいて、Ｅｎ＝Ｅｍとなる。 - 特許庁
  • A delta quantum well 3 is provided in a first quantum barrier region 1 to form a pseudo resonance level.
    第１の量子障壁領域１にデルタ型量子井戸３を設け、疑似共鳴準位を形成する。 - 特許庁
  • The InAs thin film 2 has a low-order quantum structure, the energy difference between an electron quantum level formed in the low-order quantum structure and the Fermi level is set equal to thermal energy or below.
    ＩｎＡｓ薄膜２は低次元量子構造を有し、この低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギ差が、熱エネルギーと同等または小さくされている。 - 特許庁
  • A central quantum well region 5 between the first and second quantum barrier regions is made narrow so that a resonance level is not formed in the region 5.
    第１と第２の量子障壁領域の間の中央量子井戸領域５を狭くして、共鳴準位が形成されないようにする。 - 特許庁
  • Similarly, a delta quantum well 4 is provided also in a second quantum barrier region 2 and a pseudo-resonance level is formed in the well 4.
    同様に、第２の量子障壁領域２にもデルタ型量子井戸４を設け、疑似共鳴準位を形成する。 - 特許庁
  • The gain region consists of a different level multiple quantum well structure where a plurality of quantum energy levels of each well layer are existent.
    利得領域は、各井戸層の量子エネルギー準位が複数存在する異準位多重量子井戸構造によって構成されている。 - 特許庁
  • Quantum dots varying in volume are formed on a substrate 711 to generate quantum levels at which state density functions are nearly equaled to each other and a resonance effect is induced between the quantum levels to bond a quantum level of a first quantum dot 712 to quantum levels of a plurality of second quantum dots 713.
    体積が異なる各量子ドットを基板７１１上に形成することにより、状態密度関数がほぼ等しくなる量子準位を作り出し、これらの間で共鳴効果を起こさせることにより、第１の量子ドット７１２の量子準位と、複数の第２の量子ドット７１３の量子準位とを結合させる。 - 特許庁
  • As a result, when biased of the whole multiple quantum well layer is carried out forward or backward, high speed translocation of carriers (usually holes) is enabled by tunnel effect, from energy level of one quantum well layer which is adjacent to the quantum dot to energy level of adjacency quantum well of the other side through energy level in the quantum dot.
    多重量子井戸層全体を，順方向ないし逆方向にバイアスしたとき，量子ドットに接する一方の量子井戸層のエネルギー準位から，量子ドット内エネルギー準位を経由して，他方の隣接量子井戸のエネルギー準位へ，トンネル効果でキャリヤ（通常は正孔）を高速に移動させることが可能となる。 - 特許庁
  • Granular InGaAsP active layers 3a processed like cubes are formed, and the size and the interval of the granular InGaAsP active layers 3a are so set that at least the quantum level of a conduction band, the quantum level of a heavy hole band, and the quantum level of light hole band are formed.
    立方体状に加工された粒子状ＩｎＧａＡｓＰ活性層３ａを形成し、粒子状ＩｎＧａＡｓＰ活性層３ａの大きさおよび間隔を、伝導帯の量子準位と、重い正孔帯の量子準位と、軽い正孔帯の量子準位とが少なくとも形成されるように設定する。 - 特許庁
  • The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13.
    導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁
  • the ground state, which is the minimum level of energy in quantum mechanics
    量子力学において,最低限のエネルギーだけを残して安定している状態 - EDR日英対訳辞書
  • Quantum level of a conduction band exists above a conduction band edge of GaInAs layer 4.
    伝導帯の量子準位はGaInAs層4の伝導帯端よりも上側に存在する。 - 特許庁
  • PHOTO-DETECTING DEVICE, AND DEVICE FOR DETECTING QUANTUM WOBBLING LEVEL OF LIGHT BEAM AND WOBBLING OF LIGHT INTENSITY
    光検出装置、光ビ—ムの量子揺らぎレベル検出装置及び光強度ゆらぎ検出装置 - 特許庁
  • The far-infrared light emitting device 1 is made into a quantum hall state of a Landau level filling rate of 4.
    遠赤外発光素子１をランダウ準位充填率４の量子ホール状態にする。 - 特許庁
  • Of course quantum mechanics underpins life at some molecular level.
    もちろん 生命をある分子のレベルで見れば そこには量子力学の仕組みがあります - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • The materials for the quantum well layer and for the carrier confinement layers and the thickness of the quantum well layer are selected so that the difference between the energy level at the carrier confinement layer conduction band lower edge and the ground level of electrons in the quantum well layer is 100 meV or higher.
    キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、量子井戸層とキャリア閉込層の材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。 - 特許庁
  • While the gate electrode is applied with no voltage, the base energy level of the quantum well layer of the semiconductor upper layer is adjusted to be higher than the base energy level of the quantum well layer of the semiconductor lower layer.
    ゲート電極に電圧を印加しない状態で、半導体上層の量子井戸層の基底エネルギー準位が半導体下層の量子井戸層の基底エネルギー準位よりも高くなるように調整する。 - 特許庁
  • The semiconductor quantum dot device comprises a p-type semiconductor barrier layer 3 provided near an undoped quantum dot 1, and holes 4 in the semiconductor barrier layer 3 previously injected at the ground level 8 of the ground level 8 of a valence band of the dot 1.
    アンドープ量子ドット１の近傍にｐ型半導体障壁層３を設け、ｐ型半導体障壁層３内のホール４を量子ドット１の価電子帯の基底準位８に予め注入しておく。 - 特許庁
  • In this case, the third semiconductor materials and the thickness of the quantum well layer are selected, so that the difference between the energy level of the lower part of the conductive band of the carrier closed layer and the base level of electrons in the quantum well layer can be set, so that is not less than 100 meV.
    キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、第３の半導体材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。 - 特許庁
  • Sensitivity is high because of the optical transition to the excited level wherein the vibrational quantum number v is different by one, and temperature stability is high because of the optical transition from the ground level wherein the rotational quantum number J is the same.
    振動量子数ｖが１だけ異なる励起準位への光学遷移であるから感度が高く、回転量子数Ｊが同一の基底準位からの光学遷移であるから温度安定性が高い。 - 特許庁
  • An optical source 101A irradiates the quantum dots with light having the energy that excites electrons on the ground level to the excited level.
    光源１０１Ａが基底準位の電子を励起準位に励起させるエネルギーを有する光を量子ドットに照射する。 - 特許庁
  • First and second quantum dots 12 and 13 having different sizes are formed on a substrate 511 made of a conductive crystal to cause a resonance effect between quantum levels when their state density functions become the same, so that excitons excited within the first quantum dot 12 according to the wavelength of light emitted from the illumination optical system 518 are injected to the quantum level of the second quantum dot 13.
    導電性の結晶により構成される基板５１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、照射光学系５１８から照射される光の波長に応じて第１の量子ドット１２内で励起された励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁
  • A first quantum dot 22 and a second quantum dot 23 which have different sizes are provided on a substrate 21, thereby causing a resonant effect between quantum levels in which status density functions become equal to each other and amplifying the light to be incident in response to reverse distribution generated by implanting exciters into the quantum level of the second quantum dot 23.
    大きさの異なる第１の量子ドット２２及び第２の量子ドット２３を基板２１上に設けることにより、状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第２の量子ドット２３の量子準位に励起子を注入させることにより生成される反転分布に応じて入力される光を増幅する。 - 特許庁
  • A first quantum dot 22 and a second quantum dot 23 which have different sizes are provided on a substrate 21, thereby causing a resonant effect between quantum levels in which status density functions become equal to each other and resonating light emitted on the basis of reverse distribution generated by implanting exciters into the quantum level of the second quantum dot 23 and further performing optical oscillation.
    大きさの異なる第１の量子ドット２２及び第２の量子ドット２３を基板２１上に設けることにより、状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第２の量子ドット２３の量子準位に励起子を注入させることにより生成される反転分布に基づいて放出された光を共振させ、さらに光発振させる。 - 特許庁
  • In this method, since the STM chip can be moved to an accuracy of one nm, the two-dimensional array of the quantum dots in the period of several tens of um, that is, the short period of the same level as the size of the quantum dots is possible, whereby the quantum dots of a high density are obtained.
    本方法では、ＳＴＭチップをｎｍの精度で移動できるので、数１０ｎｍ、すなわち量子ドットのサイズと同程度の短周期での２次元配列が可能であり、よって高密度の量子ドットが得られるという特徴を有する。 - 特許庁
  • To provide an apparatus of measuring an energy level and a method of measuring an energy level capable of measuring difference between an energy level of a quantum dot and that of a semiconductor material and the like adjacent to the quantum dot without giving damage even if a sample has a low thermal resistance.
    耐熱性の低いサンプルであっても損傷を与えることなく、量子ドットと量子ドット近傍の半導体材料等のエネルギ準位の差を測定することのできるエネルギ準位測定装置及びエネルギ準位の測定方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
  • To provide a method for mass-producing microstructures, in particular, nanometer level structures such as biochips, protein chips, quantum dots, quantum chips and the like.
    バイオチップやプロテインチップ、量子ドット、量子チップ等の微小な構造物、特にナノレベルの構造物を量産するための方法を提供する。 - 特許庁
  • The electron energy level of the quantum well structure can be obtained easily, the energy band structure of the quantum well structure is specified, and the design of a semiconductor device can be supported.
    量子井戸構造の電子エネルギー準位を簡単に求めることができ、量子井戸構造のエネルギーバンド構造を特定し、半導体装置の設計を支援することができる。 - 特許庁
  • To provide a program for causing a computer to perform an operation in a quantum level in a quantum well so that a doping quantity is converged even if it is increased.
    ドーピング量が多くなった場合にも収束するように量子井戸における量子準位の演算をコンピュータに実行させるためのプログラムを提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor quantum dot device capable of realizing a wide modulation band of about 10 GHz or more by expediting relaxation of a carrier to a ground level of a quantum dot.
    量子ドットの基底準位へのキャリアの緩和を促進して１０ＧＨｚ程度以上の広い変調帯域を実現できる量子ドット・デバイスを提供する。 - 特許庁
  • The element has at least 1st to 3rd quantum points which are different in size from one another in the increasing order of the sizes, and the 1st to 3rd quantum points have discontinuous energy levels and a common energy level.
    それぞれ大きさが異なる、小さい順に第１乃至第３の量子点を少なくとも備え、第１乃至第３の量子点は、非連続のエネルギー準位を有するとともに、共通のエネルギー準位を有する。 - 特許庁
  • This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer.
    本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４の一部に量子井戸層５を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。 - 特許庁
  • The quantum dot semiconductor laser comprises a semiconductor substrate, an active layer 6 having a quantum dot 24 such that a TM mode gain of base level is larger than a TE mode gain and a semiconductor layer 21 which is formed connecting with the quantum dot 24 and made of a semiconductor material having the same substance and composition with the quantum dot 24, and a diffraction grating.
    量子ドット半導体レーザを、半導体基板と、基底準位におけるＴＭモード利得がＴＥモード利得よりも大きい量子ドット２４と、量子ドット２４に連なるように形成され、量子ドット２４と同一の材料・組成の半導体材料からなる半導体層２１とを有する活性層６と、回折格子とを備えるものとする。 - 特許庁
  • The logic circuit 2 maintains high-level status, holding the captured magnetic quantum, when the set pulse S is input in it.
    論理回路２は、セットパルスＳが入力されると捕獲した磁束量子を保持して高レベル状態を維持する。 - 特許庁
  • PROGRAM FOR MAKING COMPUTER PERFORM EXCITON QUANTUM LEVEL COMPUTATION, AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM THAT HAS RECORDED PROGRAM
    励起子の量子準位の演算をコンピュータに実行させるためのプログラム、及びプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF CONTROLLING ENERGY LEVEL OF QUANTUM DOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    量子ドットのエネルギー準位を制御した半導体素子およびそのための半導体素子の製造方法 - 特許庁
  • When electron is distributed to quantum level of |1> or |2>, the system forms an electric dipole.
    電子を量子準位｜１＞もしくは｜２＞に分布させたときこの系は電気双極子を形成することになる。 - 特許庁
  • The original power of the semiconductor laser 1 is set to a level for sully suppressing a quantum noise.
    半導体レーザ１の元パワーは、量子雑音を十分に低く抑えることができるパワーに設定する。 - 特許庁
  • To provide a quantum cascade laser capable of improving characteristics such as injection efficiency of electrons into a light emission upper level.
    発光上準位への電子の注入効率などの特性を向上することが可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁
  • To inexpensively provide a compact quantum point contact in the same level as the manufacturing process of a field effect transistor.
    電界効果トランジスタの製造工程と同程度で、しかも小型の量子ポイントコンタクトを安価に提供する。 - 特許庁
  • PROGRAM FOR CAUSING COMPUTER TO PERFORM OPERATION IN QUANTUM LEVEL AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM RECORDING PROGRAM
    量子準位の演算をコンピュータに実行させるためのプログラム、及びプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体 - 特許庁
  • To provide a method of high-speed and high-sensitivity reading-out of magnetization information by using light transition using the quantum well level in thin metallic film of magnetic metal, noble metal, magnetic metal, semiconductor, ferromagnetic metal, etc., or the semiconductor quantum well level held between ferromagnetic metals.
    磁性金属、貴金属、磁性金属、半導体、強磁性金属等の金属薄膜中の量子井戸準位または強磁性体に挟まれた半導体量子井戸準位を使った光遷移を用い、磁化情報の高速高感度読み出し方法を提供する。 - 特許庁
  • Difference between an energy level of a quantum dot included in the sample 100 and that in the bottom of the conductive band of an insulating layer close to or adjacent to the quantum dot is obtained as an irradiating energy E2 of the irradiation light with the wavelength λ2 to enable to measure the energy level with accuracy.
    サンプル１００に含まれる量子ドットのエネルギ準位と、量子ドットに近接又は隣接する絶縁層の伝導帯の底のエネルギ準位との差は、波長λ２の照射光の照射エネルギＥ２としても求まるため、エネルギ準位の正確な測定が可能である。 - 特許庁
  • At the time of impressing a reverse bias voltage to the super lattice semiconductor light emitting element, carriers are injected by making incident excitation lights, and electrons are moved from the Γ level of the quantum well layer 22 through the X level of the barrier layer 21 to the Γ level of the quantum well layer 22 in the next stage, and the electrons are recombined with holes so as to emit light.
    超格子半導体発光素子に対して逆バイアス電圧を印加したときに、励起光を入射することによりキャリアを注入して、電子を量子井戸層２２のΓ準位から障壁層２１のＸ準位を介して次段の量子井戸層２２のΓ準位に遷移させかつ電子を正孔と再結合させて発光させる。 - 特許庁
  • To provide mass spectrometry for efficiently adjusting the wavelength of a laser to the wavelength of the resonance excitation level or the ionization level to irradiate an unknown specific molecule predicted with high accuracy, using a quantum-chemical calculations technique.
    量子化学的計算手法を用いて高精度で予測た未知の特定分子の共鳴励起準位やイオン化準位の波長にレーザの波長を効率的に調整して照射する質量分析方法を提供する。 - 特許庁
  • An injection part 105 performs tunnel injection of electrons or interrupts the injection by changing the energy level to the ground level of a plurality of the quantum dots via the barrier structure part.
    注入部１０５がバリア構造部を介して複数の量子ドットの基底準位に、エネルギー準位を変化させて電子をトンネル注入あるいは注入を阻止する。 - 特許庁
  • A four-level system (four-state system) used in a phase-gate operation is a tripod-shaped four-level system composed of two low-energy states |0> and |1> utilized for a quantum bit, a low-energy state |2> utilized supplementally, and an excited state |e>.
    位相ゲート操作で用いる四準位系(四状態系)は、量子ビットに利用する下二準位の状態｜０＞、｜１＞と補助的に利用する下準位の状態｜２＞と励起状態｜ｅ＞からなる三脚型の四準位系である。 - 特許庁
  • A plurality of quantum dots 106 have such discrete energy levels that the ground level and the excited level do not intersected with each other by the energy due to an ambient environmental temperature.
    複数の量子ドット１０６が基底準位と励起準位とが周囲の環境温度によるエネルギーによって交わることがない離散的なエネルギー準位を有する。 - 特許庁
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