A re-creatable and uniform low-doped layer is formed of a plurality of sub-layers 208 of doped nitride semiconductor material and a plurality of sub-layers 209 of undoped nitride semiconductor material alternately arranged atop another layer. 複数のドープされた窒化物半導体材料の副層208と、複数のドープされていない窒化物半導体材料の副層209とを、別の層の上に交互に配置されるように形成させることによって、再現可能で、且つ均一な低ドープ層を形成させる。 - 特許庁