「se s」を含む例文一覧(110)

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  • X expresses O, S, Se or NY.
    XはＯ、Ｓ、Ｓｅ又はNYを。 - 特許庁
  • In the formula, X represents Se or S; and R^1 and R^2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or a substituted aryl group.
    (式中、Xは、SeまたはSであり、R^1およびR^2は、水素原子、アルキル基、または置換アリール基である。) - 特許庁
  • Further, the plated layer may contain one or more kinds of elements selected from S, Se, Cl, Br, Na and K.
    なお、めっき層が、Ｓ、Se、Cl、Br、Na、Ｋのうちの１種以上の元素を含有してもよい。 - 特許庁
  • In July of 1959, the next year, the speed of the car reached 163 km/s in speed tests on the Tokaido main line, surpassing the speed record of Odakyu's SE cars.
    翌1959年7月には、東海道本線での速度試験で最高速度163km/hに達し、小田急SE車の速度記録を更新した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To suppress the production of an artifact and the decrease in S/N due to deterioration in characteristic resulting from the crystallization of a-Se (amorophous Se), as to an imaging device equipped with a solid-state detector including a layer consisting principally of a-Se.
    ａ−Ｓｅを主成分とする層を含む固体検出器を備えた画像撮像装置において、ａ−Ｓｅの結晶化により特性が劣化して生じるアーティファクトの発生や、Ｓ／Ｎの低下を抑える。 - 特許庁
  • T shows O, S, Se, N(R^1), C(R^2) (R^3) or C(R^4)=(R^5).
    Ｔは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ（Ｒ^１）、Ｃ（Ｒ^２）（Ｒ^３）またはＣ（Ｒ^４）＝Ｃ（Ｒ^５）を表す。 - 特許庁
  • The thin-film transistor contains a specific kind of an organic semiconductor material including S, Se, O and the like.
    Ｓ、Ｓｅ、Ｏ等を含む特定の種類の有機半導体材料を含有する薄膜トランジスタ。 - 特許庁
  • Further, as the inhibitor forming elements, small quantities of S, Se, Al, B or the like can further be added thereto.
    また、インヒビター形成元素としては更にＳ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｂなどを少量添加しても良い。 - 特許庁
  • Zn, Cd, of Hg is selected as the element of group II, and S, Se, Te, or O is selected as the element of group VI.
    II族元素としては、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、VI族元素としてはＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏが選択できる。 - 特許庁
  • When S ≥ Se is not set, a variable (i) is incremented in a step S55, and the step is returned to a step S15.
    Ｓ≧Ｓｅでなければ、ステップＳ５５で変数ｉをインクリメントして、ステップＳ１５に戻る。 - 特許庁
  • To provide a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer, a solar battery, a method for forming a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, and a method for forming a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer.
    Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２ 薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層の形成方法及びＣｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）_２薄膜層の形成方法を提供 - 特許庁
  • Preferably, prior to the hot-dip galvanization process, a compound containing an element X which is at least one of S, Cl, Na, K, Ni, C, N, B, Se and Br is deposited on the sheet surface satisfying [X]≥(1/600)×[M], and the sheet is subjected to recrystallization annealing.
    好ましくは、溶融亜鉛めっき処理を施すに先立ち、まず、元素XとしてS、Cl、Na、K、Ni、C、N、B、Se、Brの少なくとも１種以上を含有する化合物を、下記（１）式を満足するように鋼板表面に付着させ、次いで、再結晶焼鈍する。 - 特許庁
  • A composition contains a polymer having a repeating unit represented by the chemical formula, wherein Z is Se, S, O, NR, or PR; Y is NH, O, C(R)_2, N(R)_2, and S; X is O, S, Se, or NH; and E is a functional or a non-functional end group.
    下記式の繰返し単位を有するポリマーを含む組成物： （ＺはＳｅ、Ｓ、Ｏ、ＮＲ又はＰＲ；Ｙは、ＮＨ、Ｏ、Ｃ（Ｒ）_2、Ｎ（Ｒ）_2及びＳ；Ｘは、Ｏ，Ｓ、Ｓｅ又はＮＨ、そしてＥは、官能性又は非官能性末端基である。）。 - 特許庁
  • The method comprises reacting a compound represented by the following formula (wherein X denotes S or Se, either X or Y or both X and Y denote Se) with a mixture of at least one type of polyanion.
    次の式：（式中、ＸはＳ又はＳｅであり、Ｘ及びＹの一方又は両方はＳｅである）なる化合物、及び少なくとも１種のポリアニオンからなる混合物を反応させる。 - 特許庁
  • To obtain a grain oriented silicon steel sheet having good magnetic properties both in the L direction and C direction even if impurities such as Se, S, O and N are contained to some degree.
    Se，Ｓ，Ｏ，Ｎ等の不純物がある程度含有されていても、Ｌ方向およびＣ方向ともに良好な磁気特性を有する方向性電磁鋼板を得る。 - 特許庁
  • This latch circuit 3 is constituted so that the output of the control signal SE is started in accordance with the input of the set signal S and the output of the control signal SE is finished in accordance with the input of the detecting signal PO.
    このラッチ回路３は、セット信号Ｓの入力に応じて制御信号ＳＥの出力が開始され、検出信号ＰＯの入力に応じて制御信号ＳＥの出力が終了されるように構成されている。 - 特許庁
  • A reinforcing rubber body 10 having an inner end point Se of a tire shaft direction projecting over the tire shaft direction inside by making an external position P of the inner end point Se as a starting point is provided on a radial internal surface S of a bead core 5.
    ビードコア５の半径方向の内面Ｓに、そのタイヤ軸方向の内端点Ｓｅよりも外方位置Ｐを起点として前記内端点Ｓｅをタイヤ軸方向内側に越えて突出する補強ゴム体１０を設ける。 - 特許庁
  • Before the sticking treatment of the magnetite, a compound containing one or more kinds of elements selected from S, Se, Cl, Br, Na, K and C is preferably stuck to the surface of the steel sheet.
    なお、マグネタイト付着処理前に、鋼板表面にＳ、Se、Cl、Br、Na、Ｋ、Ｃのうちから選ばれた１種または２種以上の元素を含有する化合物を付着させることが好ましい。 - 特許庁
  • The ZnO-based semiconductor layer has light emitting peak wavelength of ultraviolet light and light emitting peak wavelength of visible light, wherein Se or S is added to ZnO.
    ＺｎＯ系半導体層は、ＺｎＯにＳｅまたはＳが添加され、紫外光の発光ピーク波長及び可視光の発光ピーク波長を持つ。 - 特許庁
  • LnCuO (S, Se, Te) MONOCRYSTALLINE THIN FILM, ITS MANUFACTURING METHOD AND OPTICAL DEVICE OR ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
    ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜とその製造方法、及び該単結晶薄膜を用いた光デバイス又は電子デバイス - 特許庁
  • The ion source layer 5 is constituted of at least one kind of metal element and at least one kind of chalcogen element out of Te, S and Se.
    イオン源層５は、少なくとも一種の金属元素と、Ｔｅ，ＳおよびＳｅのうち少なくとも一種類のカルコゲン元素とから構成される。 - 特許庁
  • In a succeeding step S50, a time integral value S of the PWM value is compared with a preset stopping determining reference value Se.
    続くステップＳ５０では、ＰＷＭ値の時間積分値Ｓを予め設定した停止判定基準値Ｓｅと比較する。 - 特許庁
  • To produce copper or a copper alloy good in hot workability even in the case impurities such as S, Se, Te, Bi, As, Sb and Pb are present to some degree.
    Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｐｂ等の不物物が或る程度存在していたとして、熱間加工性が良好な銅または銅合金を提供する。 - 特許庁
  • (1) The chalcogenide-based compound semiconductor contains Cu, Zn, Sn, an element X_3(=S and/or Se), and O as essential elements.
    （１）カルコゲナイト系化合物半導体は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、元素Ｘ_3（＝Ｓ及び／又はＳｅ）、及び、Ｏを必須元素として含む。 - 特許庁
  • The compounds are described by the formula (II) (wherein M is Rh or Ir; X is halogen; Y is O, S or Se; R is an aromatic hydrocarbon; and a, b and n are each an integer).
    化合物は（式中、Ｍ：Ｒh,Ir、Ｘ：ハロゲン、Ｙ：Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｒ：芳香族炭化水素、およびａ，ｂ，ｎ：整数をあらわす。） - 特許庁
  • Both the core (14) and the clad (16) are made of chalcogenide glass, that is, glass containing S, Se or Te.
    コア（１４）とクラッド（１６）は共に、カルコゲナイドガラス、即ちＳ，Ｓｅ又はＴｅを含むガラスからなる。 - 特許庁
  • MANUFACTURE OF PBX (X/S OR Se) THIN FILM, AND ELECTRO- LUMINESCENT ELEMENT CONTAINING PBX AND ITS MANUFACTURE
    ＰＢＸ（Ｘ＝Ｓ、Ｓｅ）薄膜の製造方法とＰＢＸを含む電界発光素子及びその製造方法 - 特許庁
  • Furthermore, at least one of S of 0.01-1 mass% and Se of 0.01-0.8 mass% is contained therein.
    さらに、０．０１〜１質量％のＳと０．０１〜０．８質量％のＳｅとの少なくともいずれかを含有する。 - 特許庁
  • The oxygen-free copper compound is suitably a compound of Cu and at least one kind of element selected from Sn, Sb, S and Se.
    酸素非含有銅化合物は、Ｃｕと、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｓ及びＳｅから選択される少なくとも１種の元素との化合物であることが好適である。 - 特許庁
  • In the Ti carbosulfides, Ti can be substituted with V or Zr, or, S can be substituted with Se or Te.
    なお、Ｔｉ炭硫化物は、ＴｉをＶやＺｒに置き換えたり、ＳをＳｅやＴｅに置き換えたりすることができる。 - 特許庁
  • To prevent shift of pn junction and prevent deterioration of crystal quality of optical layer by using Se or S as the dopant at the time of growth of lower guide layer and using Si as the dopant at the time of growth of upper guide layer.
    ｐｎ接合のシフトがなく、かつ高品質の発光層を有する半導体レーザの半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The steel contains ≤0.30% of one or more metals selected from S, Pb, Bi, Se, Te and Ca additionally.
    さらに加えて、Ｓ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｃａの１種以上を、０．３０％以下含有させたことを特徴とする耐摩耗性に優れた金型用鋼。 - 特許庁
  • A gap S between a pipe 4 erected through the opening 3b and the opening 3b per se is blocked with a cover 5.
    この開口部３ｂを介して立ち上げた配管４と開口部３ｂとの隙間Ｓを蓋５で閉塞する。 - 特許庁
  • This composition contains the polymeric material and an organic semiconductor material containing a partial structure represented by a formula 1 (wherein X represents S, Se or Te).
    下記一般式（１）で表される部分構造を有する有機半導体材料および高分子材料を含む組成物およびインク。 - 特許庁
  • A throat plate 120 is provided with a guide groove 124 and the cut-off end part Se of a bobbin thread S is guided to a needle eye 121.
    針板１２０にガイド溝１２４を設け、下糸Ｓの切断端部Ｓｅを針穴１２１へと誘導する。 - 特許庁
  • The fullerene compound is represented by formula (1) (wherein Fs are each independently fullerene or a fullerene derivative; Ms are each independently Co, Rh or Ir; Ws are each independently S or Se; and A is a tetravalent electron-donating group).
    下記一般式（１）で表されるフラーレン化合物、および、該フラーレン化合物を含む光電変換材料。 - 特許庁
  • This steel contains contaminants being Ti, Zr, or Ti-Zr compounds such as (Ti, Zr)_4(S,Se)_2C_2.
    介在物として、（Ｔｉ，Ｚｒ）_4（Ｓ，Ｓｅ）_2Ｃ_2などのＴｉ系−、Ｚｒ系−またはＴｉ−Ｚｒ系の化合物を含有する。 - 特許庁
  • This dichroic color is such that the dichroic color molecule has at least one kind of atom among S, Se and Te in the structure; wherein at least one kind of atom is characterized by having a valence of ≤3 and being bound to an oxygen atom or electron-attractive group.
    本発明に係る二色性色素は、二色性色素分子において、前記分子は構造中にS、Se、Teのうちの少なくとも１種の原子を有する二色性色素において、前記原子の少なくとも１つは３価以上の価数を有し、かつ酸素又は電子吸引性基と結合していることを特徴とする。 - 特許庁
  • A holding apparatus 4 for holding the tip part Se of the rubber sheet S from a calender roll apparatus 2, a conveyance apparatus 5 for conveying the sheet S, and an induction apparatus 6 for transferring the sheet S to the conveyance apparatus 5 are provided.
    カレンダロール装置２からのゴムシート先端部Ｓｅを把持する把持装置４と、ゴムシートＳを搬出する搬出装置５と、ゴムシートＳを搬出装置５に移し換えする誘導装置６とを具える。 - 特許庁
  • An epitaxial wafer containing a carrier at a high concentration is obtained by forming an Se-doped layer 3a, which is doped with Se (or Te or S) as an n-type dopant by a uniform doping method or a planar doping method on a compound semiconductor epitaxial wafer.
    化合物半導体エピタキシャルウェハに、ｎ型ドーパントとしてＳｅ（若しくはＴｅ、Ｓ）を均一ドープ法若しくはプレーナドープ法でドーピングしたＳｅドープ層３ａを形成することにより、高キャリア濃度のエピタキシャルウェハが得られる。 - 特許庁
  • A diagnosis circuit PC of a module 10a (10b) compares a sensing signal S_SE, which is outputted from a sensing circuit Se, for example, and is proportional to a collector current of an IGBT element, with a reference voltage and determines the occurrence of an abnormality in the collector current.
    モジュール１０ａ（１０ｂ）の診断回路ＰＣは、例えばセンシング回路Ｓｅから送出され、ＩＧＢＴ素子のコレクタ電流に比例するセンシング信号Ｓ_ＳＥを、基準電圧と比較することによって、コレクタ電流における異常の発生の有無を判定する。 - 特許庁
  • A benzenoid aromatic compound which has the dichalcogenide bond with at least S, or with either element of S, Se or Te is used as a positive electrode active substance, and then a nonaqueous secondary battery is constituted.
    少なくともＳとＳ、Ｓｅ、Ｔｅのいずれかの元素とのジカルコゲナイド結合を有するベンゼノイド芳香族化合物を正極活物質として用いて非水二次電池を構成する。 - 特許庁
  • Furthermore, when recording paper S is detected by a sheet detecting sensor SE, changeover of an image forming cycle is carried out according to the type of recording paper S.
    また，シート検出センサＳＥにて記録用紙Ｓが検出された場合には，画像形成サイクルが記録用紙Ｓの種類に応じて切り換えられる。 - 特許庁
  • Thus, when a needle thread T and the bobbin thread S are entangled to form the seam after sewing is started, the cut-off end part Se of the bobbin thread S to be pulled into the seam is smoothly and stably sewn into the seam.
    これにより、縫製開始後に上糸Ｔと下糸Ｓとが絡み合って縫目を形成するときに、縫目に引き込む下糸Ｓの切断端部Ｓｅを、円滑かつ安定的に縫目に縫い込んでいくことができる。 - 特許庁
  • As a result, since the length from the entangling position P1 to the holding position P2 in the bobbin thread S is reduced, the length of the cut-off end part Se of the bobbin thread S sewn to the lower surface of the cloth W to be processed is shortened.
    この結果、下糸Ｓにおける絡み位置Ｐ１から保持位置Ｐ２までの長さを低減することができるので、加工布Ｗの下面に縫い込まれていく下糸Ｓの切断端部Ｓｅの長さを短くすることができる。 - 特許庁
  • Thus, even when a needle thread T and the bobbin thread S are entangled to form the seam, the cut-off end part Se of the bobbin thread S to be pulled into the seam is smoothly guided to the needle eye 121 without moving wildly while following the guide groove 124.
    これにより、上糸Ｔと下糸Ｓとが絡み合って縫目を形成するときにも、縫目に引き込む下糸Ｓの切断端部Ｓｅを、ガイド溝１２４に倣いながら暴れることなく円滑に針穴１２１へと導くことができる。 - 特許庁
  • When detecting a return operation, the card R/W control part discharges the card (S 534), the notification is finished (S 538), and the account closing process is executed (SE 01).
    返却操作を検出するとカードＲ／Ｗ制御部がカードを排出して（Ｓ５３４）、報知が終了し（Ｓ５３８）、締め処理が行われる（ＳＥ０１）。 - 特許庁
  • A reinforcing rubber body 10 covered with a ply main body part 6a of carcass 6 and having a radial inner end 10e made uniform with an inner end Se of an inside surface S of a tire shaft direction of a bead core 5 is provided on the inside surface S.
    ビードコア５のタイヤ軸方向の内側面Ｓに、カーカス６のプライ本体部６ａにより覆われ、かつ半径方向内端１０ｅを前記内側面Ｓの内端Ｓｅに揃えた補強ゴム体１０を設ける。 - 特許庁
  • A high-boiling solvent, one or more metal salts and a chalcogen source containing one or more of Se, Te and S are heated to ≥170°C to thereby obtain nanoparticles of a chalcogen compound (a compound comprising one or more metal elements and one or more elements selected from Se, S and Te as constituent elements).
    高沸点溶媒を用いてカルコゲン化反応させる温度領域に昇温する際に、例えば硝酸塩のＣｕ（ＮＯ_３）_２、Ｉｎ（ＮＯ_３）_３をアンモニア水溶液によりＣｕとＩｎの水酸化物を共沈させる金属水酸化物又は脱水反応後の酸化物状態では、カルコゲン化反応において局所的に金属酸化物が発生し、ＣｕＩｎＳｅ系の化合物が単相で生成できない。 - 特許庁
  • In this small planing boat of overriding type configured to move forward by an engine, a rear cowling 1 is placed on a rear portion of a seat S, gap R is formed between the rear cowling 1 and the seat S or a deck D, a space Se communicated to the gap R is formed within the rear cowling 1, and the space Se and an engine room 20 is communicated to each other.
    エンジンによって推進するよう構成された騎乗型の小型滑走艇であり、シートＳ後部にリアカウリング１を設けるとともに、このリアカウリング１とシートＳあるいはデッキＤとの間に隙間Ｒを形成するとともに、リアカウリング１内に前記隙間Ｒに通じる空間Ｓｅを形成し、この空間Ｓｅとエンジンルーム２０とを連通させた。 - 特許庁
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