「reference currents」を含む例文一覧(135)
1 2 3 次へ＞- A reference current generating means 240 generates reference currents Ir (reference currents which are almost fixed to the temperature change or reference currents proportional to the temperature difference).
基準電流生成手段２４０では、基準電流Ｉｒ（温度変化に対して略一定の基準電流、又は温度差に比例した基準電流）を生成する。 - 特許庁 - A receiver side reference current generating section generates reference currents.
受信側の参照電流発生部は、複数の参照電流を生成する。 - 特許庁 - Those input currents I_1 and reference currents Ir are inputted to amplifying means 230 and 250.
これらの入力電流Ｉ_1 と基準電流Ｉｒを、増幅手段２３０，２５０等に入力する。 - 特許庁 - The reference voltage generation circuit 13 generates a reference voltage Vref with the reference currents Iref1 and Iref2.
基準電圧発生回路１３は、基準電流Ｉｒｅｆ１、Ｉｒｅｆ２により、基準電圧Ｖｒｅｆを発生する。 - 特許庁 - The transconductance step produces two test currents in proportion to the test voltages and two reference currents.
相互コンダクタンス段は、試験電圧に比例した２つの試験電流および２つの基準電流を生成している。 - 特許庁 - A reference current generation portion 500 generates a plurality of reference currents by sequentially increasing a reference current amount.
基準電流生成部５００は、基準電流量を順次大きくすることによって、複数の基準電流を生成する。 - 特許庁 - A current equalizing circuit 104 equalizes respective currents output from the reference cells and outputs the currents as a reference current R_REF1.
これらのリファレンスセルから出力されたそれぞれの電流が電流平均化回路１０４によって平均されて、リファレンス電流Ｒ＿ＲＥＦ１として出力される。 - 特許庁 - Electrical currents are passed through the body between the reference electrode and body surface electrodes.
被検者の身体を通して基準電極と体表電極との間に電流を流す。 - 特許庁 - The supply of the bias currents is started from a transistor A10 to the reference voltage circuit 16.
トランジスタＡ１０から基準電圧回路１６にバイアス電流の供給が開始される。 - 特許庁 - Currents transmitted to the respective transistors N20 to N23 are subtracted from the reference currents I20 to I23 and currents, corresponding to subtraction results, are output from output terminals A to D.
各トランジスタＮ２０〜Ｎ２３に伝達された電流が基準電流Ｉ２０〜Ｉ２３から減算され、減算結果に応じた電流が各出力端子Ａ〜Ｄから出力される。 - 特許庁 - A current source circuit includes: band gap voltage reference circuits 2, 4 for outputting reference currents Iref1, Iref2 using a band gap voltage of silicon Si; and a current output circuit 5 for outputting a reference current Iref by summing the reference currents Iref1, Iref2 outputted from the band gap voltage reference circuits 2, 4.
シリコンＳｉのバンドギャップ電圧を利用して、基準電流Ｉｒｅｆ１，Ｉｒｅｆ２を出力するバンドギャップ電圧基準回路２，４と、バンドギャップ電圧基準回路２，４から出力された基準電流Ｉｒｅｆ１，Ｉｒｅｆ２の総和を基準電流Ｉｒｅｆとして出力する電流出力回路５とを備える。 - 特許庁 - To monitor a quantity of leaked currents to a reference section (OB section) so as to select a reference portion suitable for clamping (DC reproduction).
基準部（ＯＢ部）への電荷漏れ量を監視し、クランプ（直流再生）に適した基準部分を選択できるようにする。 - 特許庁 - The data signal generator 35 generates data signals (matching the voltage Vref decided by those currents) according to the reference currents Iref1 and Iref2.
データ信号生成部３５は、基準電流Ｉref1および基準電流Ｉref2に応じた（これらの電流に応じて定まる電位Ｖrefに応じた）データ信号を生成する。 - 特許庁 - A current buffer circuit in the flash memory device mirrors the reference current, and a plurality of mirrored reference currents is applied to the reference input.
フラッシュメモリ装置における電流バッファ回路が該基準電流をミラー動作し且つ複数個のミラー動作した基準電流をセンスアンプの基準入力へ印加する。 - 特許庁 - Characteristics of the electrical currents are measured and are used to generate an approximation of the known position of the reference probe.
電流の特性を測定し、その測定値を使って基準プローブの既知の位置の近似値を求める。 - 特許庁 - A current output circuit 13 outputs a third reference current I3 which is the sum of the first and second reference currents I1, I2.
電流出力回路１３は、第１基準電流Ｉ１と第２基準電流Ｉ２を加算した第３基準電流Ｉ３を出力する。 - 特許庁 - The switching circuit couples the test currents with the reference currents, and thereby realizes a differential swing comparison mode and a common mode comparison mode necessary for the test of a differential signal.
スイッチング回路は、試験電流と基準電流を結合し、それにより差動信号の試験に必要な差動揺れ比較モードおよびコモンモード比較モードを実現している。 - 特許庁 - To provide a charge-pump circuit eliminating current unbalance by loading two pieces of respective reference current sources for UP currents and DOWN currents.
ＵＰ電流用とＤＯＷＮ電流用と各々基準電流源を２個搭載する構成にすることにより、電流アンバランスをなくすチャージポンプ回路を提供する。 - 特許庁 - A current/voltage conversion circuit 4 generates a high level or low level voltage according to the magnitudes of the reference currents I1 and I2 and the output currents I3 and I4.
電流電圧変換回路４は、その基準電流Ｉ１、Ｉ２と出力電流Ｉ３、Ｉ４の大小に応じて、高レベルまたは低レベルの電圧を発生する。 - 特許庁 - A switch control circuit 11 always turns on switches 5 and 9 and feeds the reference currents Iref1 and Iref2 to a reference voltage generation circuit 13.
スイッチ制御回路１１は、スイッチ５、９を常時オンさせ、基準電流Ｉｒｅｆ１、Ｉｒｅｆ２を基準電圧発生回路１３に供給する。 - 特許庁 - The control transistors (46 and 48) receive a reference signal for setting a test condition related to currents I_1 and I_2.
制御トランジスタは、電流Ｉ_１、Ｉ_２の関係のテスト条件を設定するため基準信号を受信する。 - 特許庁 - A reference current generation circuit X10 includes: a reference voltage generation part X11 for generating reference voltage V1 using depletion type transistor N1; and a voltage/current conversion part X12 for generating reference currents 12a and 12b from the reference voltage V1.
基準電流生成回路Ｘ１０は、デプレッション型トランジスタＮ１を用いて基準電圧Ｖ１を生成する基準電圧生成部Ｘ１１と、基準電圧Ｖ１から基準電流Ｉ２ａ及びＩ２ｂを生成する電圧／電流変換部Ｘ１２と、を有する。 - 特許庁 - In this case, the reference currents I_REF to be output from the reference signal circuit 4 are changed according to an input voltage V_IN and an output voltage V_OUT so that the value of the detection currents I_S whose voltage V_A is changed can be changed.
このとき入力電圧Ｖ_INおよび出力電圧Ｖ_OUTに応じて基準信号回路４から出力される基準電流Ｉ_REFを変化させることにより、電圧Ｖ_Aが変化する検出電流Ｉ_Sの値を変化させている。 - 特許庁 - The reference transistors 20 and 30 are applied with reference voltages Vrp and Vrn at first gate electrodes, potentials of second gate electrodes are so controlled that drain currents Ip and In match reference currents Irp and Irn, and those potentials are output as control voltages VBGP and VBGN.
基準トランジスタ２０、３０には、第１ゲート電極に参照電圧Ｖｒｐ、Ｖｒｎが印加され、第２ゲート電極の電位はドレイン電流Ｉｐ、Ｉｎが参照電流Ｉｒｐ、Ｉｒｎと一致するように制御され、その電位が制御電圧ＶＢＧＰ、ＶＢＧＮとして出力される。 - 特許庁 - When an external start voltage source starts its operation, bias currents are supplied from a transistor A4 to a reference voltage circuit 16, and a reference voltage is supplied form the reference voltage circuit 16 to an amplifier part 17.
外部の起動電圧源が動作を開始すると、トランジスタＡ４から基準電圧回路１６へバイアス電流が供給され、基準電圧回路１６から基準電圧がアンプ部１７に供給される。 - 特許庁 - The constant current supply device stores a reference current that is adjusted in a variable reference current source in current storage parts that are provided in each channel, and converts the reference current into the drive currents in a constant current drive part.
可変基準電流源で調整した基準電流を、各チャンネルに設けた電流保持部にて記憶し、定電流駆動部によって駆動電流に変換して負荷を駆動している。 - 特許庁 - The currents of the OLED elements are determined by a voltage of a data line 112 and reference voltages V_INI 1 to V_INI 4.
ＯＬＥＤ素子の電流はデータ線１１２の電圧と基準電圧Ｖ_ＩＮＩ１〜Ｖ_ＩＮＩ４とよって定まる。 - 特許庁 - Currents, each of which is in phase with the reference current or the inputted current and has same current value as that of the reference current or the inputted current, can be generated in the output side transistors of the current mirror circuit.
カレントミラー回路の出力側トランジスタには基準電流あるいは入力される電流と同相で同じ電流値の電流を発生させることができる。 - 特許庁 - A reference current generator includes a pair of identical units G1, G2 for generating respective reference currents and a circuit CL for linearly connecting two references.
基準電流発生器が、それぞれの基準電流（Ｉ１，Ｉ２）を発生する一対の同一ユニット（Ｇ１，Ｇ２）と２つの基準を線形結合するための回路（ＣＬ）とを含む。 - 特許庁 - To provide a reference voltage circuit having low output noise characteristics capable of realizing low currents consumption, and shortening a rising/falling time and a voltage regulator using the reference voltage circuit.
低消費電流で立ち上がり立ち下がり時間が短く低出力雑音特性をもつ基準電圧回路および該基準電圧回路を用いたボルテージ・レギュレータの提供。 - 特許庁 - A reading current source portion 600 supplies a load current according to the reference currents to be output from the reference current generation portion 500 by the reference current amount selected by the reference current control portion 830 to the vertical signal lines 601.
読出し電流源部６００は、基準電流制御部８３０により選択された基準電流量により基準電流生成部５００から出力される基準電流に応じた負荷電流を垂直信号線６０１に供給する。 - 特許庁 - When different reference voltages REF1 and REF2 are respectively inputted to the respective gates of MOS transistors P21 and P22, prescribed reference currents I1 and I2 are outputted according to the difference between the both reference voltages.
ＭＯＳトランジスタＰ２１、Ｐ２２の各ゲートに異なる基準電圧ＲＥＦ１、ＲＥＦ２がそれぞれ入力されると、その両基準電圧の差に応じて所定の基準電流Ｉ１、Ｉ２が出力される。 - 特許庁 - As a result, buffer circuits corresponding to the reference voltage lines 39 with which first reference voltages are inputted directly to the circuits 34 become unnecessary and, thus, currents to be made to flow through the buffer circuits which become unnecessary are reduced in this circuit.
これにより、直接入力される基準電圧線３９分についてはバッファ回路が不要となり、不要となるバッファ回路に流れていた電流を削減できる。 - 特許庁 - The OAT 301 has a current mirror circuit for supplying back currents equivalent to the distributed currents of the second reference current, and supplies back currents depending on the potential difference between the positive input terminal and the negative input terminal to a load capacitance 302 via the current mirror circuit.
ＯＴＡ３０１は、第２の基準電流を分配した電流と同量の電流を折り返して供給するカレントミラー回路を有し、正入力端子と負入力端子間の電位差に応じた電流をカレントミラー回路により折り返して負荷容量３０２に供給する。 - 特許庁 - The reference setting circuit U includes storage elements Ma1 to Ma3 holding respective bits a1 to a3 of the correction data A and current source transistors Ts1 to Ts3 generating currents I1 to I3 corresponding to the correction data A that the storage elements Ma1 to Ma3 hold and adds the currents I1 to I3 together to generate the reference current Ia.
基準設定回路Ｕは、補正データＡの各ビットａ1〜ａ3を保持する記憶素子Ｍａ1〜Ｍａ3と、記憶素子Ｍａ1〜Ｍａ3が保持する補正データＡに応じた電流Ｉ1〜Ｉ3を生成する電流源トランジスタＴｓ1〜Ｔｓ3とを含み、電流Ｉ1〜Ｉ3の加算によって基準電流Ｉaを生成する。 - 特許庁 - Simultaneously, a bias switching circuit 15 starts its operation, and the supply of the bias currents from the transistor A4 to the reference voltage circuit 16 is interrupted.
同時に、バイアス切替回路１５が動作を開始し、トランジスタＡ４から基準電圧回路１６へのバイアス電流の供給が遮断される。 - 特許庁 - This reference voltage generation circuit is provided with first and second bipolar transistors Q1 and Q2 and a current mirror circuit 10 for supplying constant currents to the Q1 and Q2.
第１及び第２バイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２と、このＱ１，Ｑ２に定電流を供給するカレントミラー回路１０とを備える。 - 特許庁 - Since the driver ICs 11 and 13 of the next slave chips on both sides generate the driving currents through circuits of the same circuitry by the reference currents of substantially the same current values on the basis of the reference current Iref of the reference current generation circuit 1a of the driver IC 12 via short wiring lines 14 and 15, variation of each driving current is decreased.
ドライバＩＣ１２の基準電流発生回路１ａの基準電流Ｉrefを基準として短い配線ライン１４，１５を介して両隣のスレーブチップのドライバＩＣ１１，１３が実質的に同じ電流値の基準電流により同じ回路構成の回路を経て駆動電流を発生するので、各駆動電流のばらつきが低減される。 - 特許庁 - The circuit in hand makes the feedback currents flow through a reference resistance to generate a feedback voltage, and the amounts of currents to be sucked from a base signal line to which the bases of the transistors of the load drive circuits are commonly connected are controlled by an error amplifying circuit so that the feedback voltage can be matched with the reference voltage generated by a reference voltage generating circuit.
手元回路は、該帰還電流を基準抵抗に流して帰還電圧を生成させ、該帰還電圧が基準電圧生成回路で生成した基準電圧に一致するように誤差増幅回路により前記各負荷駆動回路のトランジスタのベースを共通に接続したベース信号線から吸引する電流量を制御する。 - 特許庁 - To reduce variation of output currents between driving apparatuses due to the variation of current values inputted into a reference current source in a driving apparatus in which the output current is determined by the current value of the reference current source.
基準電流源の電流値により出力電流が決められる駆動装置において基準電流源に入力される電流値のばらつきのよる駆動装置ごとのばらつきを低減する。 - 特許庁 - First to third bit line clamping circuits 371 to 373 are respectively coupled to the bit lines and the reference bit lines and pass prescribed currents to the reference bit lines in accordance with selected magnetic memory cell data.
第１乃至第３ビットラインクランピング回路３７１〜３７３は、ビットラインと基準ビットラインに各々連結され、選択された磁気メモリセルデータに従って所定の電流をビットラインと基準ビットラインに流す。 - 特許庁 - When the heating curlers 18 are properly connected and electric currents are fed, the comparative potential of a comparative input terminal 2 of a comparator U1 is higher than the reference potential of a reference input terminal 3, so that LEDs are lighted.
ホットカーラー１８が正しく接続されて通電されると、コンパレータＵ１の比較入力端子２の比較電位が基準入力端子３の基準電位よりも高くなるから、ＬＥＤが点灯する。 - 特許庁 - An output current generation section 15 receives the internal reference current Irefb and generates output currents Iout-1 to Iout-n having the current values meeting the reference current Irefi.
出力電流生成部１５は、内部基準電流Ｉｒｅｆｂを受け、基準電流Ｉｒｅｆｉに応じた電流値を有する出力電流Ｉｏｕｔ−１〜Ｉｏｕｔ−ｎを生成する。 - 特許庁 - Even when the relation between the analog voltages and supply currents are not in accordance with a design, the relation between the digital data and the supply currents can be adjusted by adjusting the reference voltages Vref 1-1 and Vref 2-1.
供給電流源のアナログ電圧と供給電流との関係が設計通りでなくても、基準電圧Ｖｒｅｆ１−１，Ｖｒｅｆ２−１を調整してディジタルデータと供給電流との関係を調整できる。 - 特許庁 - Thus, bit line currents simultaneously flow in a memory cell array MCA and a reference memory cell array RMCA and a high speed sensing operation is conducted.
そのため、メモリセルアレイＭＣＡとリファレンスメモリセルアレイＲＭＣＡとにおいて同時にビット線電流が流れ、高速なセンス動作を行なうことが可能となる。 - 特許庁 - The voltage resulting from the action of the first and second reference currents is connected to a voltage control input 332 of the voltage controlled impedance circuit 330.
第１、第２基準電流の作用により得られた電圧は、電圧制御型インピーダンス回路３３０の電圧制御入力３３２に接続される。 - 特許庁 - The gate leak compensation circuit comprises a current mirror circuit which responds to a reference current fed from a power source to generate a plurality of constant currents, and a current compensation circuit which generates compensation currents for compensating gate leak currents from a plurality of transistors composing the current mirror circuit.
電流源から供給される参照電流に応答して、複数の定電流を生成するカレントミラー回路と、そのカレントミラー回路を構成する複数のトランジスタのゲートリーク電流を補償するための補償電流を生成する電流補償回路とを備えるゲートリーク補償回路を構成する。 - 特許庁 - When the operating current monitor signal SB indicates, on the other hand, that the operating currents do not satisfy a prescribed reference, in order to obtain the operating currents satisfying the prescribed reference regardless of the indicated content of the leak monitor signal SA0, a discharge switch circuit 4P performs control to shallow the board potential VBP for PMOS.
一方、動作電流モニタ信号ＳＢが動作電流が所定の基準を満足しないと指示する場合、リークモニタ信号ＳＡ０の指示内容に関係なく、所定の基準を満足させる動作電流を得るため、ディスチャージスイッチ回路４ＰによってＰＭＯＳ用基板電位ＶＢＰを浅くする制御が行われる。 - 特許庁 - To realize a non-linear current mirror circuit whose temperature characteristics are small wherein any resistance element is not installed, a CMOS reference current circuit for outputting reference currents whose temperature characteristics are small and a CMOS reference voltage circuit for outputting a reference voltage whose temperature characteristics are small by operating the MOS transistor in a linear area.
ＭＯＳトランジスタを線形領域で動作するようにして、抵抗素子を持たない、かつ温度特性の小さな非線形カレントミラー回路や温度特性の小さな基準電流を出力するＣＭＯＳ基準電流回路、および温度特性の小さな基準電圧を出力するＣＭＯＳ基準電圧回路の実現を図る。 - 特許庁 - A reference current generation circuit comprises current generation circuit parts 110 and 210, differential amplification circuit parts 120-1, 120-2, 220-1 and 220-1, output circuits 130 and 230 for outputting reference currents Iref1 and Iref2, and a resistor 236 for converting a reference current Iref to a reference voltage Vref.
基準電流生成回路は、電流発生回路部１１０，２１０と、差動増幅回路部１２０−１，１２０−２，２２０−１，２２０−１と、基準電流Ｉｒｅｆ１，Ｉｒｅｆ２を出力する出力回路１３０，２３０と、基準電流Ｉｒｅｆを基準電圧Ｖｒｅｆに変換する抵抗２３６とで構成されている。 - 特許庁
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