「reflection factor」を含む例文一覧(455)

＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
  • The resist pattern forming method has steps of placing on a base material a liquid material, containing a resist and fine particles exhibiting reflection factor/wavelength characteristics different from those of the base material in a visible light region to form a material pattern 10A on the base material, and drying the material pattern to form a resist pattern 10B.
    レジストパターン形成方法が、レジストと、可視光域において下地物体の反射率・波長特性とは異なる反射率・波長特性を呈する微粒子と、を含有した液状材料を前記下地物体上に配置して、前記下地物体上に材料パターン１０Ａを形成する工程と、前記材料パターンを乾燥してレジストパターン１０Ｂを形成する工程と、を有している。 - 特許庁
  • The metal-containing paste is structured of a composition containing organic resin, a first metal powder having aluminum as a principal composition, a second metal powder having a different metal other than the aluminum as a principal composition in a mass ratio of 5:95 to 40:60, and an ultraviolet reflection factor [A] in 280 nm is 50% or more.
    本発明の金属含有ペーストは、有機樹脂と、アルミニウムを主成分とする第１の金属粉末と、前記アルミニウムと異なる金属を主成分とする第２の金属粉末とを体積比５：９５〜４０：６０で含む組成物で構成される金属含有ペーストであって、２８０ｎｍにおける紫外線反射率[Ａ]は、５０％以上であることを特徴とするものである。 - 特許庁
  • The reflected light from the Bragg diffraction grating is made incident on a linear attenuation type Bragg diffraction grating L-FBG which varies in reflection factor linearly within a specific wavelength range and the reflected light from the linear attenuation type Bragg diffraction grating L-FBG is made incident on a photodiode 34 to measure the wavelength of the reflected light of the Bragg diffraction grating S-FBG for sensor according to variation of the photocurrent of the photodiode.
    センサ用ブラッグ回折格子Ｓ−ＦＢＧからの反射光を、特定の波長範囲で直線状に反射率が変化するリニア減衰型ブラッグ回折格子Ｌ−ＦＢＧに入射させ、このリニア減衰型ブラッグ回折格子Ｌ−ＦＢＧによる反射光をフォトダイオード３４に入射させてその光電流の変化に基づいてセンサ用ブラッグ回折格子Ｓ−ＦＢＧによる反射光の波長を測定する。 - 特許庁
  • In this method for measuring thickness of a thin film, in the formation of at least one thin film 12 or more on a transparent substrate 13, light is made to irradiate a thin film formed surface and the reflection factor and the transmissivity thereof are measured to determine the thickness of the thin films.
    透明基板１３上に少なくとも１層以上の薄膜１２を形成する際に、該薄膜形成表面から光を照射して反射率或いは透過率を測定し、該薄膜の膜厚を測定する方法であって、少なくとも一波長以上の光を用いた単色及び多色光測定において、測定光の波長、波長幅が関係式（１）を満足するようにして膜厚を測定するすることを特徴とする膜厚測定方法である。 - 特許庁
  • The photodetector incorporated semiconductor device having a photodetector and a signal processing circuit for the insulated and separated photodetector formed on the same semiconductor is constituted by laminating a 1st semiconductor layer having a 1st photodetector; an insulating layer which varies in reflection factor with the wavelength of light, transmits light, and has a specified film thickness; a 2nd photodetector; and the signal processing circuit in order on the semiconductor substrate.
    受光素子と該受光素子の信号処理回路とが同一半導体基板上に絶縁分離して形成された受光素子内蔵半導体装置において、第１の受光素子を備える第１の半導体層と、光の波長により反射率が変わり、かつ光透過性を有する所定の膜厚の絶縁層と、第２の受光素子及び信号処理回路を備える第２の半導体層とが、順に半導体基板上に積層して形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.