Then, a pattern forming process is carried out for the transparent conductive layer, a source and a drain are formed, an active layer is formed in such a manner that the source, the drain, and the dielectric layer are covered, and a self-alignment TFT structure is completed. 次に、該透明導電層にパターン形成プロセスを実行して、ソースとドレインとを形成し、ソース、ドレイン、及び誘電体層を覆うようアクティブ層を形成して、自己整合TFT構造体が完成する。 - 特許庁