「rib waveguide」を含む例文一覧(18)
- RIB-TYPE OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
リブ型光導波路デバイス及びその製造方法 - 特許庁 - The rib (312) forms a waveguide along which radiation propagates.
リブ（３１２）は放射線が伝播する導波路を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING RIB-SHAPE OPTICAL WAVEGUIDE DISTRIBUTED REFLECTION TYPE SEMICONDUCTOR LASER
リブ型光導波路分布反射型半導体レーザの製造方法 - 特許庁 - To enhance the strength of the core part of a rib-shaped semiconductor optical waveguide to eliminate the breakage of the optical waveguide in cutting.
リブ型半導体光導波路のコア部分の強度を上げ、切断時の光導波路の破損をなくする。 - 特許庁 - An LNB converter includes a waveguide part connected to a horn part, the waveguide part includes a waveguide 8 and a polarization wave rib 5 at least part of which is arranged inside the waveguide 8, and the waveguide 8 and the polarization wave rib 5 are individually formed and fixed to each other.
ＬＮＢコンバータは、ホーン部に接続された導波管部を備え、導波管部は、導波管８と、導波管８の内部に少なくとも一部が配置された偏波リブ５とを含み、導波管８と偏波リブ５とが個別に形成されて、互いに固定されている。 - 特許庁 - To reduce an optical loss of the light propagated through a silicon rib waveguide.
シリコン・リブ導波路を通じて伝播する光の光損失を減少させること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a waveguide type photodetector, wherein a lattice defect concentrates only on the center portion of a rib-type waveguide of a semiconductor even in the case of using an exposure apparatus of which the resolution is equal to or higher than the width of the rib-type waveguide.
解像度がリブ型導波路の幅以上の露光装置を使用しても格子欠陥が導波路のリブ型導波路の中央部にのみに集中する導波路型受光器の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A waveguide type optical branching section 109 is connected along the path of the rib waveguide comprising the silicon core 101 to branch a fraction of the light to a monitor waveguide to which a light intensity detection section 106 is connected.
また、シリコンコア１０１よりなるリブ型導波路の途中には、導波路型の光分岐部１０９が接続され、光強度検出部１０６が接続されているモニター導波路に、一部の光を分岐する。 - 特許庁 - The area to which the metal electrode is connected is set within a range of a distance from the rib waveguide to the area to which the metal electrode is connected such that, when the distance is changed, an effective refractive index of the rib waveguide in a zero^th-order mode does not change.
金属電極が接続された領域までのリブ導波路からの距離を変化させたときにリブ導波路の０次モードの実効屈折率が変化しないようなその距離の範囲内に、金属電極が接続された領域を設定する。 - 特許庁 - To achieve optical coupling of a rib type waveguide composed of a silicon wire to an optical fiber in a highly efficient state by suppressing loss.
シリコン細線よりなるリブ型導波路を、損失を抑制して高効率な状態で、光ファイバーと光結合できるようにする。 - 特許庁 - To provide a variable optical attenuator using a rib type silicon thin line waveguide, which achieves high speed operation with low power consumption without requiring useless power.
リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。 - 特許庁 - In the electro-optic device, a stack structure including a first silicon semiconductor layer of a first conductivity type and a second silicon semiconductor layer of a second conductivity type has a rib waveguide shape to form an optical confinement area, and a slab portion of a rib waveguide includes an area to which a metal electrode is connected.
電気光学装置において、第１の導電型の第１のシリコン半導体層と第２の導電型の第２のシリコン半導体層との積層構造がリブ導波路形状を有して光の閉じ込め領域を構成し、リブ導波路のスラブ部分に、金属電極が接続された領域を設ける。 - 特許庁 - In the connector 1, the positioning means is composed of: a slit 21 which is formed on the optical waveguide 2, penetrates through the optical waveguide 2 in the thickness direction and extends along the longitudinal direction; and a rib 37 which is projectingly formed on the bottom face 313 of the housing 3 and inserted into the slit 21.
このコネクタ１では、位置決め手段は、光導波路２に形成され、その厚さ方向に貫通し、長手方向に沿って延びるスリット２１と、ハウジング３の底面３１３に突出形成され、スリット２１に挿入されるリブ３７とで構成されている。 - 特許庁 - To perform exact measurement of light intensity in an integrated optical device of a rib type waveguide structure wherein an optical modulation part and a light intensity detection part are monolithically integrated and which is made of silicon.
光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。 - 特許庁 - To provide a method for fabricating a variable optical attenuator comprising a rib type silicon thin line waveguide, which prevents an unnecessary current from flowing and which can be operated at a high speed with low power consumption.
リブ型シリコン細線導波路型の可変光減衰器において、不要な電流の流れを防止し低消費電力で高速動作できるようにする可変光減衰器の作製方法を提供する。 - 特許庁 - To accurately measure the intensity of light in an integrated optical device having a rib waveguide structure comprising silicon in which an optical modulation section and a light intensity detection section are monolithically integrated.
光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。 - 特許庁 - The integrated optical device includes, as part of a silicon core 101 constituting a rib waveguide, an optical modulation section 105 having a p-type semiconductor region 103 and an n-type semiconductor region 104 fabricated in a slab layer 102 interposing the silicon core 101.
リブ型導波路を構成しているシリコンコア１０１の一部において、シリコンコア１０１を挟むようにスラブ層１０２に形成されたｐ型半導体領域１０３およびｎ型半導体領域１０４を備える光変調部１０５を備える。 - 特許庁 - Curved parts 111, 112 are provided on a core 103 part which constructs a rib type waveguide composed of a semiconductor and pairs of a p-type semiconductor region (a p-type carrier supplying part) 105a, 105b and an n-type semiconductor region (an n-type carrier supplying part) 106a, 106b are provided on the curved parts 111, 112.
半導体から構成されたリブ型導波路を構成しているコア１０３一部に曲部１１１，１１２を設け、曲部１１１，１１２において、ｐ形半導体領域（ｐ形キャリア供給部）１０５ａ，１１５ｂとｎ形半導体領域（ｎ形キャリア供給部）１０６ａ，１０６ｂの対を設ける。 - 特許庁
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