To provide an insulation gate type semiconductor device which is capable of enhancing hot carrier resistance without increasing the number of process steps or a device pitch for a trench lateral-type MOSFET and without damaging voltage resistance/RonA characteristics of the device. トレンチ横型MOSFETについて、プロセス工数もデバイスピッチも増やさず、デバイスの耐圧・RonA特性を損なうことなく、ホットキャリア耐性を改善できる絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。 - 特許庁