「selective memory」を含む例文一覧(119)
＜前へ 1 2 3- To provide a camera with which a stereoscopic image is effectively obtained without repeatedly photographing an object with reference to various objects, and many frames of stereoscopic photographs are taken without wasting the memory in the camera by enabling selective storage of only the optimum image.
様々な被写体に対し何度も撮り直しする必要がなく、効果的に立体画像を得られ、最適な像のみを選択記憶可能にしてメモリの無駄なく多くのコマの立体写真撮影を可能とするカメラを提供すること。 - 特許庁 - PMOS switch transistors SPa and SPb and NMOS switch transistors SNa and SNb constituting the selective transfer gates 15a and 15b are arranged on the opposite sides with a memory cell array 11 in-between.
そして、それぞれの選択トランスファーゲート１５ａ，１５ｂを構成する、ＰＭＯＳスイッチトランジスタＳＰａ，ＳＰｂおよびＮＭＯＳスイッチトランジスタＳＮａ，ＳＮｂが、それぞれ、メモリセルアレイ１１を挟んで反対側に配置されてなる構成となっている。 - 特許庁 - To provide a driving method of a liquid crystal display element having memory properties and performing display utilizing selective reflection of a cholesteric liquid crystal phase, by which contrast and a γ-curve are made appropriate and satisfactory display can be performed.
メモリ性を有し、コレステリツク液晶相の選択反射を利用して表示を行う液晶表示素子或いは該素子を含む液晶表示装置を、コントラスト及びγ曲線を適切なものとし、良好な表示を行わせる。 - 特許庁 - To provide a means which improves magnetic field generating efficiency from a writing wiring, and further increases the allowable range of values for a rewriting current in order to prevent error writing to semi-selective cell, when writing is conducted, in a solid magnetic memory using a tunnel junction element.
トンネル接合素子を用いた固体磁気メモリにおいて、書き込み配線からの磁界発生効率を高める、さらに書き込み時の半選択セルへの誤書き込みを防ぐため書き換え電流値の許容幅を高める手段を提供する。 - 特許庁 - A voltage of 5V generated by a voltage supply circuit 101 and a voltage of -5 V, which is obtained by polarity inversion of the 5 V by a voltage-polarity inversion circuit 111, are supplied to the memory cell array 102 by a selective connection circuit 105.
電圧供給回路１０１で生成した５Ｖの電圧と、この５Ｖの電圧の極性を電圧極性反転回路１１１反転してなる−５Ｖの電圧とを、選択接続回路１０５によってメモリセルアレイ１０２に供給する。 - 特許庁 - If it is determined that the selective reduction type NOx catalyst 4 does not normally function, the cumulative traveling information is stored in the nonvolatile memory 10 when it is determined that the operating mode of the vehicle is the ordinary use mode.
選択式還元型ＮＯｘ触媒４が正常に機能していない旨判断された場合において、車両の稼動モードが通常使用モードである旨判別したときには車両の累積走行情報を不揮発性メモリ１０に記憶する。 - 特許庁 - In this MRAM(magnetoresistive random access memory) structure, a word line or a gate line (WL) is low-ohm-coupled to a programming line (PRL), a potential of a source (S) of a selective transistor (T) can be made same as that of the programming line (PRL).
本発明のＭＲＡＭ構造では、ワード線またはゲート線（ＷＬ）がプログラミング線（ＰＲＬ）と低オーム結合されており、選択トランジスタ（Ｔ）のソース（Ｓ）を、ゲート（Ｇ）またはプログラミング線（ＰＲＬ）と同様の電位とすることが可能となっている。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a floating gate memory structure, the floating gate is composed of a single crystal semiconductor material, and is grown epitaxially on a single crystal substrate by selective epitaxial growth for growing in the lateral direction on a tunnel oxide layer 2.
フローティングゲートメモリ構造を作製する方法に関し、フローティングゲートは単結晶半導体材料からなり、トンネル酸化物層２の上に横方向に成長する、選択エピタキシャル成長により、単結晶基板上にエピタキシャル成長される。 - 特許庁 - The reflection type liquid crystal display device consists of a liquid crystal display element 100 having a memory property, wherein display is performed by utilizing selective reflection of a cholesteric liquid crystal phase, and a frontlight 50 for illuminating the liquid crystal display element 100 from the observation side of the element 100.
コレステリック液晶相の選択反射を利用して表示を行うメモリ性を有する液晶表示素子１００と、液晶表示素子１００の観察側から該素子１００を照明するためのフロントライト５０とからなる反射型液晶表示装置。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistive effect element having proper magnetic characteristics and a magnetic memory device, provided with the magnetoresistive effect element and securing a while margin for a selective recording, by suppressing repeated variations of turnover magnetic field of a free of magnetizing layer.
磁化自由層の反転磁界の繰り返しばらつきを抑制することにより、良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、並びにこの磁気抵抗効果素子を備えて選択記録のマージンを広く確保することができる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - When the user selects music data to be reproduced by operating an operation part 2, the selective music data is reproduced and one is added concerning the times of reproduction of the music data under reproduction in a reproduction history table which is stored in the memory 3a of a CPU 3.
ユーザが操作部２を操作して再生する音楽データを選択すると、選択された音楽データが再生されるとともに、ＣＰＵ３内のメモリ３ａに記憶されている再生履歴表において再生している音声データの再生回数が＋１加算される。 - 特許庁 - To provide an electronic apparatus, an electric power source control program for the electronic apparatus, and an electric power source control method therefor, capable of using a plurality of modules built in at least with a memory, and capable of reducing an electric power consumption when storing data simultaneously, to allow selective use of the modules.
メモリを少なくとも内蔵したモジュールを複数使用する一方、データの一斉保存時に電力消費の削減を図ってこれらのモジュールの選択的な使用を可能にする電子機器、電子機器の電源制御プログラムおよび電源制御方法を得ること。 - 特許庁 - When a CPU(Central Processing Unit) 37 executes a module PM-1 with concealment, while the CPU 37 accesses to an internal memory 32, a switch circuit 34 and a selective circuit 36 are made into non-connected states so as to intercept an access from the outside of a semiconductor chip 31 to a CPU data bus 40.
ＣＰＵ３７が、秘匿性のあるモジュールＰＭ＿１を実行する場合に、ＣＰＵ３７が内部メモリ３２にアクセスしている間、スイッチ回路３４および選択回路３６を非接続状態にして、半導体チップ３１の外部からＣＰＵデータバス４０へのアクセスを遮断する。 - 特許庁 - In a CVD method, a selective deposition phenomenon wherein IrO_2 is deposited only on Ir (IrO_2) and hardly deposited on material like SiO_2 in a condition range is used, and the FRAM which is provided with a memory capacitor having an electrode of three-dimensional structure is constituted.
ＣＶＤ法において、ある条件範囲では、Ｉｒ（ＩｒＯ_2）上にのみＩｒＯ_2が堆積し、ＳｉＯ_2等の材料上ではほとんどＩｒＯ_2は堆積しないという選択的堆積現象を利用して、立体構造の電極を有するメモリキャパシタを備えたＦＲＡＭを構成する。 - 特許庁 - The semiconductor memory device includes first and second diodes serially connected between two power sources having different potentials, formed of a nanowire, and presenting a negative differential resistance, and a selective transistor connected to a connection part of the first diode and the second diode.
２つの異なる電位の電源間に直列接続され、ナノワイヤで形成され、負性微分抵抗を示す第１および第２のダイオードと、第１のダイオードと第２のダイオードとの接続部に接続される選択トランジスタと、を有することを特徴とする半導体記憶装置である。 - 特許庁 - A liquid crystal layer 10 constituted by including a plurality of microcapsules which indicate the change in the selective reflection reacting with the electric field applied between transparent electrodes 2 and another electrodes 2 and is sealed with the liquid crystal having the memory characteristic is formed between the transparent electrodes 2 and another electrodes 2.
透明電極２と別の電極２との間に、透明電極２と別の電極２間に与えた電界に反応した選択反射の変化を示すと共にメモリ性を有する液晶が封入されたマイクロカプセルの複数個を含んで構成される液晶層１０を形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device is equipped with a liquid crystal display element 10 having laminated layers of display layers 11B, 11G, 11R using selective reflection of a chiral nematic liquid crystal, driving circuits 103, 104, 105 for those elements, a circuit 106 to detect the temperature of the element 10, a controller 107, and a temperature compensation table memory 109.
カイラルネマティック液晶の選択反射を利用した表示層１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒを積層した液晶表示素子１０と、それらの駆動回路１０３，１０４，１０５と、素子１０の温度を検出するための回路１０６と、コントローラ１０７と、温度補償テーブルメモリ１０９とを備えた液晶表示装置。 - 特許庁 - A control unit reads the printing job set information corresponding to this selected utility object from an internal memory when the utility object is selected from previously registered variations by the selective input using an operation unit by the user, and reflects this read printing job set information to this printing job.
制御部は、ユーザによる操作部を用いた選択入力によって、予め登録されているバリエーションのなかから利用目的が選択されたとき、当該選択された利用目的に対応する印刷ジョブ設定情報を、内部メモリから読み出すとともに、当該読み出した印刷ジョブ設定情報を、当該印刷ジョブに反映させる。 - 特許庁 - An information address rewrite means 41 or 41' provided to a control section 4' selects a selection item stored in an EEPROM10 so as to specify a corresponding address and to replace part of information addresses stored in an ID-ROM 2' of a nonvolatile memory with the selected item and stores the rewritten address to the ID-ROM 2' in this wireless selective calling receiver.
制御部４′に設けられた、情報アドレス書き換え手段４１または４１′により、不揮発性メモリのＩＤ−ＲＯＭ２′内に記憶された情報アドレスの一部を、ＥＥＰＲＯＭ１０に記憶された選択項目から選択することにより対応するアドレスを特定し書き換え、ＩＤ−ＲＯＭ２′に記憶する無線選択呼出用受信機である。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
