「quantum type」を含む例文一覧(264)
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量子型赤外線センサ - 特許庁 - QUANTUM WELL TYPE OPTICAL DETECTOR
量子井戸型光検知器 - 特許庁 - QUANTUM WELL TYPE LIGHT EMITTING DIODE
量子井戸型発光ダイオード - 特許庁 - QUANTUM WELL TYPE INFRARED SENSOR
量子井戸型赤外線センサ - 特許庁 - QUANTUM DOT DIODE TYPE RECTIFIER
量子ドットダイオード型整流器 - 特許庁 - NEURAL NETWORK TYPE QUANTUM COMPUTER
ニューラルネットワーク型量子コンピュータ - 特許庁 - QUANTUM DOT TYPE INFRARED RAY DETECTOR
量子ドット型赤外線検知器 - 特許庁 - QUANTUM WELL TYPE INFRARED DETECTOR
量子井戸型赤外線検出器 - 特許庁 - QUANTUM DOT TYPE INFRARED DETECTING ELEMENT
量子ドット型赤外線検知素子 - 特許庁 - QUANTUM WELL TYPE INFRARED DETECTOR
量子井戸型赤外線検出装置 - 特許庁 - CORE-SHELL TYPE QUANTUM DOT FLUORESCENT FINE PARTICLE
コアシェル型量子ドット蛍光微粒子 - 特許庁 - MULTIPLE QUANTUM WELL TYPE INFRARED-RAY SENSOR
多重量子井戸型赤外光センサ - 特許庁 - DOUBLE QUANTUM DOT CHARGED TYPE RECTIFYING ELEMENT
２重量子ドット帯電型整流素子 - 特許庁 - QUANTUM DOT TYPE INFRARED RAY DETECTION ELEMENT, AND QUANTUM DOT TYPE INFRARED RAY IMAGING APPARATUS
量子ドット型赤外線検知素子及び量子ドット型赤外線撮像装置 - 特許庁 - MULTI-WAVELENGTH QUANTUM -WELL TYPE INFRARED-RAY DETECTOR
多波長量子井戸型赤外線検知器 - 特許庁 - SUB-BAND TRANSITION TYPE QUANTUM WELL PHOTO SENSOR
サブバンド間遷移量子井戸型光検知装置 - 特許庁 - SCHOTTKY BARRIER QUANTUM WELL RESONANCE TYPE TUNNEL TRANSISTOR
ショットキーバリア量子井戸共振型トンネルトランジスタ - 特許庁 - MAGNON MEDIATION TYPE SOLID NMR QUANTUM COMPUTER
マグノン媒介型固体ＮＭＲ量子計算機 - 特許庁 - ABSORPTION TYPE SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL OPTICAL MODULATOR
吸収型半導体量子井戸光変調器 - 特許庁 - CATHODE FOR COOLING TYPE HIGH QUANTUM EFFICIENCY PHOTOCATHODE (TYPE) ELECTRON RAY SOURCE
冷却式高量子効率フォトカソード型電子線源用陰極 - 特許庁 - QUANTUM WELL TYPE PHOTODETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
量子井戸型光検知器及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING QUANTUM DOT TYPE INFRARED DETECTOR
量子ドット型赤外線検出器の製造方法 - 特許庁 - COATING METHOD OF HIGH QUANTUM EFFICIENCY SUBSTANCE ON COOLING TYPE HIGH QUANTUM EFFICIENCY PHOTO CATHODE TYPE ELECTRON BEAM SOURCE
冷却式高量子効率フォトカソード型電子線源への高量子効率物質の被覆方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE FOR QUANTUM TYPE INFRARED SENSOR AND QUANTUM TYPE INFRARED SENSOR
量子型赤外線センサ用化合物半導体積層体の製造方法および量子型赤外線センサ - 特許庁 - CURRENT SIGNAL INPUT TYPE SINGLE MAGNETIC FLUX QUANTUM CIRCUIT
電流信号入力型単一磁束量子回路 - 特許庁 - To enhance sensitivity in a quantum dot type photodetector.
量子ドット型光検出器の感度を高くすること - 特許庁 - QUANTUM DOT SOLID AND PATTERNING METHOD FOR CONVENTIONAL TYPE SOLID
量子ドット固体および従来型固体のパタ—ン化方法 - 特許庁 - The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si.
ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。 - 特許庁 - The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.
ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁 - QUANTUM WELL STRUCTURE, OPTICAL CONFINEMENT TYPE QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER, SPECTROGRAPH, AND MANUFACTURING METHOD OF THE QUANTUM WELL STRUCTURE
量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法 - 特許庁 - To convert quantum algorithms described by using control NOT to algorithms for raps around array type quantum computers.
制御ＮＯＴを使用して記述された量子アルゴリズムを循環配列型量子コンピュータ用のアルゴリズムに変換する。 - 特許庁 - EXTERNAL RESONATOR TYPE SURFACE LIGHT-EMITTING LASER ELEMENT HAVING A PLURALITY OF QUANTUM WELLS
複数の量子ウェルを有する外部共振器型の面発光レーザー素子 - 特許庁 - A p-type ZnMgO layer is formed on the ZnO/ZnMgO quantum well layer surface (e).
（ｅ）ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層表面上に、ｐ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁 - SUPER CONDUCTIVE MATERIAL OF QUANTUM-DEFECT FLUX PINNING TYPE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
量子欠陥磁束ピン止め型超伝導材料及びその製造方法 - 特許庁 - The InAs islands are covered with i-type GaAs to form the quantum dots.
このＩｎＡｓ島をｉ型ＧａＡｓで覆うと量子ドットが形成される。 - 特許庁 - SURFACE DISCHARGE LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD OF QUANTUM POINT PERPENDICULAR RESONANCE TYPE
量子点垂直共振型の表面放出レーザー及びその製造方法 - 特許庁 - The p type layer of the active region may be a quantum well layer or a barrier layer.
活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。 - 特許庁 - The p-type layer in the active region can be a quantum well layer or a barrier layer.
活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。 - 特許庁 - A substance having n-type conductivity is used as an impurity for the quantum well layer of this multiplex quantum well semiconductor element, and only the quantum well layer is doped, or it is mainly doped with the substance.
多重量子井戸半導体素子の量子井戸層をｎ型導伝性とする物質を不純物として量子井戸層のみ、もしくは、主に量子井戸層にドーピングする。 - 特許庁 - Furthermore, an information expression method suitable for the quantum computer, based on Hilbert Space Theory, is applied, and the neural network type quantum computer with the neural network integrated with the quantum computer is constituted.
さらに、ヒルベルト空間論に基づいた量子コンピュータに適した情報表現法を適用し、ニューラルネットワークと量子コンピュータを統合したニューラルネットワーク型量子コンピュータを構成する。 - 特許庁 - The n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5 are arranged so as to interpose the quantum cascade active layer 4.
ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５は、量子カスケード活性層４を挟むように配置される。 - 特許庁 - The barrier layers 2 and the quantum well layers 3 constitute a type II superlattice.
障壁層２及び量子井戸層３は、タイプＩＩ型の超格子を構成している。 - 特許庁 - ARRAY STRUCTURE OF CORE-SHELL TYPE QUANTUM DOT AND RESONATOR POLARITON DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME
コア・シェル型量子ドットの配列構造及びこれを備えた共振器ポラリトン素子 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING INFRARED SENSOR, INFRARED SENSOR AND QUANTUM-TYPE INFRARED GAS CONCENTRATION METER
赤外線センサの製造方法及び赤外線センサ並びに量子型赤外線ガス濃度計 - 特許庁 - A new type of computing element, the magnetic quantum cellular automaton (MCQA), was recently described by ...
新しいタイプの計算素子である磁気量子セルオートマトン（MQCA）が最近...によって述べられた。 - コンピューター用語辞典 - To suppress variations in the band gaps in a quantum well active layer and the diffusion of Zn, i.e., P-type dopant, into the quantum well active layer in thermal annealing treatment.
熱アニール処理による量子井戸活性層内のバンドギャップのばらつき、および、Ｐ型ドーパントのＺｎの量子井戸活性層への拡散を抑制する - 特許庁 - The quantum type photoelectric conversion element 1 is connected to an external circuit through connection terminals 3e-f.
量子型光電変換素子１は接続端子３ｅ〜ｆを介して外部回路に接続される。 - 特許庁 - APPARATUS FOR COATING PARTIALLY HIGH QUANTUM EFFICIENCY SUBSTANCE ON TIP OF CATHODE OF PHOTOCATHODE TYPE ELECTRON RAY SOURCE
フォトカソード型電子線源の陰極先端部への高量子効率物質の局所被覆装置 - 特許庁 - To provide a surface discharge laser and its manufacturing method of a quantum-point perpendicular resonance type.
量子点垂直共振型の表面放出レーザー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The quantum well active layer 107 is grown by adding an impurity becoming a second conduction-type.
量子井戸活性層１０７を第二導電型となる不純物を添加しながら成長させる。 - 特許庁
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