「selective effect」を含む例文一覧(57)
＜前へ 1 2- As a result, the following effects are obtained; the wave front of incident light fluctuates during two-beam interference exposure during a manufacturing process, the interference fringe structure has a slightly disturbing effect, the reflection spectral width is wide, the wavelength selective characteristic turns broad and the directivity of the reflected light is relieved.
これにより、製造プロセス中の２光束干渉露光時に入射光の波面がゆらぎ、干渉縞構造が若干乱れる作用を奏し、反射スペクトル幅が広く、波長選択特性がブロードになり、また、反射光の指向性も緩和されるという効果が得られる。 - 特許庁 - The magnetic memory of spin injection writing type comprises a memory cell 1 having a magnetoresistive effect element 3 whose one end is connected to a first node and a selective transistor 4 of which a first diffusion region is connected to the other end of the magnetoresistive effective element and the second diffusion region is connected to the second node.
スピン注入書き込み型磁気記憶装置は、一端が第１ノードに接続される磁気抵抗効果素子３と、第１拡散領域が磁気抵抗効果素子の他端に接続され、第２拡散領域が第２ノードに接続される選択トランジスタ４とを有するメモリセル１を含む。 - 特許庁 - By forming pad layers and raising the height of an intrinsic base layer relative to the source and drain of preexisting CMOS devices and by forming an extrinsic base through selective epitaxy, the effect of surface variations is minimized during a lithographic patterning of the extrinsic base.
パッド層を形成して、先在するＣＭＯＳデバイスのソースおよびドレインに対して真性ベース層の高さを隆起させることにより、かつ選択的エピタキシを介して外因性ベースを形成することにより、表面の凹凸の影響は、外因性ベースのリソグラフィによるパターン形成時に最小になる。 - 特許庁 - To provide a field-effect transistor manufacturing and etching methods that can (1) form a sidewall on condition of very high selective etching and reduce as much film decrease in an SOI layer as possible in a thin film SOI device, (2) have a stable and high current drive capability, and (3) realize a high yield.
薄膜ＳＯＩデバイスにおいて、▲１▼超高選択比エッチング条件にてサイドウォールを形成し、ＳＯＩ層の膜減の量を極力低減すること、▲２▼安定した高い電流駆動能力を持つこと、▲３▼高歩留まりを実現することの可能な電解効果トランジスタの製造方法及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.
ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Reflection of the external light can be reduced without damaging the light reutilizing effect by selective reflection of the light from a light source and color change of the oblique-incident light can be eliminated by incorporating the peaks except for wavelength of the transmitted light among the peak wavelengths of three primary colors of the light source of a backlight 24 into a reflection wavelength region of a cholesteric color filter layer 40.
コレステリックカラーフィルタ層４０の反射波長域が、バックライト２４の光源の３原色のピーク波長の内、透過する波長以外のピークを含むようにすることにより、光源側からの光の選択反射による光再利用の効果を損なわずに外光の反射を軽減し、さらに斜め光の色変化をなくすことができる。 - 特許庁 - Crude xanthophyll obtained by the solvent extraction of algae is purified by treating the xanthophyll with lipase in the presence of water under acidic condition at 4-90°C without adjusting the pH to effect the selective hydrolysis of neutral lipids (mono, di or triglyceride) existing as foreign materials, separating the lipase-treated liquid into oil and water and separating free fatty acids from the obtained oil layer.
藻類を溶媒抽出して得られる粗キサントフィルに水の存在下、ｐＨを調整することなく酸性条件下、温度４〜９０℃でリパーゼを作用させて、夾雑物である中性脂質（モノ−、ジ−、トリグリセライド）を選択的に加水分解し、そのリパーゼ酵素処理液を油水分離し、次いで分取した油層から遊離脂肪酸を分離することを特徴として構成されている。 - 特許庁
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