「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The resin layer of the second complex layer region is smaller in the coefficient of linear expansion than the resin layer of the first complex layer region.
    第2複合体層領域の樹脂層は、第1複合体層領域の樹脂層よりも線膨張率が小さい。 - 特許庁
  • Continuously, a second sacrificial layer 108 is provided on the structure layer, and an electrically conductive layer or the like is provided on the semiconductor layer.
    続けて構造層の上には第2の犠牲層108が設けられ、半導体層の上には導電層等が設けられる。 - 特許庁
  • The first recording layer 61 comprises an organic dye layer 61C and the second recording layer 62 comprises a phase transition type metal layer 62B.
    第1の記録層61を有機色素層61C、第2の記録層62を相変化型金属層62Bからなるものとする。 - 特許庁
  • A resin layer 4 and an irregular layer 5 with irregularities 5a are disposed between the first wiring layer 2 and the second wiring layer 3.
    第1配線層2と第2配線層3の間には、樹脂層4及び凹凸5aを有する凹凸層5が設けられる。 - 特許庁
  • On a base metal layer 6, a conductive resin layer is formed which has a first resin layer 7 and a second resin layer 8.
    下地金属層6上に、第一の樹脂層7及び第二の樹脂層8を有する導電性樹脂層を形成する。 - 特許庁
  • This fuel cell is formed with a first gas diffusion layer contacting a catalyst layer and a second gas diffusion layer contacting the first gas diffusion layer.
    燃料電池に、触媒層に接する第1ガス拡散層と、第1ガス拡散層に接する第2ガス拡散層と、を設ける。 - 特許庁
  • A second electrode layer 12 is formed on the second insulating layer 8, and part of the second electrode layer 12 is buried in openings 11a and 11b, which penetrate the second insulating film 8 to reach the inside of the first electrode layer 3 in the regions 6 and 7, so that the second electrode layer 12 is connected electrically to the first electric layer 3.
    第2の絶縁膜8上に第2の電極層12を設けるとともに、領域6,7内において第2の絶縁膜8を貫通して第1の電極層3の内部に至る各開口部11a,11b内に第2の電極層12の一部を埋め込んで第1の電極層3に電気的に接続する。 - 特許庁
  • The drift layer 2, first gate layer 3, source layer 4, channel layer 7, and second gate layer 8 are formed in an epitaxial layer, and at the same time an n^+ source layer 5 by ion implantation is formed at the surface layer section of the epitaxial layer 4 as a source layer.
    ドリフト層2と第1のゲート層3とソース層4とチャネル層7と第2のゲート層8はエピタキシャル層で形成されるとともに、ソース層とするためのエピタキシャル層4の表層部にはイオン注入によるn^+ソース層5が形成されている。 - 特許庁
  • A buffer layer 2, an intermediate layer 3, a first contact layer 4a, a first clad layer 5, an active layer 6, a second clad layer 7 and a second contact layer 4b are formed on a board 1, an insulating film 8 is provided on the surface of the layer 4a and the layer 4b, and an electrode 9 is provided.
    基板1上にバッファ層2、中間層3、第一のコンタクト層4a、第一のクラッド層5、活性層63、第二のクラッド層7、第二のコンタクト層4bを形成し、さらに第一のコンタクト層4aと第二のコンタクト層4bの表面上に絶縁膜8を設け、電極9を設けている。 - 特許庁
  • The optical medium sequentially comprises: a substrate; a first dielectric layer on the substrate; an active layer on the first dielectric layer and absorbing a laser beam; a second dielectric layer on the active layer; a recording layer needing no initialization on the second dielectric layer; and a third dielectric layer on the recording layer needing no initialization.
    光学媒体は、順に、基板と、基板上の第一誘電層と、レーザー光を吸収する第一誘電層上の活性層と、前記活性層上の第二誘電層と、第二誘電層上の初期化不要記録層と、初期化不要記録層上の第三誘電層と、からなる。 - 特許庁
  • An anode layer 102 is formed on a substrate 100, a first mixture layer 202 is formed on the anode layer 102, a mixture layer 200 is formed on the first mixture layer 202, a second mixture layer 204 is formed on the mixture layer 200 and a cathode layer 114 is formed on the second mixture layer 204.
    アノード層102を、基板100の上に形成し、第1混合層202を、アノード層102の上に形成し、混合層200を第1混合層202の上に形成し、第2混合層204を混合層200上に形成し、カソード層114を第2混合層204の上に形成する。 - 特許庁
  • A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.
    n型コンタクト層の上に、第一のn型層と、第二のn型層と、第三のn型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のp型層と、第二のp型層と、第三のp型層と、p型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁
  • A second resist layer is formed on a part 22 where the oxide layer is maximum in thickness, the oxide layer 12 is removed from the other parts 24 and 26 by etching using the second resist layer as a mask, and then the second resist is also removed.
    酸化物層が最大の厚さの部分22に、第2のレジスト層を形成し、これをマスクとして他の部分24,26の酸化物層をすべてエッチング除去し、第2レジストも除去する。 - 特許庁
  • The second mirror 1010 is a multilayer reflector formed of a first layer 1014 and a second layer 1012 that are alternately plurally laminated, the second layer having a refractive index higher than that of the first layer.
    前記第2のミラー1010は、第1の層1014と、該第1の層よりも高い屈折率を有する第2の層1012とを交互に複数積層して形成されている多層膜反射鏡である。 - 特許庁
  • Next, second reinforcing yarn 16A is spirally wound around the outer periphery of the first reinforcing layer 14 to form a second reinforcing layer 16 and an unvulcanized rubber is extruded to the second reinforcing layer 16 to form an outer surface layer 18.
    次に、第1の補強層14の外周に第2の補強糸16Aを螺旋状に巻回して第2の補強層16を形成し、その上に未加硫ゴムを押し出して外面層18を形成する。 - 特許庁
  • Further, a second wiring layer 7 is filled and formed inside the through-hole 3, and the second wiring layer 7 is inscribed in the first wiring layer 5 through the opening 6a of the second insulating layer 6.
    さらに、貫通孔3内に第2の配線層7が充填・形成され、この第2の配線層7は第2の絶縁層6の開口6aを介して第1の配線層5に内接している。 - 特許庁
  • The first layer is brought into contact with the second precursor at a second temperature different from the first temperature, by which the second layer of at least the one single- layer film thickness is chemically adsorbed on the first layer.
    前記第1温度とは異なる第2温度において、第1層は第2前駆体に接触され、前記第1層上に少なくとも1単層膜厚の第2層が化学吸着される。 - 特許庁
  • The second layer of the resin layer 103 adhering to the wiring layer 102 adheres to the first surface of a base layer 101 by the second heating processing at a second temperature which is higher than the first temperature.
    第1の温度より高い第2の温度における第2の加熱処理によって、配線層102に付着された樹脂層103の第2の層が、ベース層101の第1の面に付着される。 - 特許庁
  • On the first insulating layer 2, a second insulating layer 3 is laminated, and a second wiring 16 made principally of Cu is buried in a second groove 13 formed in the second insulating layer 3.
    また、第1絶縁層2上には、第2絶縁層3が積層され、この第2絶縁層3に形成された第2溝13には、Cuを主成分とする第2配線16が埋設されている。 - 特許庁
  • An active region is disposed between the first reflection layer and a second reflection layer.
    活性領域は、第1反射層と第2反射層との間に配置されている。 - 特許庁
  • Further, the first uppermost metal layer is connected with the first outside portion of the metal layer, and the second uppermost metal layer is connected with the second outside portion of the metal layer.
    第一最上部金属層は金属層の第一外側部分に接続され、かつ第二最上部金属層は金属層の第二外側部分に接続される。 - 特許庁
  • One embodiment combines a first layer of Ru with a second layer of B_4C.
    一実施態様では、Ruの第1層をB_4Cの第2層と組み合わせている。 - 特許庁
  • The first layer, the second layer, and the third layer are stacked in order so that the second layer is sandwiched between the other layers.
    本発明の発光素子の一は、対向するように設けられた第1の電極と第2の電極との間に、第1の層と、第2の層と、第3の層とを有する。 - 特許庁
  • Further, the cooling part 3 has a first mesh layer 5 and a second mesh layer 6.
    更に、冷却部3は、第1のメッシュ層5および第2のメッシュ層6を有する。 - 特許庁
  • A second conductive layer 100 is formed on the first dielectric layer 94.
    第1の誘電体層94の上には第2の伝導層100が形成される。 - 特許庁
  • The second ceramic layer has higher content rate of a glass component than that of the first ceramic layer.
    第2セラミック層は、第1セラミック層よりもガラス成分の含有率が高い。 - 特許庁
  • For example, a transparent conductive layer and a metal reflecting layer composed of indium oxide-tin is located on the second conductivity-type layer, to form an electrical contact with the second conductivity-type layer.
    例えば酸化インジウム・スズからなる透明導電層及び金属反射層は、第2導電型層の上あり、第2導電型層と電気的接触を形成する。 - 特許庁
  • Moreover, an upper electrode layer 8 is also formed on the surface of the second magnetic layer 6.
    そして、第2磁性層6の表面上に上部電極層8を形成する。 - 特許庁
  • The melting point of the first solder layer 4 is lower than that of the second solder layer 5.
    第1のはんだ層4の融点は、第2のはんだ層5の融点よりも低い。 - 特許庁
  • The melting point of the second solder layer 5 is lower than that of the first solder layer 4.
    第2のはんだ層5の融点は、第1のはんだ層4の融点よりも低い。 - 特許庁
  • Furthermore, a second insulating layer 6 for insulating a third metal layer 7 exists under the first metal layer 4 and the second metal layer 5.
    また、第1の金属層4及び第2の金属層5の下には第3の金属層7を絶縁するために第2の絶縁層6が存在している構成となっている。 - 特許庁
  • Furthermore, a second mask layer connected to the first mask layer is provided, the corresponding layer is flattened, and next layer conductor patterns (21 and 29) are provided on the first and second mask layers.
    さらに第1マスク層に連ねて第2マスク層を設けて当該層を平坦とし、これら第1,第2マスク層上に次層の導体パターン(21,29)を設ける。 - 特許庁
  • The n-type clad layer includes a first n-type clad layer made of AlGaInP and a second n-type clad layer made of AlInP, and the film thickness of the second n-type clad layer is 40-200 nm.
    n型クラッド層は、AlGaInPからなる第1のn型クラッド層とAlInPからなる第2のn型クラッド層とを含み、第2のn型クラッド層の層厚は40〜200nmである。 - 特許庁
  • A wiring circuit substrate includes a first wiring layer (5), a second wiring layer (7), and a contact wiring (6) electrically connecting with the first wiring layer and the second wiring layer.
    配線回路基板は、第1配線層(5)、第2配線層(7)、及び前記第1配線層と前記第2配線層を電気的に接続するコンタクト配線(6)を有する。 - 特許庁
  • The first resin layer is smaller in the tensile elastic modulus than the substrate and the second resin layer.
    第1樹脂層は、基板及び第2樹脂層に比し、引張弾性率が小さい。 - 特許庁
  • A second conductivity-type base layer 13 is formed on the charge storage layer 12.
    電荷蓄積層12上に第2導電型のベース層13が形成されている。 - 特許庁
  • Next, the first hot melt layer 4 and the second hot melt layer 7 are dried to harden.
    次に、第1ホットメルト層4と第2ホットメルト層7が乾燥されて固化される。 - 特許庁
  • Therefore, coma aberration generated on a recording layer which is a first layer of an optical disk or a recording layer which is a second layer can be corrected by the inclination of the second lens 4.
    従って、第2レンズ4の傾斜によって光ディスクの第1層目の記録層または第2層目の記録層に生じたコマ収差を補正することができる。 - 特許庁
  • The second dielectric layer is disposed on the first surface and covers the first wiring layer.
    第2誘電層が第1表面上に配置され、第1配線層を被覆する。 - 特許庁
  • The first conduction layer 84 and the second conduction layer 88 are formed into column-shape.
    第1導電層84および第2導電層88は、柱状に形成される。 - 特許庁
  • The first fibrous layer 12 and the second fibrous layer 13 are adjacently laminated over each other.
    第1繊維層12と第2繊維層13とは、隣接して積層されている。 - 特許庁
  • The second layer 12 has fine groove work formed on the face in contact with the first layer to form spaces 6 between the first layer 11 and the second layer 12.
    第二層12には、第一層11との接触面側に微細な溝加工が施され、第一層11と第二層12の間で空隙6が形成されている。 - 特許庁
  • The second metal layer 120 has a thickness greater than the first metal layer 110.
    第2金属層120が第1金属層110より大きな厚さを有する。 - 特許庁
  • The first hard coat layer 13a and the second hard coat layer 14 are formed to be separable from each other.
    第一ハードコート層と第二ハードコート層が剥離可能に形成されている。 - 特許庁
  • To provide a method of forming on the surface of a substrate a first solid layer which is suitable for activating a chemical reaction to form a second layer thereon.
    第一固体層(first solid layer)上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。 - 特許庁
  • The first metal layer 1 has a higher strength than that of the second metal layer 2.
    第1の金属層1は第2の金属層2より高い強度を有している。 - 特許庁
  • A second signal wiring layer 6 is formed on the first insulation substrate layer 5 and a third signal wiring layer 8 is formed on the second insulation substrate layer 7.
    また、第1の絶縁基板層5には第2の信号配線層6が設けられ、第2の絶縁基板層7には第3の信号配線層8が設けられている。 - 特許庁
  • The intermediate wiring is provided between the first conductive layer and the second conductive layer.
    中間配線は、第1導電層と第2導電層との間に設けられる。 - 特許庁
  • Because the volumetric ratio of the cells of the second layer L is larger than that of the first layer H, the refractive index of the second layer L is lower than that of the first layer H.
    第二層Lのセル体積率は、第一層Hのセル体積率よりも大きいため、第二層Lの屈折率が第一層Hの屈折率よりも低い。 - 特許庁
  • A thermal conductance of the first layer member 212 is less than a thermal conductance of the second layer member 214.
    第1層部材212は第2層部材214よりも熱コンダクタンスが小さい。 - 特許庁
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