「random-access memory」を含む例文一覧(929)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 次へ＞- The magnetic random access memory uses a magnetoresistive effect film composed of a multilayered magnetic film as a memory element or the mechanism for inverting the magnetization as an information writing means.
本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、上記多層磁性膜からなる磁気抵抗効果膜をメモリ素子とし、或いは、上記磁化反転機構を情報の書き込み手段とする。 - 特許庁 - Therefore, single chip design characteristic of both of a dynamic random access memory DRAM and an electrically programmable read only memory EPROM can be obtained.
これにより、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）、及び電気的にプログラマブルな読出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）の両方を特徴とする単一チップ設計がもたらされる。 - 特許庁 - When control instruction data of the microcontroller device 10 are reset, resetting is canceled and the data are read from the flash memory 13 and written again into the random access memory 14.
マイクロコントローラ装置１０における制御指示データがリセットされ場合、そのリセットを解除した後、フラッシュメモリ１３からデータを読み出し、ランダムアクセスメモリ１４へ再度を書込む。 - 特許庁 - The method for determining previously the initial state of the flip-flop type random access memory is achieved when the memory increases the power of the previously determined initial state.
メモリが予め決定された初期状態をパワーアップする場合、フリップフロップ型ランダム・アクセス・メモリのメモリ・セルの初期状態を予め決定する方法が達成される。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory (MRAM) and its data read-out method in which sensing margin can be secured sufficiently and which has strong noise proof.
センシングマージンを十分確保可能でノイズに強い磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）およびそのデータ読み出し方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory system in which the irregularities of spins on a pin layer can be modified after assembly and electrical evaluation.
アセンブリや電気的評価後にピン層のスピンのばらつきを修正できる磁気ランダムアクセスメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a dynamic random access memory capable of restraining a fail occurrence rate, even if the degree of integration is increased.
集積度が上昇しても不良発生率を低く抑えることのできるダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a data broadcasting system and method, extending the service life of a NVRAM (nonvolatile random access memory).
受信機のＮＶＲＡＭ（不揮発性メモリ）の寿命になるまでの期間を延ばすデータ放送システム及びデータ放送方法を提供する。 - 特許庁 - The static random access memory cells 300 contain two non-planar pass-gate transistors having one or more fins on a semiconductor substrate.
スタティック・ランダム・アクセス・メモリ・セル３００は、半導体基板上の１つ以上のフィンを備える２つの非プレーナ型パスゲート・トランジスタを備える。 - 特許庁 - METHOD OF TRANSFERRING FRAME DATA USING SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, METHOD OF TRANSFERRING FRAME DATA TO SOURCE DRIVER, AND TIMING CONTROL MODULE
シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリを用いたフレームデータの転送方法及びフレームデータのソースドライバへの転送方法並びにタイミング制御モジュール - 特許庁 - Power consumption is controlled by reducing the operation rate of the bus 88 or the RAM(Random Access Memory) 86 of a cable modem device 80, and the micro processor 90.
ケーブルモデム装置８０のバス８８やＲＡＭ８６及びマイクロプロセッサ９０の動作率を低下させて消費電力を抑制する。 - 特許庁 - The dielectric material is especially useful for usage by a silicon chip integrated circuit device having capacitors of a dynamic random access memory (DRAM) device.
本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）装置のコンデンサを備えたシリコンチップ集積回路装置での使用に特に有用である。 - 特許庁 - To provide a method of forming a dynamic random access memory having a highly stored capacitance using a dielectric layer having a high dielectric constant.
高誘電率を有する誘電体層を使用して、高蓄積キャパシタンスを有するダイナミックランダムアクセスメモリの形成方法を提供する。 - 特許庁 - The technique maintains compatibility with a static random access memory (SRAM) having a wide byte and a flash memory having a fixed input output byte by selectively activating the byte of data being inputted and outputted and changes a program using the nonvolatile ferroelectric register in a software type method.
このような本発明は、入出力されるデータのバイトを選択的に活性化させワーイドバイトを有するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、及び固定された入出力バイトを有するフラッシュメモリとの互換性を維持することができ、不揮発性強誘電体レジスタを利用してソフトウェア的な方法でプログラムを変更することができるようにする。 - 特許庁 - In this boot coding method, an electronic device has: a read only memory storing a first stage boot code 12; a second stage boot code 16; a boot random access memory 18 receiving the second stage boot code when executing the first stage boot code; and a system memory 20 connected to the boot random access memory, executing the second stage boot code.
第１段階ブートコード（１２）を記憶するリードオンリーメモリと、第２段階ブートコード（１６）と、前記第１段階ブートコードの実行時に前記第２段階ブートコードを受信するブートランダムアクセスメモリ（１８）と、そして前記ブートランダムアクセスメモリに接続し、前記第２段階ブートコードを実行するシステムメモリ（２０）とを具備した電子デバイスを提供する。 - 特許庁 - The problems of losing the data in the dynamic random access memory due to cut in power supply can be avoided by supplying power for maintaining data stored in the dynamic random access memory using a rechargeable battery module and by charge from a main device power source via the rechargeable battery module.
充電用電池モジュールを用いてダイナミックランダムアクセスメモリの蓄積データ維持に必要な電力を提供し、充電用電池モジュールを介して、主装置電源からの充電により、ダイナミックランダムアクセスメモリにおける無電力供給による蓄積内容の流失を解決する。 - 特許庁 - In a light-quantity unevenness correction value storage part 81 which is provided in an LPH driving part 55 and wherein a light-quantity unevenness correction value corresponding to each LED 62 is stored, a write port for writing and a read port for reading are composed of a single port RAM (Random Access Memory) which is composed of a single port.
ＬＰＨ駆動部５５に設けられ、各ＬＥＤ６２に対応する光量むら補正値を格納する光量むら補正値記憶部８１は、書き込み用のライトポートおよび読み出し用のリードポートが単一のポートにて構成されるシングルポートＲＡＭ(Random Access Memory)により構成される。 - 特許庁 - A digital multifunctional machine 1 comprises: a FIFO memory 112 serving as a buffer for temporarily storing data DMA (Direct Memory Access)-transferred from a DDR-SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 104; and a FIFO memory 114 serving as a buffer for temporarily storing data to be DMA-transferred to the DDR-SDRAM 104.
デジタル複合機１は、ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ１０４からＤＭＡ転送されてきたデータを一時的に保持するバッファであるＦＩＦＯメモリ１１２と、ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ１０４へＤＭＡ転送するデータを一時的に保持するバッファであるＦＩＦＯメモリ１１４とを備える。 - 特許庁 - In this memory module 100, an address generation circuit 120 generates the highest order bit B2 of the bank address insufficient for the purpose of specification of the memory cell that is the access target by use of the highest order bit of the row address output from the memory controller 12, and outputs it to SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 110.
メモリモジュール１００において、アドレス生成回路１２０は、メモリコントローラ１２から出力されたロウアドレスの最上位ビットを用いて、アクセス対象となるメモリセルを特定するために不足するバンクアドレスの最上位ビットＢ２を生成し、これをＳＤＲＡＭ１１０に出力する。 - 特許庁 - To provide a bus system and an image forming device, reducing the occurrence of deadlock due to access to a DRAM (Dynamic Random Access Memory) during refreshing operation while reducing power consumption.
消費電力を低減しつつリフレッシュ動作中のＤＲＡＭへのアクセスによりデッドロックに陥るおそれを低減することができるバスシステム、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a double-sided display device which is provided with a high function at a low cost without using an expensive RAM(random access memory).
高価なビデオＲＡＭを用いることなく低コストで高い機能を備えた両面タイプの表示装置を提供することを目的としている。 - 特許庁 - To improve user's convenience and to surely hold safety in a microcomputer using a SRAM (Static Random Access Memory) for storing setup data or the like to be held.
保持したい設定データなどの記憶にＳＲＡＭを用いたマイコンにおいて、ユーザの利便性を高めると共に、安全性を確実に保つ。 - 特許庁 - To permit high-speed starting without providing a CPU (central processing unit) which effects high-speed processing, a flash memory which is high in the speed of random access, or the like.
高速処理を行うＣＰＵやランダムアクセスが高速なフラッシュメモリなどを備えることなく、高速起動を可能とすることを目的とする。 - 特許庁 - A central processor unit (CPU) 10 acquires multiple kinds of sound signals stored in a sound database 21 of a hard disk 11, and stores them in a random access memory (RAM) 23.
ＣＰＵ１０は、ハードディスク１１の音データベース２１に記憶されている複数種類の音信号を取得してＲＡＭ２３に格納する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile random access memory device, wherein a voltage for write-in and erasing of electric charge is lower for improved cycle possibility.
電荷の書込みおよび消去が可能な電圧を低くし、サイクル可能性を向上させた不揮発性ランダム・アクセス・メモリ・デバイスを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory in which data read-out speed can be increased without reducing a random access time and its data read-out method.
ランダムアクセスタイムを低下させることなく、データ読み出しの高速化が図れる半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法を提供する。 - 特許庁 - If the clear signal is inputted, the game state based on the fluctuation data stored in a backup RAM(random access memory) is not recovered.
そして、クリア信号が入力されていればバックアップＲＡＭに記憶されている変動データにもとづく遊技状態の復旧を行わない。 - 特許庁 - A magnetic random access memory is characterized that a magnetic tunnel junction layer is consisted of a lower magnetic film, an anti-oxidation film, a tunnel oxide film and an upper magnetic film.
そして、前記トンネル酸化膜を形成する過程でその下部膜が損傷することを防止してＭＲ比が低くなることも防止できる。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory in which a current for magnetization inversion is sufficiently secured in a magnetoresistive effect element, and a method of manufacturing the same.
磁気抵抗効果素子において磁化反転のための電流を十分に確保した磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - a cache that stores copies of frequently used disk sectors in random access memory (RAM) so they can be read without accessing the slower disk
より遅いディスクにアクセスすることなく読まれることができるように、頻繁に使われるディスク・セクターのコピーをランダム・アクセス・メモリ（RAM）に保存するキャッシュ - 日本語WordNet - One implementation form is a method for dynamically regulating a refresh rate of a dynamic random access memory (DRAM) 102 in a computer system 100.
一実施形態は、コンピュータシステム（１００）においてダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（「ＤＲＡＭ」）（１０２）のリフレッシュレートを動的に調節する方法である。 - 特許庁 - To supply a large bit line write current without reducing a size of a bit line driver while guaranteeing the pressure resistance of a memory cell transistor in a magnetic random access memory (MRAM).
磁場書込型磁気抵抗性メモリ（ＭＲＡＭ）において、メモリセルトランジスタの耐圧を保証しつつ、ビット線ドライバのサイズを低減させることなく大きなビット線書込電流を供給する。 - 特許庁 - To achieve a ferroelectric memory cell which allows polarization data of ternary or more multiple-value to be stored to attain a ferroelectric random access memory with high density and high integration.
１つの強誘電体素子中に３値以上の多値の分極データを記憶可能な強誘電体メモリセルを実現し、強誘電体メモリの高密度化、高集積化を実現する。 - 特許庁 - To provide particular performance data that are not generally obtained by a large-scale integrated testing method by evaluating the performance characteristic of each memory cell in particular about a random access memory cell.
ランダム・アクセス・メモリ・セルに関し、特に、個々のメモリ・セルの性能特性を評価し、それによって、一般に大規模統合テスト方法では得られない特定の性能データを与える。 - 特許庁 - The disk drive system includes a processing element which executes various operations and a hard disk controller having a buffer which provides an interface for the memory device such as a random access memory or the like.
ディスク駆動システムが種々の動作を実行する処理要素及びランダムアクセスメモリ等のメモリ装置に対するインターフェースを与えるバッファを具備するハードディスク制御器を有している。 - 特許庁 - To provide a dynamic type semiconductor memory device being refresh-controlled, or not which has an interface having interchangeability with a static random access memory and can perform stably internal operation.
スタティック・ランダム・アクセス・メモリと互換性を有するインターフェイスを有しかつ安定に内部動作を行なうことのできるリフレッシュ制御フリーのダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for performing a command cancel (CC) function on a dynamic random access memory (DRAM) semiconductor device for enhancing reliability and speed of a memory system.
メモリ・システムの信頼性および速度を向上させるために、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）半導体デバイス上でコマンド取消し（ＣＣ）機能を実行するための方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a three-dimensional large capacity random access memory device formed by stacking memories individually in which individual memory layers can be sorted and removed.
本発明の目的は、個別にメモリを積重して形成され、個々のメモリ層を選別し、除去することができる３次元大記憶容量ランダムアクセスメモリ素子を提供することである。 - 特許庁 - An illustrative unit cell of a nonvolatile memory, such as a phase change random access memory (PRAM), is linked to an address line, and a data line and includes a MOS transistor that receives application of a voltage from the data line.
相変化ランドムアクセスメモリ（ＰＲＡＭ）のような不揮発性メモリの例示的な単位セルはアドレスラインとデータラインに連結され、データラインから電圧の印加を受けるＭＯＳトランジスタを含む。 - 特許庁 - When the BB is not in the duration, the sub-CPU reads out demonstration image display data from a sub-ROM (Read-Only Memory) with a first rate (> a second rate) to download it to a sub-RAM (Random-Access Memory).
ＢＢの持ち越し中でない場合、サブＣＰＵはサブＲＯＭからデモ画像表示データを第１速度（＞第２速度）で読み出してデモ画像表示データをサブＲＡＭにダウンロードする。 - 特許庁 - A personal computer (PC) 100 comprises a central processing unit (CPU) 1, a read only memory (ROM) 2, and a random access memory (RAM) 3, and processing of data is performed in CPU 1.
パーソナルコンピュータ（ＰＣ）１００には、中央処理装置（ＣＰＵ）１とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）２及びランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）３が設けられて、データの処理がＣＰＵ１で行われる。 - 特許庁 - To provide a spin transfer type MTJ-MRAM (magnetic random access memory) cell that can keep a switching magnetic field without increasing switching current and cell size.
スイッチング電流およびセルサイズの増大という不都合を伴うことなくスイッチング磁界を確保し得るスピントランスファー型ＭＴＪ−ＭＲＡＭセルを提供する。 - 特許庁 - The ultrasonic beam forming system, which has a simple constitution and is produced at a low cost, uses an analog random access memory (RAM) element in each beam forming channel.
簡単かつ低コストな超音波ビーム成形システムは、それぞれのビーム成形チャネルについて、アナログのランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）素子を使用している。 - 特許庁 - The magnetic random-access memory cell 1 has a structure in which a free layer 2, a non-magnetic layer 3 (a main non-magnetic layer) in the cell and a pin layer 4 are laminated.
磁性ランダムアクセスメモリセル１は、フリー層２と、セルにおける非磁性層（主非磁性層）３とピン層４とが積層された構造を有している。 - 特許庁 - The active matrix display device 1 has static random access memory (SRAM) devices 5 and digital to analog converters (DAC) 6, which are both allocated to each of sub-pixels 3 of a divided pixel 2.
アクティブマトリクス型の表示装置１は、画素２が分割されたサブ画素３の各々に設けられたＳＲＡＭ５とＤＡＣ回路６を備える。 - 特許庁 - A musical piece data for expressing each note in a divided phrase section is stored in a random access memory (RAM) 14, by dividing a melody part and a plurality of accompaniment parts into phrase units.
ＲＡＭ１４には、メロディパートおよび複数の伴奏パートをフレーズ単位に区切り、区切られたフレーズ区間の各音を表す曲データが記憶される。 - 特許庁 - When the resistance random access memory element is miniaturized, variations in electrical characteristics due to the surface irregularities of the variable resistance film can be reduced.
抵抗変化型メモリ素子を微細化した場合に、抵抗変化膜表面の凹凸に起因した素子間の電気特性のバラツキを小さくすることができる。 - 特許庁 - A PLD (Programmable Logic Device) 41 deletes image data of a range unnecessary to the image processing including the blank region, and deploys the remaining image data to RAM (random access memory) 46.
ＰＬＤ４１はそのブランク領域を含む、画像処理に不要な範囲の画像データを削除し、残りの部分の画像データをＲＡＭ４６に展開する。 - 特許庁 - The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.
半導体装置は、ビットライン２２が容量素子３１より下方にあるスタック型の構成を有するＤＲＡＭとＳＲＡＭとが混載されてなる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit device, such as a high-performance semiconductor integrated circuit device whose soft errors of a SRAM(static random access memory) are reduced.
半導体集積回路装置、例えば、ＳＲＡＭのメモリセルのソフトエラーを低減させた高性能の半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
