「refresh」を含む例文一覧(1813)
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 36 37 次へ＞- To enable a display apparatus to perform, independent of refresh processing being performed in an area to be refreshed, other rewrite processing in an area not to be refreshed.
表示装置において、リフレッシュの対象である領域において進行中のリフレッシュ処理に依存せずに、リフレッシュの対象でない領域における他の書換処理を可能とする。 - 特許庁 - The replica node selected by the replica selection section 52 issues the refresh request, and updates replica data after acquiring master data from the master node selected by the master selection section 54.
レプリカ選択部５２によって選択されたレプリカノードがリフレッシュ要求を発行し、マスタ選択部５４によって選択されたマスタノードからマスターデータを取得してレプリカデータを更新する。 - 特許庁 - When the maximum number of frames is larger than the number of frames corresponding to a refresh rate, the display driver 201 executes operation speed control processing for reducing the operation speed of the GPU 116.
もし最大フレーム数がリフレッシュレートに対応するフレーム数よりも大きい場合、ディスプレイドライバ２０１は、ＧＰＵ１１６の動作速度を低下させる動作速度制御処理を実行する。 - 特許庁 - The memory device detects when the memory array changes from its standby mode to its active mode and then increases the rate of the refresh signal when the memory array changes from its standby mode to its active mode.
メモリデバイスは、メモリアレイが待機モードからアクティブモードにいつ変化するのかを検出し、メモリアレイが待機モードからアクティブモードに変化する場合は、リフレッシュ信号の速度を上げる。 - 特許庁 - Thus, the value of the common voltage Vcom as a reference for defining the effective voltage of the positive polarity and the effective voltage of the negative polarity is properly set according to the refresh periods.
これにより、正極性の実効電圧および負極性の実効電圧を定める基準となる共通電圧Ｖcom の値が、リフレッシュ期間に応じて適正に設定される。 - 特許庁 - The head refresh units 26, 27 and 31 are arranged not to be irradiated with UV-rays from the UV-ray irradiators 40 and 40' at a part where ink ejected from the ejection hole adheres.
また、吐出孔から吐出したインクが付着する、ヘッドリフレッシュ装置２６，２７，３１の部分に対して、紫外線照射装置４０，４０′からの紫外線が照射されないようにされる。 - 特許庁 - This apparatus is the semiconductor integrated circuit apparatus 100 including a memory controller 110 performing access control based on access request from a host for a dynamic random access memory having a self-refresh function.
セルフリフレッシュ機能を有するダイナミックランダムアクセスメモリに対し、ホストからのアクセス要求に基づくアクセス制御を行うメモリーコントローラ１１０を含む半導体集積回路装置１００である。 - 特許庁 - Upon overlap input of a data input/output access operation period of an external command CMD and a refresh operation period of a refresh command RCMD, if access areas accessed by both commands are different, the commands are converted to control command signals SD_CMD and output parallel to enable a parallel conversion processing operation.
また外部コマンドＣＭＤのデータ入出力アクセス動作期間とリフレッシュコマンドＲＣＭＤのリフレッシュ動作期間とが重複して入力される場合に、両コマンドによってアクセスされるアクセス領域が異なる場合には、各コマンドのそれぞれを並列して制御コマンド信号ＳＤ＿ＣＭＤへ変換して出力することで、並列変換処理動作を行うことができる。 - 特許庁 - If a difference between an actually measured internal resistance in a detected electrolytic liquid temperature and a theoretical internal resistance according to the electrolytic liquid temperature of a battery 5 becomes a predetermined value or higher, it is determined that a sulfation as a non-conductive crystal coating film is generated on the surface of an electrode plate of the battery 5 and a refresh charge execution determination portion 11 can execute the refresh charge.
検出される電解液温度における実測内部抵抗と、バッテリ５の電解液温度に応じた理論内部抵抗との差が所定値以上となれば、バッテリ５の電極板の表面部に非伝導性結晶被膜であるサルフェーションが発生したものと判断し、リフレッシュ充電実行判断部１１は、リフレッシュ充電を実行可能であると判断する。 - 特許庁 - The control circuit controls a corresponding write buffer so as to selectively hold data supplied to the external input circuit in the corresponding write buffer during a period of time for the refresh operation and the read operation of a corresponding memory bank, and control the corresponding write buffer to supply data to the corresponding memory bank after the completion of the refresh operation and the read operation of the corresponding memory bank.
制御回路は、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の期間に、外部入力回路に供給されたデータを対応するライトバッファに選択的に保持させる様に、対応するライトバッファを制御し、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の完了後に、対応するメモリバンクにデータが対応するライトバッファに供給するよう制御する。 - 特許庁 - Control of the refresh-control circuit 25 is switched by detection of the prescribed temperature tx0 by the temperature detecting section 12A, current consumption IDD in a low temperature region can be reduced keeping a data holding characteristic of the memory cell 26 in whole temperature range by performing refresh-operation with a short period in a high temperature region, with a long period in a low temperature region.
温度検出部１２Ａによる所定温度ｔｘ０の検出によりリフレッシュ制御回路２５の制御が切り替わり、高温領域において短周期で、低温領域において長周期をリフレッシュ動作を行わせることにより、全温度範囲でのメモリセル２６のデータ保持特性を維持しながら低温領域における消費電流ＩＤＤを低減することができる。 - 特許庁 - To provide developing method and device in an image forming apparatus, shortening the time required for refresh operation as much as possible and not lowering the toner scrape-off efficiency in performing a refresh operation of scraping off a toner thin layer on a developing roller 2 between paper sheets and then forming a toner thin layer 6 again in the touch-down developing system developing device.
タッチダウン現像方式の現像装置において、紙間で現像ローラ２上のトナー薄層を剥ぎ取り、その後トナー薄層６を再形成するリフレッシュ動作を実施するにあたり、リフレッシュ動作に要する時間をなるべく短くし、かつ、トナー剥ぎ取りの効率を低下させないようにした画像形成装置における現像方法及び装置を提供することが課題である。 - 特許庁 - To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.
ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A period of an H level from rise to fall of an ATD signal (i.e., pulse width of ATD signal) is set to the length of tolerance of address skewness or more being previously set, while it is set to the length of a period from timing of rise of the ATD signal to finish of refresh-operation of the ATD signal at start of refresh operation, or less.
ＡＴＤ信号の立ち上がりから立ち下がりまでのＨレベルの期間（すなわち、ＡＴＤ信号のパルス幅）を、予め設定されているアドレススキュー許容範囲以上の長さとなるように設定すると共に、リフレッシュ動作が開始された際のＡＴＤ信号の立ち上がりのタイミングからリフレッシュ動作が終了するまでの期間以下の長さとなるように設定する。 - 特許庁 - The display driver comprises a control register 30, a memory control circuit 579 for performing access control to EEPROM, and a register write circuit 20 for writing a display characteristic control parameter read from EEPROM into a control register 30 when turning on the power source, re-setting the system, or refresh timing (non-display period) and performing initialization processing and refresh processing of the control register 30.
制御レジスタ３０と、ＥＥＰＲＯＭのアクセス制御を行うメモリ制御回路５７９と、電源投入時、システムリセット時或いはリフレッシュタイミング（非表示期間）に、ＥＥＰＲＯＭから読み出された表示特性制御パラメータを制御レジスタ３０に書き込み、制御レジスタ３０のイニシャライズ処理、リフレッシュ処理を行うレジスタ書き込み回路２０を含む表示ドライバである。 - 特許庁 - When a monitor trigger signal MON is applied from the outside in addition to a self-refresh signal SRF from a timing generator 12, a self-refresh timer circuit 100 generates an internal timing signal TIM in a fixed cycle with a ring oscillation circuit provided therein and outputs a monitor output signal MOT corresponding to the first cycle of this internal timing signal TIM.
セルフリフレッシュタイマ回路１００は、タイミングジェネレータ１２からのセルフリフレッシュ信号ＳＲＦの他、外部からモニタトリガ信号ＭＯＮが与えられると、その中に含まれるリング発振回路によって一定周期で内部タイミング信号ＴＩＭを生成すると共に、この内部タイミング信号ＴＩＭの最初の１周期に対応するモニタ出力信号ＭＯＴを出力する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which a copy time of data of twin cells in shifting to a partial mode is shortened and increment of an access time caused by refresh operation is suppressed and to provide its control method.
パーシャルモード移行時におけるツインセルのデータのコピー時間の短縮化を図り、リフレッシュ動作によるアクセスタイムの増大を抑止する半導体記憶装置及びその制御方法の提供。 - 特許庁 - The memory controller, of which power supply from the normal power source is cut, is thereby continuously operated by the power source supplied from a battery, while a self-refresh command is transmitted to a memory.
そして、このバッテリから供給される電源により、通常電源からの電力供給が遮断されたメモリコントローラを引き続き稼動させると共に、メモリにセルフリフレッシュコマンドを送信する。 - 特許庁 - To reduce fluctuations of sensor characteristics between the center and the end of a sensor panel, by carefully setting time for setting a refresh control circuit to Hi state and time for setting a TFT, that is a switching element to Hi state.
リフレッシュ制御回路をＨｉとする時刻とスイッチ素子であるＴＦＴとをＨｉとする時刻を工夫して、センサパネルの中央部と端部とのセンサ特性のばらつきを小さくする。 - 特許庁 - This device is provided with a row system control circuit 64 changing a delay time between a time at which a word line is activated and a time at which a sense amplifier is activated in normal read-out operation and refresh-operation.
ワード線を活性化する時刻とこれに遅れてセンスアンプを活性化する時刻との間の遅延時間を通常の読出動作とリフレッシュ動作において変更するロウ系制御回路６４を設ける。 - 特許庁 - Contents of the memory cell are read out, it is confirmed that the contents are erased (all are '0'), after that, the refresh-data is read out from the data storing section for refreshing in which the data is temporarily stored, and rewriting is performed for the memory cell.
メモリセルの内容を読み出し、内容が消去されたこと（all"0"になったこと）を確認し、その後、一時記憶したリフレッシュ用データ記憶部からリフレッシュデータを読み出し、メモリセルに再書き込みを行う。 - 特許庁 - The printer 110 checks whether the message (refresh) from the data processor 120 is imparted or not within a prescribed time decided by a check timer, than register contents are judged to be invalid when it is No.
プリンタ（１１０）においては、チェックタイマで決まる所定時間内にデータ処理装置（１２０）からの通知（リフレッシュ）があったか否かをチェックし、無かった場合には登録内容を無効と判定する。 - 特許庁 - For example, when the clock cycle becomes longer, by increasing the number of dynamic memory cells to be refreshed per refresh request signal, it is possible to reliably maintain data in the dynamic memory cell without depending on the clock cycle.
例えば、クロック周期が長くなったときに、リフレッシュ要求信号毎にリフレッシュするダイナミックメモリセルの数を増加させることで、クロック周期に依存せずダイナミックメモリセル内のデータを確実に保持できる。 - 特許庁 - Also, if the standby request is active when the processing is finished up to a shortest prescript point during data transfer processing, the controller issues a wait request immediately to the CPU bus 10 to make it halt the processing until the refresh processing is completed.
また、データ転送処理中に最短規定ポイントまで処理が終わった時点で待機要求がアクティブであれば即時ウェイト要求を出してリフレッシュ処理が終わるまで処理を中断させる。 - 特許庁 - To provide an optical sensor utilizing an oxide semiconductor that requires no refresh operation, a semiconductor device having the optical sensor, and a method of measuring light by utilizing the optical sensor.
リフレッシュ動作を不要とする酸化物半導体を利用した光センサ、当該光センサを搭載した半導体装置、及び光センサを利用した光の測定方法を提供することを目的の一とする。 - 特許庁 - To provide a charge/discharge control method of an alkaline battery that can avoid overcharging and over-discharging while avoiding a memory effect without conducting a refresh cycle that requires a long time, and a power supply system.
長時間を要するリフレッシュサイクルを行うことなくメモリー効果を回避しつつ、過充電および過放電をも回避できる、アルカリ蓄電池の充放電制御方法および電源システムを提供する。 - 特許庁 - If the time of idle state of an internal bus 4 exceeds a threshold value, the device makes a main memory 8 into a self refresh mode and into a pause mode with smallest power consumption by stopping electric power supply to a CPU 5 and a plotter 7.
内部バス４のアイドル状態の時間が閾値を超えると、主メモリ８をセルフリフレッシュモードにし、CPU５とプロッタ７への電力供給を停止して、最も電力消費の少ない休止モードにする。 - 特許庁 - Upon receiving the retransmission request information, the retransmission determining section 18 reads time information of refresh data, packet type information of a retransmission requested packet and its time information from a packet information monitoring section 17.
再送判定部１８は再送要求情報を受け取ると、パケット情報監視部１７よりリフレッシュデータの時間情報と、再送要求のあったパケットのパケットタイプ情報と、その時間情報を読み出す。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor element in which refresh characteristics can be enhanced by reducing a leak current being generated in a cell transistor by the stress of a nitride film without requiring any extra process.
別途の追加工程なしに窒化膜のストレスによってセルトランジスタで発生する漏れ電流を減少させてリフレッシュ特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The refresh counter RC changes a refreshment interval according to the temperature by an output signal of the temperature measurement module TMP, and generates an address to perform refreshment in accordance with the refreshment interval of the DRAM.
リフレッシュカウンタＲＣは、温度計測モジュールＴＭＰの出力信号によって温度に応じたリフレッシュ間隔の変更を行い、ＤＲＡＭのリフレッシュ間隔にあわせてリフレッシュを行うアドレスを生成する。 - 特許庁 - To provide a memory control apparatus and a memory control method in which the reduction of a memory band width can be effectively avoided even if the refresh processing of a DRAM and normal memory access processing are executed simultaneously.
ＤＲＡＭのリフレッシュ処理と通常のメモリアクセス処理とが重なったときにもメモリバンド幅の低下を有効に回避させることが可能なメモリ制御装置およびメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁 - After releasing the sleep mode, a refresh command including information indicating the original effective time (e.g. 5 min.) is issued and the effective time is returned to the value set before the shift to the sleep mode (step S214).
その後、スリープモードが解除されると、元の有効時間（例えば５分）を示す情報を含んだリフレッシュコマンドを発行し、有効時間をスリープモードに移行する前の値に戻す（ステップＳ２１４）。 - 特許庁 - This memory is provided with non-volatile memory cells 41 having a ferroelectric capacitor 42 and a control section 11 comprising a refresh- controller for rewriting data in the non-volatile memory cells 41.
このメモリは、強誘電体キャパシタ４２を有する不揮発性のメモリセル４１と、その不揮発性のメモリセル４１に対して再書き込みするためのリフレッシュコントローラを含む制御部１１とを備えている。 - 特許庁 - During the image formation, the refresh roller 63 is separated from the fixing belt 51, however, when performing the polishing mode, comes into contact with the fixing belt 51 to adjust the surface state of the fixing belt 51.
リフレッシュローラ６３は、画像形成時には、定着ベルト５１から離間されているが、研磨モードを実行する際には、定着ベルト５１に当接して定着ベルト５１の表面状態を調整する。 - 特許庁 - The cutoff, voltage used in the normal charge part 6 and the refresh charge part 7, is decided by compensating a reference voltage V0 with the ambient temperature TA0 detected by an ambient temperature detector 21.
通常充電部６およびリフレッシュ充電部７で使用されるカットオフ電圧は、基準電圧Ｖ0を、環境温度検出部２１で検出される環境温度ＴA0で補正することによって決定される。 - 特許庁 - A memory cell selecting operation is arbitrated by an arbitrating circuit 124 in a control circuit 21 in order to prevent competition with an arithmetic operation in the arithmetic circuit, and the refresh of the memory cell array is executed.
この演算回路における演算操作と競合を回避するように制御回路（２１）内の調停回路（１２４）によりメモリセル選択動作を調停してメモリセルアレイのリフレッシュを実行する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device capable of changing a self-refresh term so that the data of a memory cell is reliably held and a low power consumption operation is satisfied, without redesigning and reproducing a device.
メモリセルのデータ保持を確実かつ低消費電力動作を満たすようにセルフリフレッシュ期間を、デバイスを再設計および再生産することなく変更できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - This semiconductor device is equipped with 16 memory cell arrays 11a, row decoders 12, predecoders 13A and 13B, an internal address generating circuit 14, a select circuit 15, and a refresh mode switching circuit 16.
本発明の半導体装置は、１６個のメモリセルアレイ１１ａ、ロウデコーダ１２、プリデコーダ１３Ａ，１３Ｂ、内部アドレス発生回路１４、セレクト回路１５及びリフレッシュモード切替回路１６を備えている。 - 特許庁 - To provide a lighting device which enables lighting in which the user can relax or refresh himself sufficiently and by which coordination in the interior can be arranged easily, and which requires little installation space.
使用者が十分にリラックスしたりリフレッシュしたりできる照明を行うとともに、室内のコーディネートを容易に行うことができ、且つ、設置スペースが少ない照明装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor storage device where a self-refresh cycle can be set optionally from the outside without bringing about an increase in a chip area in spite of the use of a fuse.
本発明は、チップ面積の増加を招くことなく、ヒューズを使用しているにもかかわらず外部からセルフリフレッシュの周期を任意に設定できる半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - At the time of ending the DMA control or the RAM refresh, the enable signal OE of the latch LS373 is turned on so that the data of the ROM 104 held in the latch LS373 can be immediately obtained.
ＤＭＡ制御又はＲＡＭリフレッシュが終了した時、ラッチＬＳ３７３のイネーブル信号ＯＥ１〜４をＯnにすれば、ラッチＬＳ３７３に保持している、ＲＯＭ１０４のＤataをただちに獲得できる。 - 特許庁 - When it is judged that the RR packet or the APP packet is received, in step S72, it is judged whether or not a refresh instruction is contained in the received RR packet or APP packet.
ＲＲパケット、または、ＡＰＰパケットを受信したと判断された場合、ステップＳ７２において、受信したＲＲパケット、またはＡＰＰパケットに、リフレッシュ命令が含まれているか否かが判断される。 - 特許庁 - To establish an optimum method by solving the problem that a layer configuration, a bank configuration, and a refresh control system are not established in a three-dimensional laminated memory having a through-hole electrode.
貫通電極を備えた３次元の積層メモリにおいては、層構成、バンク構成、リフレッシュ制御方式が確立されていないという問題があり、最適な方法の確立が望まれている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is suitable for controlling the deterioration of threshold voltage and refresh characteristic of a transistor formed on the p-well surrounded by the n-well among the triple wells.
三重ウェルのうちｎウェルに取り囲まれるｐウェル上に形成されたトランジスタのしきい電圧及びリフレッシュの特性低下を抑制するのに適した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this case, a memory controller performs access operation to any of the memory blocks and refresh operation to at least one of the memory blocks which does not perform the access operation in response to the access request.
この際、メモリ制御部は、メモリブロックのいずれかに対するアクセス動作と、アクセス動作を実行しないメモリブロックの少なくとも１つに対するリフレッシュ動作とを、アクセス要求に応答して実行する。 - 特許庁 - When three workers are to have the cooperative break in the same refresh corner, for example, this user selects a cooperative break tool for enabling the informal communication among the three persons and the break.
例えば、３人の勤務者が同一のリフレッシュコーナで協調休憩を行う場合、このユーザは、３人の間におけるインフォーマルコミュニケーションおよび休憩を可能とする協調休憩ツールを選択する。 - 特許庁 - The clock generator 260 stops when a predetermined command is input by a control signal, and a self refresh of the RAM 26 is stopped to put the RAM 26 in the low power operating state.
クロックジェネレータ２６０は、制御信号などにより所定のコマンドを入力されると停止して、ＲＡＭ２６のセルフリフレッシュを停止させることにより、ＲＡＭ２６を低電力動作状態にする。 - 特許庁 - The first circuit is for refreshing only each memory cell within the array of each phase change memory cell that is programmed to a non-crystalline state in response to a request for refresh operation.
上記第１回路は、リフレッシュ動作のための要求に対応して、上記アレイ内の非結晶状態にプログラムされた各相変化メモリセルの各メモリセルのみをリフレッシュするためのものである。 - 特許庁 - The output switch 9 thereby passes the high refresh timing image data 14 as they do not scale the frequency and resolution by an image conversion unit 8 and supplies the data to an LCD driver 10.
これにより、出力スイッチ９は、画像変換部８により周波数や解像度をスケーリングせずに、そのままハイリフレッシュタイミング画像データ１４を通過させ、ＬＣＤドライバー１０に供給する。 - 特許庁 - To provide a system and method for issuing a refresh cycle which prevents memory cells of a storage device (polymer ferroelectric memory device) from becoming imprinted or stuck in a current state.
ストレージ装置（高分子強誘電性メモリ装置）のメモリのセルが現在の状態に刻印(imprinted)または膠着されるのを防止するためのリフレッシュ・サイクルを発行するシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁
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