To provide a reflection high-energy electrondiffraction apparatus that can generate a reflectionelectron image diffraction pattern by using an electron beam having an extremely small current value at a nanoampere level. nAレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。 - 特許庁
In the reflection high-energy electrondiffraction apparatus 10, the electron beam 28 having an emission current value at a nanoampere level is emitted from the electron gun 15 toward the thin film. 反射高速電子回析装置10では、nAのレベルのエミッション電流値の電子線28を電子銃15から薄膜に向かって発射する。 - 特許庁
To provide a low-energy reflectionelectron microscope, capable of positioning a diffraction image field in a diaphragm position at all times. 常に回折像面を絞り位置に持って来ることができる低エネルギー反射電子顕微鏡を提供すること。 - 特許庁
UNFIXED-TYPE SAMPLE HOLDER WHICH DOES NOT INTERFERE WITH REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRONDIFFRACTION OBSERVATION AND COMPOSITE DEVICE USING THE SAMPLE HOLDER 反射高速電子回折観察を妨げない試料非固定式の試料ホルダー及びそれを使用した複合装置 - 特許庁
In 1928, Bethe described the use of Bloch waves to solve the high-energy electrondiffraction problem for the reflection case.
1928年、ベーテは反射の場合(ブラッグケース)についての高エネルギー電子回折の問題を解くために「ブロッホ波」を使うことを記述した。 - 科学技術論文動詞集
Observations of the failure of Friedel's law in reflectionelectrondiffraction patterns from large crystals were reported by Miyake and Ueda (1950).
大きな結晶からの反射電子回折図形中でのフリーデル則の破れの観察が、三宅と上田によって(1950年に)報告された。 - 科学技術論文動詞集
In this case, the factor (1) which is a factor for showing coincidence of this electrondiffraction pattern becomes the maximum value when basic reflection points agree completely, and becomes the minimum value when all the basic reflection points disagree. ここに、因子▲1▼は、電子回折パターンの一致度を示す因子であって、基本反射の点が完全一致であれば最大値をとり、基本反射の点がすべて不一致であれば最小値をとる。 - 特許庁
The liquid crystal composition includes liquid crystal and chiral agent including a compound with three electron withdrawing groups as a terminal group of a structure in which a plurality of rings including at least one aromatic ring are connected directly or through a connection group, wherein a peak of a diffraction wavelength on a longest wavelength side in a reflection spectrum is 450 nm or less, and is preferably 420 nm or less. 少なくとも1つの芳香環を含む複数の環が直接又は連結基を介して連結した構造の末端基として、3つの電子吸引基を有する化合物を含む液晶及びカイラル剤を有し、反射スペクトルにおける最も長波長側の回折波長のピークが450nm以下、より好ましくは420nm以下である液晶組成物である。 - 特許庁