「self-reactance」を含む例文一覧(6)

  • When a switch A10 connects contacts a1, c1, the self-adjustment/external control switching variable reactance section 1 acts as a variable reactance section for changing a reactance value on the basis of the control signal.
    自己調整・外部制御切替可変リアクタンス部1では、スイッチA10にてa1とc1とを接続した場合には、制御信号によりリアクタンス値を変化させる可変リアクタンス部になる。 - 特許庁
  • A self-inductance value of the primary induction coil 51 and a self-inductance value of the secondary induction coil 62 are set to cancel a capacitive reactance component of the matching device 70.
    整流器70の容量性リアクタンス成分を打ち消すように1次側誘導コイル51の自己インダクタンス値および2次側誘導コイル62の自己インダクタンス値が設定されている。 - 特許庁
  • When the switch A10 connects contacts a1, b1, on the other hand, and a transmission signal with a voltage V_AC is received, a rectification action of the varactor diode 13 causes V_DC, I_D, and acts as a self-adjustment variable reactance section where its own reactance value is changed to reach a resonance state.
    一方、a1とb1を接続した場合では、V_ACの電圧を持つ送信信号が入力されると可変容量ダイオード13の整流作用によりV_DC、I_Dが生じ、自身のリアクタンス値が変化して共振状態に近づく自己調整可変リアクタンス部になる。 - 特許庁
  • A variable reactance element such as a variable capacitance diode whose capacity is changed according to bias voltage to be applied is installed so that the oscillation frequencies of a self-excitation local oscillation mixer can be controlled.
    印加するバイアス電圧により、容量が変化する可変容量ダイオードのような可変リアクタンス素子を装荷することにより、自励局部発振ミクサの発振周波数を制御できるようにした。 - 特許庁
  • A self-adjustment/external control switching variable reactance section 1 includes: a capacitor A16 for receiving a transmission signal input; a buffer 18 for receiving a control signal input; an inductor 14; a varactor diode 13; resistors B21, B15; a capacitor B15; a fixed voltage power supply 12; a circuit ground 19; a filter 11; and an amplifier 17.
    送信信号入力を受ける容量A16と、制御信号入力を受けるバッファ18と、インダクタ14と、可変容量ダイオード13と、抵抗A20と、抵抗B21と、容量B15と、固定電圧電源12と、回路グランド19と、フィルタ11と、増幅器17とを備える。 - 特許庁
  • To provide a monolithic microwave integrated circuit chip package for employing a flip-chip packaging technology that a mismatching of reactance caused by a parasitic capacitance or parasitic inductance and self-resonance can be minimized, and heat dissipation from the monolithic microwave integrated circuit can be increased.
    寄生容量や寄生インダクタンスに起因するリアクタンスの不整合ならびに自己共振を最小限にすることができ、モノリシックマイクロ波集積回路から熱の散逸を増大させることができるフリップ・チップ実装技術を用いたモノリシックマイクロ波集積回路チップパッケージを提供する。 - 特許庁

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