Then, a correlation line is set between substrate temperature indirectly measured by the upper pyrometer at the time of epitaxial growth onto a sample substrate 12 and haze of a sample substrate measured immediately after epitaxial growth, to indirectly measure a substrate temperature Tx by the upper pyrometer at the time of epitaxial growth onto a mass-production substrate. 次にサンプル基板12上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより間接測定した基板温度とエピタキシャル成長直後に測定したサンプル用基板のヘイズとの相関線を設定し、量産用基板上へのエピタキシャル成長時にアッパパイロメータにより基板温度Txを間接測定する。 - 特許庁
The controller 17 has a hydrogen amount quantifying means which applies the partial pressure of the hydrogen gas output from the analyzer 15 to a predetermined calibration curve to determine the discharge speed of the hydrogen gas discharged from the sample 20 and quantifies the amount of hydrogen contained in the sample from the discharge speed and a correlation specifying means for specifying the quantified hydrogen amount and the measured temperature output from the temperature sensor 14. コントローラ17は、分析計15から出力された水素ガス分圧を所定の検量線に当て嵌めて試料20から放出された水素ガスの放出速度を決定し、放出速度から試料20に含まれる水素量を定量する水素量定量手段と、定量した水素量と温度センサ14から出力された測定温度との相関関係を特定する相関関係特定手段とを有する。 - 特許庁