「self refresh」を含む例文一覧(211)
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セルフリフレッシュ回路及びセルフリフレッシュ方法 - 特許庁 - SELF-REFRESH CONTROL DEVICE
セルフリフレッシュ制御装置 - 特許庁 - SELF REFRESH CONTROL CIRCUIT
セルフリフレッシュ制御回路 - 特許庁 - SELF-REFRESH CONTROL CIRCUIT AND SELF-REFRESH CONTROL METHOD
セルフ・リフレッシュ制御回路およびセルフ・リフレッシュ制御方法 - 特許庁 - SELF REFRESH TIMER CIRCUIT, AND SELF REFRESH TIMER PERIOD ADJUSTING METHOD
セルフリフレッシュタイマ回路及びセルフリフレッシュタイマ周期調整方法 - 特許庁 - SELF-REFRESH TERM CONTROL CIRCUIT
セルフリフレッシュ周期制御回路 - 特許庁 - To provide a self-refresh control device by which the transition of a DRAM to a self-refresh mode is performed easily.
ＤＲＡＭのセルフリフレッシュモードへの遷移を容易に行う。 - 特許庁 - DYNAMIC SELF-REFRESH DISPLAY MEMORY
ダイナミック自己リフレッシュディスプレイメモリ - 特許庁 - SELF REFRESH CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
セルフリフレッシュ制御回路、半導体装置 - 特許庁 - MEMORY DEVICE CONTROL FOR SELF-REFRESH MODE
セルフリフレッシュ・モードのためのメモリ・デバイス制御 - 特許庁 - SELF-REFRESH CONTROL DEVICE FOR DYNAMIC RAM
ダイナミックＲＡＭのセルフリフレッシュ制御装置 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which refresh is started directly in a self-refresh mode without entering auto-refresh during entry of self-refresh.
セルフリフレッシュのエントリ時に、オートリフレッシュとならず直接にセルフリフレッシュのモードにてリフレッシュが開始される半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - TEMPERATURE DEPENDENT SELF REFRESH MODULE FOR MEMORY DEVICE
メモリデバイス用の温度依存性セルフリフレッシュモジュール - 特許庁 - In partial array self-refresh operation, during operation, generation of a row address is controlled by a row address counter, a self-refresh cycle generating circuit is controlled, and self-refresh operation is performed by adjusting a self-refresh cycle output from the self-refresh cycle generating unit.
部分アレーセルフリフレッシュ動作は、動作の間、ローアドレスカウンターによってローアドレスの発生を制御し、セルフリフレッシュサイクル発生回路を制御し、該セルフリフレッシュサイクル発生器からのセルフリフレッシュサイクル出力を調節することによって実行される。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SELF-REFRESH TEST METHOD
半導体記憶装置及びセルフリフレッシュテスト方法 - 特許庁 - To suppress power consumption in self-refresh relieving a refresh defective cell by multiplex refresh.
多重リフレッシュによってフレッシュ欠陥セルを救済しつつ、セルフリフレッシュ時の消費電力を抑制する。 - 特許庁 - To test a partial array self-refresh function at high speed.
パーシャルアレイセルフリフレッシュ機能を高速にテストする。 - 特許庁 - Thus, a test of the partial array self refresh function can be performed without actually entering a self refresh mode.
これにより、実際にセルフリフレッシュモードにエントリすることなくパーシャルアレイセルフリフレッシュ機能のテストが行える。 - 特許庁 - MEMORY DEVICE WHICH PERFORMS STABLE SELF-REFRESH OPERATION, AND CONTROL SIGNAL GENERATING METHOD OF SELF REFRESH CYCLE
安定したセルフリフレッシュ動作を行うメモリ装置及びセルフリフレッシュ周期の制御信号生成方法 - 特許庁 - To reduce power consumption during a self-refresh mode by preventing the self-refresh mode from being erroneously released.
セルフリフレッシュモードが誤って解除されないようにし、セルフリフレッシュモード時の消費電力も低減する。 - 特許庁 - DC BURN-IN TEST OF DRAM WITH SELF-REFRESH FUNCTION
自己リフレッシュ機能付きＤＲＡＭのＤＣバ—ンイン・テスト - 特許庁 - At the time of the self-refresh operation, a delay circuit 22 outputs a delay signal ZBBUD responding to a self-refresh instruction signal ZBBU outputted form a self-refresh switching circuit 5.
セルフリフレッシュ動作時、遅延回路２２は、セルフリフレッシュ切換回路５から出力されたセルフリフレッシュ指示信号ＺＢＢＵに応答し、遅延信号ＺＢＢＵＤを出力する。 - 特許庁 - A self-refresh cycle is adjusted by a method reducing consumption of a current during partial array self-refresh operation.
セルフリフレッシュサイクルは、部分アレーセルフリフレッシュ動作中の電流の消耗を減少させる方法で調整される。 - 特許庁 - SELF-REFRESH CIRCUIT WITH OPTIMIZED POWER CONSUMPTION
電力消費量が最適化されているリフレッシュ回路 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS SELF-REFRESH CONTROL METHOD
半導体記憶装置及びそのセルフリフレッシュ制御方法 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR SETTING MEMORY TO SELF-REFRESH STATE
メモリをセルフリフレッシュ状態にする装置および方法 - 特許庁 - Release of a self-refresh mode can be executed in arbitrary timing, and a rule of a time from the release of the self-refresh mode to the auto-refresh start is satisfied.
セルフリフレッシュモードの解除を任意タイミングで実行でき、セルフリフレッシュモードの解除からオートリフレッシュ開始までの時間の規定を満足する。 - 特許庁 - The semiconductor memory device includes a first refresh cycle changing means 141 for changing the refresh cycle according to an auto-refresh mode without affecting the refresh cycle according to a self-refresh mode and a second refresh cycle changing means 142 for changing the refresh cycle according to the self-refresh mode without affecting the refresh cycle according to the auto-refresh mode.
セルフリフレッシュモードによるリフレッシュ周期に影響を与えることなく、オートリフレッシュモードによるリフレッシュ周期を変更する第１のリフレッシュ周期変更手段１４１と、オートリフレッシュモードによるリフレッシュ周期に影響を与えることなく、セルフリフレッシュモードによるリフレッシュ周期を変更する第２のリフレッシュ周期変更手段１４２を備える。 - 特許庁 - The device includes: a first refresh cycle changing means 141 for changing the refresh cycle according to an auto-refresh mode without affecting the refresh cycle according to a self-refresh mode; and a second refresh cycle changing means 142 for changing a refresh cycle according to self-refresh mode without affecting the refresh cycle according to auto-refresh mode.
セルフリフレッシュモードによるリフレッシュ周期に影響を与えることなく、オートリフレッシュモードによるリフレッシュ周期を変更する第１のリフレッシュ周期変更手段１４１と、オートリフレッシュモードによるリフレッシュ周期に影響を与えることなく、セルフリフレッシュモードによるリフレッシュ周期を変更する第２のリフレッシュ周期変更手段１４２を備える。 - 特許庁 - At the time of a self-refresh mode, power source voltage is supplied to only a test refresh system circuit and refresh operation is performed.
セルフリフレッシュモード時テストリフレッシュ系回路に対してのみ電源電圧を供給してリフレッシュ動作を実行させる。 - 特許庁 - The start of self-refresh is detected by a self-refresh start trigger generation circuit 1 and a change of the upper addresses is detected by a refresh address change detection circuit 2.
セルフリフレッシュ開始トリガ発生回路１によってセルフリフレッシュの開始を検知し、リフレッシュアドレス変化検知回路２によって上位アドレスの変化を検知する。 - 特許庁 - To provide a memory control unit capable of efficient data transmission and reception, having a low power consumption mode such as self-refresh by means of a clock enable signal, in addition to refresh, in case that the memory being connected is a synchronous DRAM, and capable of efficiently performing the refresh and the self-refresh.
効率よくデータの送受信が可能であり、また、接続されるメモリが同期式のＤＲＡＭの場合、セルフリフレッシュを効率よく行い、低電力化を図る。 - 特許庁 - SELF-REFRESH CONTROLLER AND STORAGE MEDIUM STORING PROGRAM
セルフ・リフレッシュ制御装置及びプログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device performing partial refresh in which a refresh target can be specified independently in accordance with respective situation of self-refresh and auto-refresh.
セルフリフレッシュとオートリフレッシュのそれぞれの事情に応じ、独立にリフレッシュ対象が指定可能な部分的リフレッシュを行う半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - When a mode is switched externally to a self-refresh mode, an external address immediately before switching to a self-refresh mode is latched to a latch circuit 3.
外部からセルフリフレッシュモードに切り換わる際、セルフリフレッシュモードに切り換わる直前の外部アドレスをラッチ回路３にラッチする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory in which a self-refresh current is reduced by automatically executing partial self-refresh operations without performing setting for the partial self-refresh operations with a mode resister, etc., from the outside.
外部からモードレジスタ等で設定をする必要はなく、自動的に部分的なセルフリフレッシュ動作を実行することによりセルフリフレッシュ電流を低減した半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The memory device completes refresh operations for the current refresh row before proceeding to perform self-refresh operations for new rows.
前記メモリ装置は、新しいロウに対してセルフリフレッシュ動作を行う前に前記現在リフレッシュロウに対するリフレッシュ動作を完了する。 - 特許庁 - As a result, self-refresh to a block in which refresh is unnecessary is avoided to reduce the current consumption.
これにより、リフレッシュが不要なブロックに対するセルフリフレッシュが回避され、消費電流が低減される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of reducing the time required for exiting from a self-refresh operation by reducing a peak current value during the self-refresh operation.
セルフリフレッシュのピーク電流値を低減し、セルリフレッシュからのＥｘｉｔ時間を短縮する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - This memory is provided with a VBB level changing circuit 12 shallowing negative voltage VBB applied as substrate voltage in accordance with shift to a self-refresh mode and a refresh cycle frequency divider 10 lengthening a self-refresh period in accordance with shift to the self-refresh mode.
セルフリフレッシュモードへの移行に応じて基板電圧として印加される負電圧ＶＢＢを浅くするＶＢＢレベル変更回路１２と、セルフリフレッシュモードへの移行に応じてセルフリフレッシュの周期を長くするリフレッシュサイクル分周器１０とを設けた。 - 特許庁 - The device is allowed to enter a self-refresh mode before auto-refresh operations have been completed for all banks and the current refresh row.
前記装置はあらゆるバンク及び現在リフレッシュロウに対してオートリフレッシュ動作が完了する前にセルフリフレッシュモードに進入することができる。 - 特許庁 - To effectively utilize WRITE operation to a test of a self-refresh mode by enabling WRITE operation even during self-refresh of a semiconductor memory device.
半導体記憶装置のセルフリフレッシュ時にもＷＲＩＴＥ動作を可能にし、これをセルフリフレッシュモードのテストに有効に利用できるようにする。 - 特許庁 - A power voltage Vcc1 is supplied to a circuit 300, which is required for a self refresh, and a refresh is executed.
セルフリフレッシュに必要な回路３００には、電源電圧Ｖｃｃ１が供給されリフレッシュが行われる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit in which a refresh-life is improved and a self-refresh current is reduced.
リフレッシュ寿命の向上を図り、セルフリフレッシュ電流を低減した半導体集積回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a self-refresh control method capable of extending a refresh period and reducing current consumption.
リフレッシュ周期の長期化を図り、消費電流を低減可能なセルフリフレッシュ制御方法等を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor memory device includes a refresh timer 38 deciding a refresh period at the time of self-refresh, and the refresh timer 38 comprises a voltage adjusting circuit 51, a ring oscillator 52, and a counter 53.
半導体記憶装置はセルフリフレッシュ時のリフレッシュ周期を決定するリフレッシュタイマ３８を含み、リフレッシュタイマ３８は、電圧調整回路５１と、リングオシレータ５２と、カウンタ５３とからなる。 - 特許庁 - Upon exiting a self-refresh mode, the bank address counter assumes a second predetermined value.
自己リフレッシュモードを抜け出すと、バンクアドレスカウンターは第２の所定値を持つ。 - 特許庁 - To reduce current consumption at self-refresh mode under a condition of room temperature.
室温条件下におけるセルフリフレッシュモード時の消費電流を低減する。 - 特許庁 - To provide a memory device that performs stable self-refresh operation in response to a change in temperature and a self-refresh control signal generating method.
温度変化に対し、安定したセルフリフレッシュ動作を行うメモリ装置、及び、セルフリフレッシュ制御信号生成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The semiconductor memory device having a self-refresh function is provided with a circuit means in which data write-in operation for a memory cell can be performed during self-refresh.
セルフリフレッシュ機能を有する半導体記憶装置に、セルフリフレッシュ時にメモリセルへのデータ書き込み動作を可能にさせる回路手段を備えた。 - 特許庁
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