A light emitting device is obtained by fabricating a device structure on the composite self-standing substrate 10 and removing the GaN layer 11 by back lapping from back face of the GaN layer 11 until reaching the AlN layer 12. 発光デバイスは、この複合自立基板10上にデバイス構造を形成した後、バックラップによりGaN層11の裏面からAlN層12に到達するまでGaN層11を除去することにより形成する。 - 特許庁