「semiconductor diffusion」を含む例文一覧(1687)
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拡散炉半導体製造装置 - 特許庁 - HEAT DIFFUSION MEMBER, MANUFACTURING METHOD OF THE HEAT DIFFUSION MEMBER, AND SEMICONDUCTOR MODULE
放熱部材及びその製造方法、並びに半導体モジュール - 特許庁 - IMPURITY DIFFUSION METHOD TO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
半導体基板への不純物拡散方法 - 特許庁 - DIFFUSION REGION FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体素子の拡散領域形成方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE FOR SPECTRAL DIFFUSION TYPE RADAR SYSTEMS
スペクトル拡散型レーダ装置用半導体装置 - 特許庁 - DIFFUSION FURNACE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS
拡散炉及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING MULTIPLE DIFFUSION PREVENTION FILM
多重拡散防止膜を備える半導体素子 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR WAFER DIFFUSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体ウエハの拡散装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING CURRENT DIFFUSION LAYER
電流拡散層を含む半導体発光装置 - 特許庁 - METHOD OF FORMING ANTI-DIFFUSION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体素子の拡散防止膜形成方法 - 特許庁 - LATERAL TYPE DIFFUSION FURNACE FOR MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
半導体素子の製造プロセス用横型拡散炉 - 特許庁 - A semiconductor device, comprising a P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, is formed on the bulk semiconductor substrate.
Ｐ^+ 拡散領域とＮ^+ 拡散領域を備えた半導体装置をバルク半導体基板に形成する。 - 特許庁 - ZINC DIFFUSION METHOD TO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND HEATING METHOD FOR THE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
半導体基板への亜鉛拡散方法、半導体基板の加熱方法。 - 特許庁 - LATERAL DIRECTION DIFFUSION TYPE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE
横方向拡散型電界効果型半導体装置 - 特許庁 - The semiconductor substrate 110 has a diffusion layer 14.
半導体基板１１０は、拡散層１４を有する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING ACID DIFFUSION
酸拡散を利用する半導体素子の製造方法 - 特許庁 - THERMAL DIFFUSION FURNACE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR
熱拡散炉及び半導体用基板の製造方法 - 特許庁 - To rationalize diffusion process of a semiconductor device.
半導体装置における拡散工程の合理化を図る。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING DIFFUSION BARRIER FILM
拡散バリアフィルムを含む半導体素子の形成方法 - 特許庁 - The first semiconductor substrate 2 includes a P+ diffusion layer 4 and an N+ diffusion layer 13.
第１半導体基板２はＰ^+拡散層４とＮ^+拡散層１３を含んでいる。 - 特許庁 - The second semiconductor substrate 3 includes a P+ diffusion layer 24 and an N+ diffusion layer 33.
第２半導体基板３はＰ^+拡散層２４とＮ^+拡散層３３を含んでいる。 - 特許庁 - A vertical-type diffusion furnace is used as a diffusion furnace, and vapor-phase diffusion is performed while the semiconductor substrate is heated at 1,150°C or higher.
拡散炉には縦型拡散炉を用い、気相拡散は半導体基板を１１５０℃以上の温度として行う。 - 特許庁 - There are included the first diffusion layer of the same conductive type as a semiconductor substrate, and the second diffusion layer of a conductive type opposite to the semiconductor substrate and diffusion depth shallower than that of the first diffusion layer.
半導体基板と同一導電型の第1の拡散層と、半導体基板と反対導電型であり第１の拡散層より拡散深さの浅い第２の拡散層とを有する。 - 特許庁 - ANTI-DIFFUSION FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF THE FILM
半導体素子の拡散防止膜及びその製造方法 - 特許庁 - IMPURITY DIFFUSION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - IMPURITY DIFFUSION CONTROL METHOD IN SEMICONDUCTOR HETERO STRUCTURE
半導体ヘテロ構造における不純物拡散制御手段 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SHALLOW DIFFUSION LAYER
浅い拡散層を有する半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To make small the area between the source diffusion layer and the digit diffusion layer of a nonvolatile semiconductor memory.
不揮発性半導体メモリのソース拡散層とデジット拡散層との間の面積を小さくする - 特許庁 - METHOD FOR FINDING DIFFUSION RESISTANCE, RECORDING MEDIUM, AND SEMICONDUCTOR WAFER
拡散抵抗を求める方法、記録媒体及び半導体ウェハ - 特許庁 - DIFFUSION SOURCE AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, USING THE SAME
拡散ソース及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING MULTIPLE DIFFUSION PREVENTION FILM
多重拡散防止膜を備える半導体素子の製造方法 - 特許庁 - DIFFUSION BARRIER SPIKES FOR III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURE
ＩＩＩ−Ｖ族半導体構造に対する拡散障壁スパイク - 特許庁 - PROCESS FOR CONTROLLING DOPANT DIFFUSION IN SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREBY
半導体層中のドーパント拡散制御プロセス及びそれにより形成された半導体層 - 特許庁 - DOUBLE DIFFUSION MOSFET AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING IT
二重拡散型ＭＯＳＦＥＴおよびこれを用いた半導体装置 - 特許庁 - A method for forming a diffusion region of a semiconductor device is a method for forming the diffusion region in the semiconductor substrate.
本発明による半導体素子の拡散領域形成方法は、半導体基板中に拡散領域を形成する方法である。 - 特許庁 - A first diffusion layer 5 and a second diffusion layer 6 are formed in the semiconductor substrate 4 to have planes parallel to a surface of the semiconductor substrate 4.
また、その半導体基板４の表面に平行な平面を含むように、第１拡散層５と第２拡散層６とを形成する。 - 特許庁 - Firstly, diffusion parameter values of a semiconductor device are obtained on the way of manufacturing the semiconductor device.
まず、半導体装置の製造途中で、半導体装置の拡散パラメータの値が取得される。 - 特許庁 - This semiconductor device includes a diffusion region formed in a first-conductivity semiconductor layer 12.
半導体装置は、第１導電型の半導体層１２内に形成された拡散領域を含む。 - 特許庁 - First, in a diffusion prevention film formation process, a diffusion prevention film 7 for preventing diffusion of semiconductor impurities is formed only on the side face of a semiconductor wafer 2 in its entirety.
まず、拡散防止膜形成工程で、半導体不純物の拡散を防止する拡散防止膜７を、半導体ウエハ２の側面にのみ、その側面の全周にわたって形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device using acid diffusion.
酸拡散を利用する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - FORMATION METHOD OF DIFFUSION PREVENTION FILM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
拡散防止膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The anode electrode is Schottky-coupled to the first semiconductor diffusion layer.
アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which prevents the diffusion of copper.
銅の拡散を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - HORIZONTAL DIFFUSION FURNACE AND HEAT TREATMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING THE SAME
横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法 - 特許庁 - The method for forming an impurity diffusion layer includes a pattern formation step, whereby a pattern is formed by printing the diffusion agent composition onto a semiconductor substrate, and a diffusion step, whereby the impurity diffusion component (A) in the diffusion agent composition is diffused onto the semiconductor substrate.
また、不純物拡散層の形成方法は、半導体基板に、上述の拡散剤組成物を印刷してパターンを形成するパターン形成工程と、拡散剤組成物の不純物拡散成分（Ａ）を半導体基板に拡散させる拡散工程と、を含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which is equipped with a diffusion depth check pattern capable of relatively measuring the depth of diffusion taking advantage of a relation between the depth and spread of diffusion.
拡散の深さと広がりの関係を利用し、拡散深さを相対的に測定できる拡散深さチェックパターンを備える半導体装置を提供する。 - 特許庁 - An n-type diffusion area 4 and a p-type diffusion area 5 separately from the n-type diffusion area 4 are formed on the surface layer of an n-type semiconductor layer 3.
ｎ形半導体層３の表面層にｎ形拡散領域４とこのｎ形拡散領域４と離してｐ形拡散領域５を形成する。 - 特許庁 - A semiconductor device has a P-type second low-concentration diffusion region 9 between a P-type low-concentration diffusion region 7 and an N-type low-concentration diffusion region 11.
Ｐ型低濃度拡散領域７とＮ型低濃度拡散領域１１の間にＰ型第２低濃度拡散領域９を備えている。 - 特許庁 - A copper diffusion preventive film formed on a main surface of a semiconductor substrate 1S is represented by a copper diffusion preventive film DCF1a, and a copper diffusion preventive film formed on a back surface of the semiconductor substrate 1S is represented by a copper diffusion preventive film DCF1b.
半導体基板１Ｓの主面に形成される銅拡散防止膜を銅拡散防止膜ＤＣＦ１ａとし、半導体基板１Ｓの裏面に形成される銅拡散防止膜を銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂとする。 - 特許庁 - A P-type diffusion layer 13 is also formed on the P-type semiconductor substrate 1.
Ｐ型半導体基板１にＰ型拡散層１３も形成されている。 - 特許庁
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