「reverse current」を含む例文一覧(1060)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 次へ＞- In the PLL frequency synthesizer circuit, a replica signal is generated which has the same amplitude as that of and the reverse phase of that of an unwanted alternating current signal component contained in a reference frequency signal, so that the unwanted alternating current signal component is canceled and is eliminated by the replica signal.
電圧制御発振器、位相比較器、低域フィルタ、可変分周手段、を備えたＰＬＬ周波数シンセサイザ回路において、基準周波数信号に含まれる不要交流信号成分と振幅が同一で位相が逆相のレプリカ信号を生成し、該レプリカ信号によって前記不要交流信号成分を相殺除去するように構成する。 - 特許庁 - An instrument 12 measures a current induced in the detecting interdigital electrode 6 by a reverse piezoelectric effect of the surface acoustic waves; and when hydrogen is adsorbed to the palladium film 8 and the amount of hydrogen on the surface of the quartz substrate 2 is changed, the intensity of the surface acoustic waves is changed and a current value measured by the instrument 12 is changed.
測定器１２は、表面弾性波の逆圧電効果により検出用櫛形電極６に誘起される電流を測定しており、水素がパラジウム膜８に吸着されて水晶基板２表面における水素量が変化すると、表面弾性波の強度が変化し、測定器１２で測定される電流値が変化する。 - 特許庁 - The other two switching elements connected in series between the DC power sources are connected at the center to the center of the DC power sources through the other inductor and the capacitor, and the other two switching elements are controlled ON, OFF in a reverse relation between the other two switching signals controlled under the difference of an output current and the current flowing to the other inductor.
直流電源間に直列接続した他の２個のスイッチング素子の接続中点を他のインダクタ及び上記コンデンサを介して直流電源の中点に接続し、他の２個のスイッチング素子を、出力電流と他のインダクタに流れる電流との差で制御された他の２個のスイッチング信号で互に逆関係にオン・オフ制御させる。 - 特許庁 - The switch SW1 has first and second bipolar transistors T1, T2 in which a main current path is arranged in reverse parallel between the input end and the capacitive element C1, and the switch SW1 is provided with a control means for subtracting or injecting a current alternately to bases of the first and the second transistors T1, T2.
本発明によれば、スイッチＳＷ１は、それらの主電流経路が入力端と容量性エレメントＣ１の間で逆並列に配置された第１及び第２のバイポーラトランジスタＴ１，Ｔ２を有し、第１及び第２のトランジスタＴ１，Ｔ２のベースに対して電流を交互に抽出または注入するための制御手段も備える。 - 特許庁 - This driving circuit is one related to a sensorless motor, which puts the motor in reverse torque brake condition by adding a brake command signal to a current application logic circuit 77, counts up a counter circuit 89 to generate a count signal, and stops the drive current to a drive coil with the count signal and the signal of the brake command, thereby breaking the drive torque.
通電ロジック回路７７にブレーキ指令信号を加え逆トルクブレーキ状態にしモータの回転速度が十分に低下したとき、前記カウンタ回路８９をカウントアップし、カウント信号を発生させ、そのカウント信号とブレーキ指令の信号で駆動コイルへの駆動電流を停止し駆動トルクを遮断するセンサレスモータに関する。 - 特許庁 - Even when a large current is made to flow through the nMOS14 and a parasitic diode 41 in the circuit 12 is forward- biased, since the diode 51 is made to be reverse-biased and a current is not allowed to flow through the diode 41, the potential of the gate terminal of the nMOS14 is not clamped and the gate terminal and the drain terminal of the MOS14 become the same potential.
パネル放電の際に大電流がｎＭＯＳ１４に流れ、バッファ回路１２内の寄生ダイオード４１が順バイアスされても、逆阻止ダイオード５１が逆バイアスされることにより、寄生ダイオード４１には電流が流れないので、ｎＭＯＳ１４のゲート端子の電位はクランプされず、ゲート端子とドレイン端子とが同電位になる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light receiving element in which carriers excited to the level of crystal defect in the heterointerface of lattice mismatch are not trapped but can migrate smoothly and can respond quickly, a recombination current caused by the level of crystal defect, i.e.,, a dark current in applying a reverse bias voltage, is reduced and noise of the element is suppressed.
格子不整合のヘテロ界面での結晶欠陥による準位に励起されたキャリアがトラップされることなく、円滑に移動ができて高速応答ができ、結晶欠陥による準位に起因する再結合電流、すなわち逆バイアス電圧を印加したときの暗電流を低減させ、素子の雑音を抑えた半導体受光素子を提供する。 - 特許庁 - East changing current can be prevented from flowing through electric wires W1, W2, even when FETQ4, Q5, Q6 reverse from on to on respectively, permit gentle rise current to flow through the electric wires W1, W2, thereby preventing generation of large unwanted radiation noises and performing speed control, until low speed is reached.
これによって、ＦＥＴＱ４、Ｑ５、Ｑ６ぞれぞれがオフからオンに反転したときにも、変化の早い電流が電線Ｗ１、Ｗ２に流れることを防止でき、電線Ｗ１、Ｗ２に立ち上がりの緩やかな電流が流れるようにして大きな不要輻射ノイズの発生を防止すると共に、低速まで速度制御可能になる。 - 特許庁 - This device is provided with a diode 10 and a switching means 9 forming a first current path from one side of wiring 1 to the other side of wiring 2, and a diode 8 and a switching means 7 forming a second current path from the other of wiring 2 to the one side of wiring 1, between wiring 1 and 2 for timing signals Φ0, Φ0B being reverse phase each other.
互いに逆相のクロック信号Φ０、Φ０Ｂ用の配線１、２間に、一方の配線１から他方の配線２へ第一の電流経路を形成するダイオード１０とスイッチング手段９を設けるとともに、前記他方の配線２から前記一方の配線１へ第二の電流経路を形成するダイオード８とスイッチング手段７とを設けてある。 - 特許庁 - By providing the n-type diffusion layer 17, a depletion layer is well generated in the semiconductor device 10 when a reverse voltage is applied, and a leakage current can also be decreased, so that the semiconductor device 10 will have a high breakdown voltage.
Ｎ型拡散層１７を設けることによって逆方向電圧が印加された際、半導体素子１０内に空乏層が良好に発生し、また漏れ電流を減少させることができるため半導体素子１０は良好な耐圧性を備える。 - 特許庁 - A current which is reverse to that flowing on an antenna 100 and which is generated in the circuit board 202 is reduced by preventing the ground pattern of the circuit board 201 from being connected to the ground pattern of the circuit board 202 in this way.
このように、回路基板２０１のグラウンドパターンと、回路基板２０２のグラウンドパターンとを電気的に接続しないことにより、回路基板２０２に生じる、アンテナ１００上を流れる電流と逆相の電流を、低減するようにしたものである。 - 特許庁 - A component for protecting external circuits by detecting a short circuit, an abnormal voltage or a reverse current and disconnecting a power supply from the external circuit, and a filter component for removing ripples in the power supply are mounted on a circuit board, where each component is constituted of an FET.
短絡、電圧異常、逆流などを検出し外部回路から電源を切り離し外部回路を保護するコンポネントと、電源のリップルを除去するフィルタコンポネントから成り、各コンポネントはＦＥＴで構成され回路基板上に実装したもの。 - 特許庁 - The 1st electrode 8 of the light emitting element 9 is held at the same potential with the 2nd power line and the 2nd electrode is held at the same potential with the 3rd power line supplying an positive arbitrary voltage, thereby supplying a reverse current to the light emitting element 9.
発光素子９の第１電極８の電位を、第２電源線の電位にし、第２電極１０の電位を、正の任意の電圧を供給する第３電源線の電位にして、発光素子９に逆方向電流を供給する。 - 特許庁 - To provide a control method and control apparatus for power converter, capable of suppressing an excessive reverse recovery surge voltage after releasing a current limiting function only by controlling a driving signal of a semiconductor switch constituting a power converter.
電力変換器を構成する半導体スイッチの駆動信号を制御するだけで、電流制限機能を解除した際の過大な逆回復サージ電圧を抑制可能とした電力変換器の制御方法及び制御装置を提供する。 - 特許庁 - In this case, in a region where the flyback diode 24 of the reverse conducting semiconductor device 10 is formed, a body contact region 34 operates as an anode, a drift contact region 40 operates as a cathode, and a current 106 flows from the anode to the cathode.
この場合、逆導通半導体装置１０の還流ダイオード２４が形成されている領域では、ボディコンタクト領域３４がアノードとして作動し、ドリフトコンタクト領域４０がカソードとして作動し、アノードからカソードへと電流１０６が流れる。 - 特許庁 - In the switching power source which is prevented with a charging circuit and supplies DC voltage from the secondary side of a switching transformer to a load through a reverse current preventing diode D1, an FET [Q1] is connected in parallel to the diode D1.
スイッチングトランスの２次側から逆電流防止用ダイオードＤ１を介して負荷に直流電圧を供給する充電回路を備えたスイッチング電源において、上記ダイオードＤ１と並列にＦＥＴ〔Ｑ１〕を接続したことを特徴としている。 - 特許庁 - To quickly and reliably detect disconnection and prevent an accident due to a reverse power flow without fail through a simple configuration using no metering current transformer without need for a complicated detecting structure that incurs increase in the number of connecting points.
複雑かつ連結点の増大化を招く検出構造を要することなく、計器用変流器を用いない簡易な構成で、迅速かつ確実に接続解除を検出し、逆潮流による事故を確実に防止することを目的とする。 - 特許庁 - When an image presence/absence detection sensor 28 detects the image being formed on the reverse surface of the transfer material, a current having a value suitable thereto is supplied to the transfer electrostatic charging member 7 to transfer the toner image on a photoreceptor 2 to the surface of the transfer material.
画像有無検知センサ２８によって転写材の裏面に画像が形成されていることが検知されたときは、転写帯電部材７に、これに適した値の電流を供給して、転写材の表面に感光体２上のトナー像を転写する。 - 特許庁 - The optical drive indication unit 58 acquires the error rate for each parameter and determines whether the acquired error rate satisfies a predetermined error rate, while changing a drive current α, a reverse voltage Vr, and a digital level determination threshold Ath to be within predetermined set ranges.
光駆動指示部５８は、駆動電流αおよび逆電圧Ｖr、デジタルレベル判定閾値Ａthを所定の設定範囲で変更しながら、各パラメータにおけるエラーレートを取得し、取得したエラーレートが所定の基準エラーレートを満たすか否かを判断する。 - 特許庁 - The dust collecting dust-free clothes 10 including a dust collecting action, or the dust collector to be used by mounting on an object to be mounted alternately includes plus and minus direct current high-voltage electrodes, and includes an adhesive material on the surface, and an electric field separation layer on the reverse.
集塵作用を有する集塵無塵衣１０または被装着対象物に装着して用いる集塵装置は、＋と−の直流高電圧電極を交互に有し、表面に粘着材を有し、裏面に電界隔離層を有する。 - 特許庁 - A diode 40 is provided on the semiconductor substrate, and electrically connects a gate terminal 31 and the first main electrode 21 to each other in an orientation so that transmission of a gate signal to the first main electrode 21 is reverse current.
ダイオード４０は、半導体基板上に設けられており、ゲート信号の第１の主電極２１への伝搬が逆方向電流となるような向きでゲート端子３１および第１の主電極２１の間を互いに電気的に接続している。 - 特許庁 - To provide a dropper type stabilized power circuit which can prevent a reverse current from flowing from the output side to the input side even if the output-side voltage becomes higher than the input voltage in a state where a high-temperature leak compensating resistance is provided.
高温リーク補償抵抗が設けられた状態で出力側の電圧が入力電圧より高くなっても、出力側から入力側へ逆電流が流れるのを防止することのできるドロッパ型の安定化電源回路を提供する。 - 特許庁 - Even though the current financial turmoil leading to the contraction of the markets may temporarily reverse the trend towards emphasis on the traditional indirect financing, in the medium to long term the significance of the transition towards a market-based financial system must not be forgotten.
今般の金融危機に伴う市場の収縮の中で、一時的に従来型の間接金融の重要性が高まる局面が見られるとしても、中長期的に、このような金融システムの転換の意義は見失われてはならない。 - 金融庁 - In particular, in the state of a super light load, the voltage detection circuit H-COM reduces the reverse current having the switch SW2 in the low-conductive sate in response to the detection voltage Vn2 in the latter half period of the on-operation of the base potential side switch SW2.
特に、超軽負荷状態では、基底電位側スイッチＳＷ２のオン動作の後半期間では検出電圧Ｖｎ２に応答して電圧検出回路Ｈ−ＣＯＭはＳＷ２を低導通度の状態として逆流電流が低減される。 - 特許庁 - To provide an insulated-gate bipolar transistor in which a leakage current due to a reverse direction voltage is not easily generated in the insulated-gate bipolar transistor for which a collector electrode film formed on the back surface of the forming surface of a gate electrode film is Schottky-joined to a semiconductor substrate.
ゲート電極膜の形成面の裏面に形成したコレクタ電極膜を半導体基板にショットキー接合させた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、逆方向電圧によるリーク電流を発生しにくいものを提供すること。 - 特許庁 - A series circuit of a constant voltage element ZD and a reverse flow prevention element D4 is connected in parallel to the capacitance element Cbs, so that a voltage across the terminals of the capacitance element charged by the regeneration current by the counter electromotive force is clamped to a predetermined voltage.
容量素子Ｃｂｓと並列に、定電圧素子ＺＤと逆流防止素子Ｄ４の直列回路が接続され、逆起電力による回生電流で充電される前記容量素子の端子間電圧が、所定電圧にクランプされる。 - 特許庁 - Although the R-phase and the S-phase of a power transmission line are penetrated in reverse through an annular iron core of a two-phase through current transformer 10 installed on the power transmission line, the R-phase is led through only once, and the S-phase is led through twice.
送配電線に設置された二相貫通変流器１０の環状鉄心に送配電線のＲ相およびＳ相は逆向きに貫通されているが、Ｒ相は１回だけ貫通されており、Ｓ相は２回ほど貫通されている。 - 特許庁 - To provide an excellent thermal type detector having sufficient reverse-directional withstanding pressure, having an excellent characteristic reduced in a leakage current by a parasitic PMOS transistor, and reduced in a 1/f noise, in the SOI diode system thermal type detector.
ＳＯＩダイオード方式の熱型検出器において、十分な逆方向耐圧を有し、寄生ＰＭＯＳトランジスタによるリーク電流を低減した良好なダイオード特性を有し、さらに１／ｆノイズを低減した良好な熱型検出器を提供する。 - 特許庁 - When the push button is located at an on-state of the electric circuit, and a current is overloaded, the contact sheet is deformed by receiving heat, and freely trips in the reverse direction, and an off-state of the electric circuit is formed without receiving inhibition of the interlocking component or the push button.
押しボタンが電気回路ＯＮの位置にあり、電流がオーバーロードになった時、接触シートが熱を受けて変形し自由に反対方向にトリップし、連動部品或いは押しボタンの阻害を受けることなく、電気回路のＯＦＦを形成する。 - 特許庁 - When the current due to the discharge of the excitation energy becomes zero and then s made to flow in the reverse direction, the voltage produced in the saturable core 1 prevents the voltage of the third coil 6c from being applied to the gate of the MOSFET2, and causes this to be turned off.
励磁エネルギの放出による電流がゼロになって、更に逆流しようとしたときに、可飽和コア１に生じる電圧で第３の巻線６ｃの電圧がＭＯＳＦＥＴ２のゲートに加わるのをはばみ、これをターン・オフさせる。 - 特許庁 - When a photovoltaic array 10 is constituted of a parallel connection circuit of solar cell modules 15a, or the like, a reverse current preventing diode 4a, or the like, is inserted in series with the + side wiring of a power generation element 2a, or the like, in each solar cell module 15a, or the like.
太陽電池モジュール１５ａ等により並列接続回路の太陽光アレイ１０を構成する場合、各太陽電池モジュール１５ａ等において発電素子２ａ等の＋側配線と直列に逆流防止ダイオード４ａ等を挿入する。 - 特許庁 - To provide a dye-sensitized solar cell, capable of enlarging a light absorption range of dye to a near infrared zone and preventing reverse current flowing from an electrode regardless of irradiation of light to a charged transport material.
色素の光吸収領域を近赤外領域まで拡大すると共に、電極から電荷輸送材料へ光の照射とは関係なく流れる逆電流を防止し、光電変換効率が十分に得られる色素増感太陽電池を提供する。 - 特許庁 - To provide a switching regulator capable of suppressing power loss during light load by detecting and cutting off a reverse current with high precision without an increase in a circuit scale or a delay in backflow cut-off.
本発明は、回路規模の増大や逆流遮断の遅延を招くことなく、高精度に逆流電流の検出並びに遮断を行い、もって軽負荷時の電力損失を低減することが可能なスイッチングレギュレータを提供することを目的とする。 - 特許庁 - A non-inversion input terminal of the comparator CMP 1 of the reverse current prevention circuit 5 is connected to the correction voltage source V_CC1 outputting correction voltage V_C1 lower than GND, and an inversion input terminal is connected to the output part of the switching circuit 3.
逆電流防止回路５のコンパレータＣＭＰ１の非反転入力端子は、ＧＮＤよりも低い補正電圧Ｖ_C1を出力する補正電圧源Ｖ_CC1に接続され、反転入力端子はスイッチング回路３の出力部に接続されている。 - 特許庁 - To provide a boosting chopper circuit which enables soft switching action with little switching loss, even when a reactor current is continuous, and also reduces the loss greatly by shortening the reverse recovery time of a diode connected in series with load.
リアクトル電流が連続の場合であってもスイッチング損失が少ないソストスイッチング動作を可能とするとともに、負荷に直列接続されるダイオードの逆回復時間を短縮化して損失を大幅に削減した昇圧チョッパ回路を提供する。 - 特許庁 - Power MOS-FETs (Q1, Q2) having a parasitic diode are connected in reverse series and by driving switch-on by a gate voltage higher than a signal voltage used and by driving switch-off by a voltage lower than that, switching of induction load current with stable switch-on resistance is carried out.
寄生ダイオ−ドをもつパワーMOS-FET（Q1，Q2）を逆直列接続するとともに，扱う信号電圧より高いゲート電圧でオン駆動し低い電圧でオフ駆動することにより，オン抵抗の安定な誘導負荷電流の切り替えを行う。 - 特許庁 - A current value which is charged to the element for lighting is suitably controlled from a non-scanning selection power supply (reverse bias power supply VM) transitionally at the beginning of lighting of the light emitting element according to decrease of the lighting ratio, and the shadowing is suppressed.
点灯率の低下により発光素子の点灯初期において過渡的に非走査選択電源（逆バイアス電源ＶＭ）から、発光対象となる素子に充電される電流値が適宜制御され、シャドーイングの発生が抑制される。 - 特許庁 - Thus, when the switch is set at an off state, for example, if a voltage higher than the power source potential VDD is applied to the terminal A, since the NMOS 12, 13 each become diodes D2, D3 in a reverse direction, the off-leak current never occurs.
これにより、オフ状態に設定されたときに、例えば端子Ａに電源電位ＶＤＤより高い電圧が印加された場合、ＮＭＯＳ１２，１３がそれぞれ逆方向のダイオードＤ２，Ｄ３となるので、オフリーク電流が発生しない。 - 特許庁 - Conversely, when a specified voltage V1 is charged to the capacitor 21, and a gate signal is given to the thyristor module 1, and a resonance current 7 is allowed to flow, the capacitance C12 appears, and a voltage V2 is charged between the capacitors 21, 22 in reverse polarity.
逆にコンデンサ２１に所定の電圧Ｖ１を充電しておき、サイリスタモジュール１にゲート信号を与え共振電流７を流すと静電容量Ｃ１２が現れ、コンデンサ２１とコンデンサ２２との間には逆極性に電圧Ｖ２が充電される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that can resolve problems of current collapse and long-term reliability by alleviating electric field concentration generated at an electrode end when a reverse voltage is applied to a device, such as an SBD (Schottky Barrier Diode), an HEMT (High Electron Mobility Transistor), and the like.
本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A current transiently supplied from a non-scan selecting power supply (as a reverse bias power supply VM) to charge the objective element for light emission in a lighting initial stage of the light emitting element caused by decrease in the lighting rate is appropriately controlled to suppress generation of shadowing.
点灯率の低下により発光素子の点灯初期において過渡的に非走査選択電源（逆バイアス電源ＶＭ）から、発光対象となる素子に充電される電流値が適宜制御され、シャドーイングの発生が抑制される。 - 特許庁 - An R-phase and an S-phase of a power transmission line are led through in the reverse direction in an annular iron core of the two-phase bushing current transformer 10 installed in the power transmission line, in which the R-phase is led through only one time and the S-phase is led through two times.
送配電線に設置された二相貫通変流器１０の環状鉄心に送配電線のＲ相およびＳ相は逆向きに貫通されているが、Ｒ相は１回だけ貫通されており、Ｓ相は２回ほど貫通されている。 - 特許庁 - The display device is constituted to apply the reverse voltage to the new pixel circuit having at least a switching transistor connected to a signal line, a driving transistor connected to a light emitting element, and a current controlling transistor connected to the driving transistor in series.
信号線に接続されるスイッチング用トランジスタ、発光素子に接続される駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタに直列に接続される電流制御用トランジスタを少なくとも有する新たな画素回路に対し、逆電圧を印加する。 - 特許庁 - This voltage clamping means 10 acts to block the reverse bias voltage from being substantially boosted by the current from the anode drive lines through each parasitic capacitance of the EL elements, and acts to reduce the generation of horizontal cross talk phenomenon.
この電圧クランプ手段１０は、ＥＬ素子の各寄生容量を通して陽極ドライブ線からの電流により、逆バイアス電圧を実質的に押し上げるのを阻止するように作用し、水平方向クロストーク現象が発生するのを低減するように作用する。 - 特許庁 - The control circuit is yet further provided with a chip clock for alternately executing measuring of the reverse EMF from the VCM and supplying of the driving current of a random frequency within a frequency range centering on a median frequency to the VCM.
制御回路は、さらに、前記ＶＣＭからの前記逆ＥＭＦを測定することと、中央値周波数を中心とする周波数の範囲内のランダム周波数の前記駆動電流を前記ＶＣＭに供給することとを交互に行うためのチョップ・クロックを含む。 - 特許庁 - To provide a directional protective relay device and a directional power relay device, capable of reducing the installation number of current transformers for protecting a three-phase AC circuit against short-circuit faults or reverse flows, and the numbers of directional protective relays and directional power relays.
短絡事故や逆潮流から三相交流回路を保護するための変流器および方向保護継電器や電力方向継電器の設置台数を削減することができる方向保護継電装置および電力方向継電装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device where an increase of dV/dt during inverse recovery is suppressed, vibration of a voltage current waveform during reverse recovery is suppressed and a high speed/low loss characteristic and a soft recovery characteristic can simultaneously be improved and to provide a manufacturing method of the device.
逆回復時のｄＶ／ｄｔの増加を抑制し、逆回復時の電圧電流波形の振動を抑制し、高速・低損失特性とソフトリカバリー特性の両者を同時に向上させる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - In a mid-point potential control circuit 20, a power source voltage VCC is connected to anode of a reverse-current preventive diode 22 and an node of a potential VM via a PMOS transistor 21, and a cathode of the diode 22 is connected to a ground line via a transistor 23.
中点電位制御回路２０では、電源電位ＶＣＣがＰＭＯＳトランジスタ２１を介して逆流防止用ダイオード２２のアノード及び電位ＶＭのノードに接続され、ダイオード２２のカソードはＮＭＯＳトランジスタ２３を介してグランド線に接続されている。 - 特許庁 - To provide a Schottky barrier diode that reduces the anode electrode area, while ensuring a Schottky junction area, suppresses the increase in the reverse leakage current accompanying the reduction in the anode electrode area by an isolation embedded layer, and further can appropriately maintain linearity in the forward direction.
ショットキー接合面積を確保しながらアノード電極面積を縮小し、それに伴う逆方向リーク電流の増大を分離埋め込み層により抑制し、しかも、順方向の直線性を良好に維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁 - To materialize a drive unit and a power converter for a switching device, which hardly causes malfunction in the switching device even if a reverse recovery current flows to a parasitic diode between the body and the drain of a field effect transistor for level shift and voltage drop occurs in a level shift resistor.
レベルシフト用電界効果トランジスタのボディ−ドレイン間寄生ダイオードに逆回復電流が流れてレベルシフト抵抗に電圧降下が生じても、スイッチングデバイスに誤動作を発生させにくい、スイッチングデバイスの駆動装置及び電力変換装置を実現する。 - 特許庁
