「read-write」を含む例文一覧(4195)
＜前へ 1 2 .... 37 38 39 40 41 42 43 44 45 .... 83 84 次へ＞- A packet information write-in/read-out part 33 writes in packet information including the packet length, the time stamp, and the packet in a memory, and reads when transmissible.
パケット情報書き込み／読み出し部３３は、パケット長、タイムスタンプ及びパケットを含むパケット情報をメモリに書き込み、送出可能時に読み出す。 - 特許庁 - In the HDD, a read/write offset is calculated from a difference between the disk radial position and the center position of the measured data when the data for measurement is written.
ＨＤＤは、測定用データを書き込むときのディスク半径位置と測定データ中心位置との間の差分により、リード・ライト・オフセットを算出する。 - 特許庁 - To provide a noncontact IC card system and a non-contact IC card which increase security to read/write of data stored in the noncontact IC card.
非接触ＩＣカードに記憶されているデータの読み書きに対するセキュリティを向上させる非接触ＩＣカードシステム及び非接触ＩＣカードを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device that operates at high speed and prevents performance deterioration due to a conflict between the preparation of write data, output processing of read data, and refresh.
ライトデータの準備やリードデータの出力処理とリフレッシュとの競合による性能低下を避け、高速に動作する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device which provides the timing of a signal for controlling a read register and a write register with flexibility and has a function for changing data sequences.
リードレジスタ及びライトレジスタを制御する信号のタイミングに柔軟性を持たせ、データ順序の入れ替え機能持つ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A phase-monitoring unit 6 counts up, only when the write timing and read timing of memory are close to or far from each other in phase, and the count value is retained.
位相監視部６は、メモリの書き込みタイミングと読み出しタイミングが近い位相又は遠い位相があった場合のみカウントアップし、そのカウント値を保存する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which optimum operation margin is secured while preventing erroneous operation when read-out and write-in are performed simultaneously in different ports.
読み出しと書き込みが異なるポートから同時に起こる場合の誤動作を防止しつつ、最適な動作マージンを確保する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The data write side writes new data in a data storage area which is not the read object (known from information Y) and where the latest data are not stored.
データ書き込み側は、読み出し対象でなく（情報Ｙから知得）、かつ、最新のデータが格納されていないデータ記憶エリアに対して新たなデータを書き込む。 - 特許庁 - Thus, it is possible to acquire a proper set value, and to perform proper access to the external device 220 by repeating the write access and the read access.
書き込みアクセスと読み出しアクセスを繰り返すことにより、適切な設定値を獲得することができ、外部デバイス２２０に対して適切なアクセスが可能となる。 - 特許庁 - To control a shared memory to minimize a waiting time in accompany with reading the data by estimating the time lag between a write-side data and a read-side data.
書込み側データと読出し側データの時間的ずれを予測可能とし、データ読出しに伴う待ち時間を最小にするように共有メモリを制御する。 - 特許庁 - The first and the second bit lines are pre-charged to a power supply voltage for array via a sense amplifier before/after a read, write or refresh operation.
前記第１及び第２ビットラインは読み出し／書き込み／リフレッシュ動作が実行される前後に感知増幅器を通じてアレイ用電源電圧にプリチャージされる。 - 特許庁 - The card information processing means of the portable telephone 2 reads the card information of the noncontact IC card 1 by the read/write means, and displays the card information.
携帯電話２のカード情報処理手段は、リード・ライト手段によって非接触ＩＣカード１のカード情報を読み取り、このカード情報を表示する。 - 特許庁 - The decoding signal circuit generates a dual operation decoding signal, thereby enabling a memory device to perform a read operation and a write operation in one clock cycle.
デコード信号回路は、デュアル動作デコード信号を生成し、これにより、メモリデバイスは、１つのクロックサイクルで読出動作及び書込動作を行うことができる。 - 特許庁 - A processing part 60 controls various processing (e.g. read/write, state of contact-less media 95) to the contactless media 95 on a desired media cell 90.
処理部６０は、所望のメディアセル９０上のコンタクトレスメディア９５に対する各種処理（例えば、読み込み／書き込み、コンタクトレスメディア９５の状態）を制御する。 - 特許庁 - To improve overall performance of a system including a semiconductor memory device such as a DRAM by supplying a front-loaded data read or write command.
データの読出し指令または書込み指令を前倒しで投入することにより、ＤＲＡＭなどの半導体記憶装置を含むシステム全体の性能を向上させる。 - 特許庁 - To provide a data buffer monitor circuit which can securely detect trouble occurring in a write address generating circuit and a read address generating circuit in such a case.
ライトアドレス生成回路およびリードアドレス生成回路に障害が発生した場合に確実に障害が検出可能であるデータバッファ監視回路を提供する。 - 特許庁 - The nonvolatile memory section has a diagnosis rewrite function allowing a read/protect and write/protect per divided block of a memory device and finding out a failure block.
不揮発メモリ部は、メモリデバイスの分割されたブロックごとに、リードプロテクト、ライトプロテクトを可能にし、不良ブロックを発見する診断リライト機能を持たせる。 - 特許庁 - To provide a method for testing a non-volatile memory capable of simplifying a test program and carrying out write and read-out tests as a series of tests.
試験プログラムが簡素化でき、書込みと読出しの試験を一連の試験として行うことができる不揮発性メモリの試験方法を提供する。 - 特許庁 - The main CPU 11 controls data write processing and data read processing for an HDD 50 in which map data and ripped music data are stored.
メインＣＰＵ１１は、地図データとリッピング処理後の音楽データを記憶するＨＤＤ５０に対してデータ書込処理とデータ読出処理を制御する。 - 特許庁 - A magnetic read/write head is configured so as to include an under layer and monolayer surface coating that at least partially covers the under layer.
下地層と、その下地層を少なくとも部分的に被覆した単層表面コーティングとを含んでなるように、読み取り／書き込み用の磁気ヘッドを構成する。 - 特許庁 - Data can be read by providing a dummy data write means for the FIFO and by filling data of the portion not filling the output bus width with dummy data.
FIFOに対してダミーデータの書き込み手段を設けて、出力バス幅に満たない分のデータをダミーデータで埋めることで、データ読み出しを可能とする。 - 特許庁 - When the servo-wedge is detected, a head positioning circuit reads positioning data from the servo-wedge and determines an initial position of a read/write head.
サーボウェッジが検知されると、ヘッド位置決め回路はサーボウェッジから位置データを読取り読取・書込ヘッドの初期位置を決定することが可能である。 - 特許庁 - To enable input data to avoid write and read address contention of a memory unit, independently of frame constitution or packet constitution in a clock phase transfer circuit.
クロック位相乗せ換え回路において、入力データがフレーム構成やパケット構成などの構成によらず、メモリ部の書込みと読出しのアドレス競合を回避する。 - 特許庁 - The program in the transfer program storage area 13a is optionally set by a user and only the user is able to read and write the program.
転送プログラム格納領域１３ａのプログラムは、ユーザーによって任意に設定されたものなので、プログラムの読出しや書換えがユーザーにしか実施できない。 - 特許庁 - With this asymmetrical displacement of the piezoelectric device 4, the magnetic read/write element 2 rotates with the rotation axis 2a parallel to the displacement axis 3a as the center of rotation.
磁気記録再生素子２は、圧電素子４の非対称な変位に伴って変位軸３ａに平行な回転軸２ａを中心として回転する。 - 特許庁 - Thereby, when plural non-volatile semiconductor memories are tested simultaneously, read-out operation of all chips can be performed simultaneously as well as write-in and erasion operation.
そのため、複数の不揮発性半導体メモリを同時にテストする際、書き込み／消去動作と同じく、読み出し動作も全チップ同時に行うことが出来る。 - 特許庁 - A reference signal generation means 11 generates independent reference signals for write and read to the storage means 3 to perform conversion of the frame rate.
基準信号発生手段１１は、記憶手段３に対して書き込みおよび読み出し用に独立した基準信号を発生させ、フレームレートの変換を行う。 - 特許庁 - To read or write data depending on the type thereof while utilizing the memory resource effectively and saving the labor unnecessary for the user.
メモリ資源の有効活用化を図ると共に、ユーザにとって不要な手間を省きつつ、データの種類に応じたデータの書き込み又は読み出しを可能とする。 - 特許庁 - To put a broadcast receiver which has a preset function back into the state before a preset write/read indication is inputted through easy operation.
プリセット機能を有する放送受信機において、簡単な操作でプリセットライト／リード指示が入力される以前の状態に復帰できるようにする。 - 特許庁 - To provide a game system providing a puzzle game allowing a user to learn Chinese characters or the like while playing by using the Chinese characters difficult to read and write as materials of the puzzle game.
読み書きの難しい漢字などをパズルゲームの題材として、プレイしながら学習することができるパズルゲームを供給するゲームシステムを提供する。 - 特許庁 - The information storage device can include a memory region including a magnetic track and a write/read unit, and a control circuit part connected to the memory region.
該情報保存装置は、磁性トラック及び書込み／読取りユニットを含むメモリ領域と、メモリ領域に連結された制御回路部とを含むことができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device, in which a read current difference before and after write can be enlarged; and also to provide its manufacturing method and information rewriting method.
書き込み前と書き込み後の読み出し電流の差を大きくできる半導体記憶装置、その製造方法及び情報書き換え方法を提供する。 - 特許庁 - Refreshing is performed based on the refresh- address for a test by this application, next, normal read-out or write-in is performed based on the address for the second test.
この印加により、まず、テスト用リフレッシュアドレスに基づくリフレッシュが行われ、次いで、第２のテスト用アドレスに基づく通常の読出または書込が行われる。 - 特許庁 - In a spin injection type magnetic memory cell (MC), a source line (SL) is arranged in parallel with a word line (WL), and data write/read is performed on a bits-by-bits basis.
スピン注入型磁気メモリセル（ＭＣ）に対しソース線（ＳＬ）をワード線（ＷＬ）と平行に配設し、複数ビット単位でデータの書込／読出を実行する。 - 特許庁 - Thus, it is possible to sequentially perform write and read and to improve a transfer speed by using the auxiliary storage device as a so-called ring buffer.
これにより、補助記憶装置をいわゆるリングバッファのように用いて、順次書込み及び読出しを行うことができ、転送速度を高めることができる。 - 特許庁 - In normal read and write, the mark indicating that it is closed is referred to, and the page is opened suitably if needed or unnecessary closing is not performed.
通常のリードライト時には前記クローズされていることを示す印を参照し、必要に応じて適宜ページをオープンし、あるいは不要なクローズを行わない。 - 特許庁 - By assigning the printed medium to a magnetic write/read part, a fluctuation factor of carrying speed of the magnetic medium is easily derived.
印刷された媒体を磁気書き込み部／読み取り部にあてがうことにより、磁気媒体の搬送速度の変動要因を簡単に割り出すことができる。 - 特許庁 - To provide a new memory checkout method by which memory read/ write number does not exponentially increase even if number of address line increases, and to provide its program.
アドレスラインの本数が増加しても、メモリの読み書き回数が指数的に増加することのない、新たなメモリ検査方法およびそのプログラムを提供する。 - 特許庁 - To provide an image forming device that can read or write even contents described on a tab part of an index paper sheet without neglecting the contents.
インデックス紙におけるタブ部に記載された内容についても、それを無視することなく、読み取り又は書き込みが可能な画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - A RAM control section 2 controls read/write addresses of FIFO 3 and a DBS-RAM 4 in real time, on the basis of the data block size DBS.
ＲＡＭ制御部２により、データブロックサイズＤＢＳの値に基づいて、リアルタイムでＦＩＦＯ３およびＤＢＳ−ＲＡＭ４の読み書きアドレスを制御する。 - 特許庁 - At a normal operation time, read/write of data to a desired cell can be made by activation of two lines simultaneously from word lines WL1 to WL6.
通常動作時においては、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ６を同時に２本活性化することにより所望のセルへのデータの読み書きを可能にする。 - 特許庁 - To smoothly convey and to prevent a damage by suppressing a frictional resistance of an IC card with a receiving member for receiving the card at a read/write position.
搬送されるＩＣカードとリード／ライト位置でＩＣカードを受ける受け部材との摩擦抵抗を抑え、円滑な搬送ならびに傷の発生の防止を図る。 - 特許庁 - To provide an image editing system which can prevent lowering of a read/write speed of information from and to a recording medium or a recording medium loading device.
記録媒体に対する情報の読み書き速度の低下を防止することが可能な画像編集装置又は記録媒体装着装置を提供する。 - 特許庁 - A card C loaded from a loading port 3 is taken in up to the read-write position along a conveyer path by rotating a driving pulley and a driven roller 18b of conveying means.
挿入口３から挿入されたカードＣは、搬送手段の駆動プーリ、従動ローラ１８ｂの回転で搬送路に沿って読み書き位置まで取り込まれる。 - 特許庁 - This memory module is provided with a write control part 201, a read control part 202, a trace control part 203, a sector 204, a memory module, and an operation mode setting part 207.
本発明のメモリモジュールは、ライト制御部と、リード制御部と、トレース制御部と、セレクタと、メモリモジュールと、動作モード設定部とを備えて構成される。 - 特許庁 - WORM (WRITE ONCE READ MANY) MEDIUM REPRODUCING APPARATUS, WORM MEDIUM REPRODUCING METHOD, WORM MEDIUM, WORM MEDIUM RECORDING APPARATUS, WORM MEDIUM RECORDING METHOD, PROGRAM, AND MEDIUM
追記型メディア再生装置、追記型メディア再生方法、追記型メディア、追記型メディア記録装置、追記型メディア記録方法、プログラム、および媒体 - 特許庁 - To provide an operating method for a semiconductor memory in which delay of write-in operation after read-out operation can be prevented without increasing a manufacturing cost.
コストを増加させることなく、読出動作後の書込動作の遅延を除去することを可能とした半導体記憶装置の動作方法を提供する。 - 特許庁 - In frequency change operation, VI(N) is written in a write address of a memory 101, and contents in a read address of the memory 101 are outputted to VOD(N).
周波数乗り換え動作は、書き込みアドレスにＶＩ（Ｎ）がメモリ１０１に書き込まれ、読み出しアドレスのメモリ１０１の内容がＶＯＤ（Ｎ）に出力される。 - 特許庁 - To improve performance of a read/write speed and retention error resistance in a nonvolatile storage device mounting a nonvolatile memory and a controller.
不揮発性メモリとコントローラを搭載した不揮発性記憶装置において、リード／ライト速度の性能を向上、リテンションエラー耐性の向上を実現する。 - 特許庁 - To provide a method capable of measuring the positional deviation between read/write elements of a head with high accuracy in the servo writing process by a self servo writing method.
セルフサーボライト方法によるサーボライト工程時に、ヘッドのリード／ライト素子間の位置ずれ量を高精度に測定できる方法を提供することにある。 - 特許庁
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