「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • First and second dielectric layer 34, 35 are disposed on the ground conductor layer 30.
    グランド導体層３０の上に第１及び第２の誘電体層３４、３５を配置する。 - 特許庁
  • It is preferable to install the first layer at the outside and the second layer at the thermoplastic resin film side.
    好ましくは第１層が外側、第２層が熱可塑性樹脂フィルム側に設けられる。 - 特許庁
  • A second layer 4 is laminated on the first layer 3 in which the groove 6 is formed.
    第１溝６が形成された第１層３の上に第２層４が積層される。 - 特許庁
  • The laminated film is formed of at least a first layer and a second layer.
    少なくとも第１の層と第２の層とから形成されてなる積層フィルムである。 - 特許庁
  • The second conductivity-type diffusion layer 116 has a higher impurity concentration than the sinker layer 115.
    第２導電型拡散層１１６はシンカー層１１５より不純物濃度が高い。 - 特許庁
  • The second semiconductor layer may be formed above the first semiconductor layer by being apart therefrom.
    第２の半導体層は、第１の半導体層上に離間して設けられていてもよい。 - 特許庁
  • The first layer has a first projection part projecting from one side part of the second layer.
    第一層は、第二層の一側部から突出した第一張り出し部を有している。 - 特許庁
  • The thickness of the first thickness adjustment layer 9 and that of the second thickness adjustment layer 13 are different.
    前記第1の厚さ調整層9と前記第2の厚さ調整層13との厚さは異なる。 - 特許庁
  • Secondly, a second nitride gallium layer 6 is formed on a surface of the first nitride gallium layer 4.
    次に第１の窒化ガリウム層４の表面に第２の窒化ガリウム層６を形成する。 - 特許庁
  • The photomask 60 includes layers of a first light-shielding layer 64 and a second light-shielding layer 66.
    フォトマスク６０は、第１遮光層６４及び第２遮光層６６を積層される。 - 特許庁
  • The silicon nitride layer is etched by using the second mask layer to complete the nanoinprinting original plate.
    第二マスク層を使用して、窒化ケイ素層をエッチングし、ナノインプリンティング原版が完成する。 - 特許庁
  • The second silicide layer 263 is formed on the polysilicon layer 30 in a self-aligning manner.
    第２シリサイド層２６３は、ポリシリコン層３０の上に自己整合的に形成されている。 - 特許庁
  • The second superconductive layer 3a has an inside diameter larger than the outer diameter of the first superconductive layer 2.
    第二超電導層3aは、第一超電導層2の外径よりも大きな内径を有する。 - 特許庁
  • The semiconductor layer includes a first surface, a second surface facing opposite the first surface, and a light-emitting layer.
    半導体層は、第１の面と、その反対側の第２の面と、発光層とを有する。 - 特許庁
  • In a structural design of the layered catalyst composite, there are a first layer and a second layer made to coexist.
    層状触媒複合体の構造設計では第一層と第二層を存在させる。 - 特許庁
  • The shield structure is provided mainly with a first shield layer 510 and a second shield layer 520.
    シールド構造は主に第１のシールド層５１０と第２のシールド層５２０とを備えている。 - 特許庁
  • The carrier movement path between the source electrode and the drain electrode includes a first path in which carriers move through the channel layer, the buffer layer, the first contact layer and the second contact layer and a second path in which the carriers move through the channel layer and the second contact layer.
    ソース電極とドレイン電極との間におけるキャリアの移動経路は、チャネル層、バッファ層、第１コンタクト層及び第２コンタクト層を経由してキャリアが移動する第１経路と、チャネル層及び第２コンタクト層を経由してキャリアが移動する第２経路とを含む。 - 特許庁
  • (W) The method further includes the step of seeding hyphae on one of the first chip layer and the second chip layer.
    （Ｗ）菌糸を第１チップ層、第２チップ層のいずれかに蒔くステップを更に有する。 - 特許庁
  • The elongated members or the second layer has a thickness larger than that of the first layer.
    細長い部材又は第２層は、第１層の厚さよりも大きい厚さを有する。 - 特許庁
  • (2) The first diffusion layer part is compressed by contact pressure higher than the second diffusion layer part.
    （２）第１の拡散層部分が第２の拡散層部分より高い面圧で圧縮される。 - 特許庁
  • The second layer 21b moves to between the first layer 21a and the semiconductor region 13.
    第２の層２１ｂが第１の層２１ａと半導体領域１３との間に移動する。 - 特許庁
  • The elongated members or the second layer has a thickness greater than that of the first layer.
    細長い部材又は第２層は、第１層の厚さよりも大きい厚さを有する。 - 特許庁
  • The conductive core substrate 10 includes a first core layer 21 and a second core layer 22.
    導電性コア基板１０は第１のコア層２１及び第２のコア層２２を有する。 - 特許庁
  • Furthermore, the MAC layer data block is transferred to a lower layer through the second channel.
    また、ＭＡＣ階層データブロックは、前記第２チャネルを通じて下位階層に伝送される。 - 特許庁
  • The first insulating layer 103 has a smaller elastic modulus than the second insulating layer 104.
    第一の絶縁層１０３は第二の絶縁層１０４よりも弾性率が小さい。 - 特許庁
  • The first core layer enhances optical coupling efficiency from the light source to the second core layer.
    第１のコア層は、光源から第２のコア層までの光結合効率を向上させる。 - 特許庁
  • A second metal wiring layer 19 that consists of the Al alloy layer and a land area 21 are formed.
    Ａｌ合金層からなる第２メタル配線層１９及びランド部２１を形成する。 - 特許庁
  • The first layer interconnect line and the second layer interconnect line are connected together through Via at intersections.
    また、第１層の配線と第２層の配線は直交部でＶｉａで接続する。 - 特許庁
  • The second layer 13 is formed of a material having a higher level of thermal conductivity than the first layer 12.
    第２の層１２は、第１の層１１の熱伝導率よりも高い材質よりなる。 - 特許庁
  • Further, a second wiring layer 6 having a predetermined wiring pattern is provided on the insulating layer 3.
    また絶縁層３の上に所定の配線パターンを有する第２配線層６を設ける。 - 特許庁
  • The second compound semiconductor layer can be formed as, for example, an electron transit layer etc.
    またこのときの第２の化合物半導体層は、電子走行層などを例示できる。 - 特許庁
  • A first silicon layer 210 and a second silicon layer 230 include the same crystal orientations.
    第１のシリコン層２１０及び第２のシリコン層２３０は、同一の結晶配向を含む。 - 特許庁
  • Both the first graphite layer 171 and the second graphite layer 172 consist of graphite.
    第１の黒鉛層１７１、第２の黒鉛層１７２は、共にグラファイトで構成される。 - 特許庁
  • Ions are injected into the non-magnetic layer 52 from the surface of the second magnetic layer 53.
    第２磁性層５３の表面から非磁性層５２に向かってイオンが注入される。 - 特許庁
  • A third insulation layer is formed on the intermediate contact and the second insulation layer.
    第三の絶縁層をキャパシタ、中間コンタクトおよび第二の絶縁層の上に形成する。 - 特許庁
  • The first reinforcing layer 20 and the second reinforcing layer 22 include cords consisting of organic fibers.
    第一補強層２０及び第二補強層２２は、有機繊維からなるコードを含む。 - 特許庁
  • Then, a lower layer 8 of a second insulation layer is formed on the etching-resistant film 6.
    そして、その耐エッチング膜６の上に第２の絶縁層の下層部８を形成する。 - 特許庁
  • A diffraction grating comprises the InGsAsP semiconductor layer and the second clad layer.
    回折格子は、ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と第２クラッド層とによって構成される。 - 特許庁
  • The first adhesive layer 3 and the second adhesive layer 7 are composed of a urethane based adhesive.
    第１接着層３及び第２接着層７は、ウレタン系接着剤からなる。 - 特許庁
  • A second semiconductor spacer layer 19 is provided on the first semiconductor spacer layer 17.
    第２の半導体スペーサ層１９は、第１の半導体スペーサ層１７上に設けられる。 - 特許庁
  • The first conductive layer and/or the second conductive layer include carbon nanotube films.
    前記第一導電層及び／又は前記第二導電層は、カーボンナノチューブフィルムを含む。 - 特許庁
  • The second-layer pad is so provided as to cover the whole top side of the first-layer pad.
    前記２層目のパッドを、前記１層目のパッドの上側面全面を覆って設けた。 - 特許庁
  • To reduce dead spaces caused by a first intermediate conductive layer and a second intermediate conductive layer.
    第１中間導電層や第２中間導電層に起因したデッドスペースを削減する。 - 特許庁
  • A second buried insulating layer is provided on an upper surface of a first buried insulating layer.
    第１埋め込み絶縁層の上面に第２埋め込み絶縁層が設けられている。 - 特許庁
  • The first active layer 1 and the second active layer 2 are butt-joint connected to each other.
    第１の活性層１と第２の活性層２とが互いにバットジョイント接合されている。 - 特許庁
  • A third substrate and the intermediate layer are bonded via a second bonding layer.
    次に第３の基板と前記中間層とを第２の接着層を介して接着する。 - 特許庁
  • The first interconnection layer 4 is connected with the second interconnection layer 5 via a through hole 10.
    第１配線層４と第２配線層５はスルーホール１０を介して接続されている。 - 特許庁
  • In this process step, the width of the first layer 102 is made greater than the width of the second layer 103.
    この工程では、第１の層１０２の幅を第２の層１０３の幅以上とする。 - 特許庁
  • The second coating layer 6 is removed only by a specified length to expose the first coating layer 4.
    第２被覆層６を所定長だけ除去して、第１被覆層４を露出させる。 - 特許庁
  • The second layer 24 is formed to be dispersed on the first layer 22.
    第２層２４は、第１層２２上に分散して形成されていることを特徴としている。 - 特許庁
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