The microcrystal semiconductor thin film comprises a silicon as a main component having a central position of a low wave number side curve of 475 to 498 cm-1 and a half value of a low wave number side curve of 50 to 70 cm-1 when a spectrum obtained by a Raman scattering spectroscopic method is separated to two exponential function type curves. ラマン散乱分光法により得られたスペクトルを2つの指数関数型曲線に分離した際に低波数側曲線の中心位置が475cm^-1〜498cm^-1にありかつ低波数側曲線の半値幅が50cm^-1〜70cm^-1にある、シリコンを主成分とする微結晶半導体薄膜。 - 特許庁