「read-write」を含む例文一覧(4195)

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  • To transfer data in a cell array without performing write-in and read-out to the outside.
    外部への読み出し書き込みを伴わずに，セルアレイ内でデータを転送する。 - 特許庁
  • The closer memory sub array connects the pair of internal data into to the write/read circuit.
    近い方のメモリサブアレイは、内部データ線対を書込／読出回路に結合する。 - 特許庁
  • The module register monitors a system command bus for read and write commands.
    モジュール・レジスタは、読出し及び書込みコマンドに関してシステム・コマンド・バスをモニターする。 - 特許庁
  • I'm my father's daughter. I read, I write, I think about global health a lot.
    娘の私も 国際保健学について 大いに読み 書き 考えてきました - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • the time it takes for a read/write head to move to an adjacent data track
    読み出し／書き込みヘッドが隣のデータトラックまで移動するのにかかる時間 - 日本語WordNet
  • To read and write data synchronously with a high-speed clock signal.
    高速なクロック信号に同期したデータの読み出し及び書き込みを実現する。 - 特許庁
  • A magnetic storage device stores an offset table in which write/read offset quantity is stored.
    磁気記憶装置は、ライトリードオフセット量を格納したオフセットテーブルを記憶する。 - 特許庁
  • The optical disk is provided with a ROM area 201 in which information cannot be read out after the lapse of a prescribed time, a ROM area 202 in which the recorded information can be indefinitely read out, and a rewritable read/write area 203.
    光ディスクは、所定時間経過後には情報の読み出しができなくなるＲＯＭ領域２０１と、期限無しで記録情報を読み出し可能なＲＯＭ領域２０２と、書き換え可能なリード（read）／ライト（write）領域２０３を具備する。 - 特許庁
  • The set data of the library are read from the read source library and written to a write destination under the condition that the configuration ID of the read source C component is coincident with the configuration ID of the write destination C component.
    ライブラリの設定データは、読み出し元と書き込み先のＣコンポーネントの構成ＩＤが一致していることを条件として読み出し元のライブラリから読み出した設定データを書き込み先へ書き込む。 - 特許庁
  • Scene data attended with the mixer configuration, that is, scene data read from a read source mixer configuration are written to a write destination on the condition that the configuration ID of the read source is coincident with the configuration ID of the write destination.
    ミキサ構成に付随するシーンデータは、読み出し元と書き込み先の構成ＩＤが一致していることを条件として読み出し元のミキサ構成から読み出したシーンデータを書き込み先へ書き込む。 - 特許庁
  • A time difference from a write start point of time until a read start point of time is controlled in both processing ways so that a write address does not overtake a read address and all the written data are read.
    いずれの処理でも、読み出すアドレスを書き込むアドレスが追い越すことのないように、書き込み開始時点から読み出し開始時点までの時間差を制御し、全ての書き込みデータを読み出す。 - 特許庁
  • When the read command is received after the receipt of the plurality of write commands, execution of the write command is interrupted, to store read data retrieved from the optical disc 10 in a recorded area of the buffer memory 38 to transfer the read data.
    複数のライトコマンドの後にリードコマンドを受信した場合、ライトコマンドの実行を中断し、光ディスク１０から読み出したリードデータをバッファメモリ３８の記録済み領域に格納して転送する。 - 特許庁
  • When either Write suppression or Read/Write suppression is set for an LDEV(#02) set in a first storage device 16 by a host computer 1, this setting is registered in an access attribute management table T3, and reflected on a migrate management table T2.
    ホストコンピュータ１が第１の記憶デバイス１６に設定されているLDEV（＃０２）に対して、Write抑止またはRead／Write抑止のいずれかを設定すると、この設定はアクセス属性管理テーブルＴ３に登録され、また、マイグレート管理テーブルＴ２にも反映される。 - 特許庁
  • The ferroelectric storage device controls so that "L" data write time (4) of the reference cell, "H" data write time (5) of the reference cell, or data read time (6) becomes shorter than the "L" data write time (1) of the normal cells, "H" data write time (2) or the data read time (6), respectively.
    ノーマルセルの“Ｌ”データ書き込み時間（１）、“Ｈ”データ書き込み時間（２）又はデータ読み出し時間（３）に対して、各々、リファレンスセルの“Ｌ”データ書き込み時間（４）、“Ｈ”データ書き込み時間（５）又はデータ読み出し時間（６）が短くなるように制御する。 - 特許庁
  • Write processing can be performed simultaneously and parallelly with performing read processing by performing the write processing while alternately switching the two write modes and also performing the read processing while alternately switching the two read modes.
    二つの書込みモードを交互に切り替えながら書き込み処理を行うと共に、二つの読出しモードを交互に切り替えながら読み出し処理を行うことにより、読み出し処理を行うのと同時並行的に、書き込み処理を行うことができる。 - 特許庁
  • A Read Address, generated at an Address Counter 2 to count (m+1) bit (=n/X), goes 1 bit ahead a Write Address and a data written in a storage means 3 is output after (m+1)-th bit.
    （ｍ＋１）ｂｉｔ（＝ｎ／Ｘ）をカウントするAddress Counter２で発生されるRead AddressはWrite Addressより１ｂｉｔ進んでおり、記憶手段３に書き込まれたデータは（ｍ＋１）ｂｉｔ後に出力される。 - 特許庁
  • The basic memory requires key information in reading writing the information, so that an automatic transaction device can read write the information, however, the general user can neither read or write.
    基本メモリは情報の読み書きに鍵情報が必要とされるため、自動取引装置は情報の読み書き可能であるが、一般のユーザは読み書き不能である。 - 特許庁
  • Completion S2 of write of a certain data amount and completion S1 of read of a certain data amount are mutually reported between a write side 31 and a read side 32.
    本発明は、一定データ量の書込みの完了Ｓ２と、一定データ量の読出しの完了Ｓ１とを書込み側３１と読出し側３２とで通知し合うようにする。 - 特許庁
  • The CPU outputs a read command signal in response to a data read request signal, and outputs a write command signal in response to a data write request signal.
    ＣＰＵはデータ読出し要請信号に応答して読出しコマンド信号を出力し、データ書込み要請信号に応答して書込みコマンド信号を出力する。 - 特許庁
  • A Write/Read pointer generating part 41 generates a Write pointer for writing data into the data output buffer and a Read pointer for reading out data.
    Ｗｒｉｔｅ／Ｒｅａｄポインタ生成部４１は、データ出力バッファにデータを書き込むためのＷｒｉｔｅポインタ、データを読み出すためのＲｅａｄポインタを生成する。 - 特許庁
  • To precisely position a magnetic read/write head by rotating a magnetic read/write element with an axis perpendicular to the surface of a magnetic recording medium as the center.
    磁気記録再生素子を磁気記録媒体の表面に垂直な軸を中心として回転させて、磁気記録再生ヘッドの高精度な位置決めを可能とする。 - 特許庁
  • To provide a data read-out method and a data write-in method of a multi-value nonvolatile semiconductor memory apparatus in which a data read-out time and a data write-in time can be shortened.
    データ読出時間およびデータ書込み時間を短縮することが可能な多値不揮発性半導体記憶装置のデータ読出方法および書込方法を提供する。 - 特許庁
  • Object directional structured programming language 'Read() function, Write() function (first function)' is discriminated from 'Monitor_-Read() function, Monitor_-Write() function (second function)' to execute simulation.
    オブジェクト指向の構造化プログラミング言語「Ｒｅａｄ（）関数、Ｗｒｉｔｅ（）関数（第１関数）」と「Ｍｏｎｉｔｏｒ＿Ｒｅａｄ（）関数、Ｍｏｎｉｔｏｒ＿Ｗｒｉｔｅ（）関数（第２関数）」とを区分けしたシミュレーションを実行する。 - 特許庁
  • To shorten write/read time to a data base(DB) as much as possible and to read the latest write data with respect to a data base management system.
    データベース管理方式に関し、データベース（ＤＢ）に対する書込読出時間を極力短縮し、且つ最新の書込データを読出すことを可能とすることを目的とする。 - 特許庁
  • At performing of a data transfer, a read request is transmitted to the 1394 address when performing a 'Read' processing, and a write request is transmitted to the address when performing a 'Write' processing.
    データ転送を行う際、その１３９４アドレスに対しＲｅａｄ処理の場合はリードリクエストを、Ｗｒｉｔｅ処理の場合はライトリクエストを送信する。 - 特許庁
  • A read control signal and a write control signal transferred through the read signal wire 15 and the write signal wire 16 are provided to a control signal generation circuit 18.
    リード信号線１５及びライト信号線１６で転送されるリード制御信号及びライト制御信号は制御信号発生回路１８に供給される。 - 特許庁
  • Phase comparator circuits 10, 11 compare the write address with the read address and invert a selector switching signal if there is a possibility of the occurrence of contention between the write and read addresses.
    位相比較回路１０，１１はライトアドレスとリードアドレスを比較し、ライトアドレスとリードアドレスとの競合が生じる虞がある場合にはセレクタ切替信号を反転する。 - 特許庁
  • To improve a cycle time at the time of writing or at the time of reading when write-operation is performed during burst read-operation or read- operation is performed during burst write-operation.
    バーストリード動作中にライト動作が入る際またはバーストライト動作中にリード動作が入る際に、ライト時またはリード時のサイクルタイムの向上を図ることを特徴とする。 - 特許庁
  • In the initial write object period, "0" is written to the address 0 as write data, and "0" previously written to the address 0 is read as read data.
    、最初の書き込み対象期間では、アドレス０に、「０」が書き込みデータとして書き込まれ、アドレス０に元々書きこまれていた「０」が読み出しデータとして読み出される。 - 特許庁
  • To provide a synchronous semiconductor storage device capable of increasing a read/write time in one cycle of a clock signal that defines a read write cycle time of an array unit.
    アレイユニットのリードライトサイクルタイムを規定するクロック信号の1周期中のリード／ライト時間を増加することが可能な同期型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • In the next write object period, "1" is written to the address 3 as the write data, and "1" previously written to the address 3 is read as the read data.
    次の書き込み対象期間では、アドレス３に、「１」が書き込みデータとして書き込まれ、アドレス３に元々書きこまれていた「１」が読み出しデータとして読み出される。 - 特許庁
  • The write transistor 18 and the read transistor 20 are different, the write transistor 18 may be a vertical structure and the read transistor 20 may be a back plane planer structure.
    書込みトランジスタ１８と読取りトランジスタ２０は異なり、書込みトランジスタは縦型構造とすることができ、読取りトランジスタはバックプレーン・プレーナ構造とすることができる。 - 特許庁
  • Data write processing by a write-element is performed while a read-element is positioned at a target position when normal data is read.
    本発明の一実施形態は、通常のデータ読み取りを行う場合のターゲット・ポジションにリード素子を位置決めした状態において、ライト素子によるデータ書込み処理を実行する。 - 特許庁
  • To enable a samiconductor memory simultaneous to designate write-in to and read-out from the same address, in a semiconductor memory having addresses and data terminals for write-in and read-out respectively.
    書き込み用と読み出し用にそれぞれアドレスとデータ端子を有する半導体記憶装置において、同一アドレスへの書き込みと読み出しを同時指定可能とする。 - 特許庁
  • A USB host device takes T for a top sector and n for the number of read/write sectors (S501), and issues a SCSI command for performing read/write processing in a m-sector from a sector T (S507).
    ＵＳＢホスト装置は、先頭セクタをＴ、リード／ライトセクタ数をｎとして（Ｓ５０１）、セクタＴからｍセクタのリード／ライトを行うためのＳＣＳＩコマンドを発行する（Ｓ５０７）。 - 特許庁
  • This filter execution program 34 converts a file read out from the hard disk to a file form which can be read by the write-in program and it is written in the write-in program.
    このフィルタ実行プログラム３４は、ハードディスクから読み出したファイルを、上記書込プログラムが読み込むことができるファイル形式に変更して該書込プログラムに読み込ませる。 - 特許庁
  • To the memory cell 11, a read word line part 15, a write word line part 16 for the memory cell, a read bit line part 17 for the memory cell and a write bit line part 18 for the memory cell are added.
    また、メモリセル１１に対してリードワードライン部１５、メモリセルのライトワードライン部１６、メモリセルのリードビットライン部１７及びメモリセルのライトビットライン部１８を付加する。 - 特許庁
  • A memory cell MTJ is provided with write-word lines WWL and read-word lines RWL used for write-in and read-out of data respectively.
    ＭＴＪメモリセルに対しては、データ書込およびデータ読出にそれぞれ用いられるライトワード線ＷＷＬおよびリードワード線ＲＷＬが独立して設けられる。 - 特許庁
  • The read and write system calls were used for byte-stream type connections, but six new system calls were added to allow sending and receiving addressed messages such as network datagrams.
    バイトストリーム型の接続の読み込み書き込みを行う readと write システムコールに加え、ネットワークダイアグラムのような宛名付きメッセージを読み込むため、 新たに 6つのシステムコールが追加されました。 - FreeBSD
  • Just as send and recv could have been implemented as library interfaces to sendto and recvfrom , it also would have been possible to simulate read with readv and write with writev .
    send と recv がそれぞれ、 sendto と recvfromのライブラリインタフェースとして実装可能であったのと同じく、 read と write をそれぞれ、 readv と writevのライブラリインタフェースとして実装も可能であったでしょう。 - FreeBSD
  • The file is created with permissions 0600, that is, read plus write for owner only. (In glibc versions 2.06 and earlier, the file is created with permissions 0666, that is, read and write for all users.
    ファイルは許可モード 0600 で作成され、所有者のみが読み書き可能である(glibc バージョン 2.06 以前では、ファイルは許可モード 0666 で作成され、全てのユーザが読み書き可能であった)。 - JM
  • When there is read access to a memory address where write is not completed, the read data selection circuit 5 selects and outputs the write data latched by the latch function circuit 50.
    まだライトが完了していないメモリアドレスに対するリードアクセスがあったとき、リードデータ選択回路５はラッチ機能回路５０にラッチされたライトデータを選択して出力する。 - 特許庁
  • Information read out from the non-write selection nonvolatile memory cell out of read out storage information is excluded from discrimination object of success or not for the write processing.
    読出した記憶情報の内、書込み非選択の不揮発性メモリセルから読み出した情報を、前記書込み処理に対する成功可否の判定対象から除外する。 - 特許庁
  • The changed transfer rate is informed to a data write-in part 12 or a data read-out part 14, and write-in processing or read-out processing for the recording medium 13 is executed.
    変更された転送レートは、データ書き込み部１２又はデータ読み出し部１４に通知され、記録媒体１３への書き込み処理又は読み出し処理が実行される。 - 特許庁
  • A read/write control part 32 designates the recording area of a sub-segment while using a logical block address(LBA) and transmits an input/output request SSR requesting read processing or write processing.
    リード／ライト制御部３２は、サブセグメントの記録領域をＬＢＡを用いて指定して、リード処理またはライト処理を要求する入出力要求ＳＳＲを送信する。 - 特許庁
  • Since the area as the data write object and the area as the data read object are not accessed by the data read side and the data write side respectively, one side can perform prescribed data processing without keeping the other side waiting.
    データ書き込み対象のエリア並びにデータ読み出し対象のエリアはそれぞれ相手側がアクセスしないので、相手を待たすことなく所定のデータ処理が行える。 - 特許庁
  • NON-CONTACT TYPE IC MEDIUM AND READ/WRITE SYSTEM USING NON-CONTACT TYPE IC CHIP
    非接触式ＩＣ媒体及び非接触式ＩＣチップを用いたリード・ライトシステム - 特許庁
  • Each position of the multiple read sensors relative to the write pole may be unique.
    書込磁極に対する複数の読出センサの各位置は一意的であってもよい。 - 特許庁
  • NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, WRITE/RESET METHOD THEREOF, AND READ METHOD THEREOF
    不揮発性半導体記憶装置、その書き込み・リセット方法、及び、その読み出し方法 - 特許庁
  • Read/write means for a non-contact type IC card C is provided inside a case 1.
    非接触式のＩＣカードＣ用のリードライト手段をケース１内に備えている。 - 特許庁
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